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Getting Permission: Using & Licensing Copyright-Protected Materials Online & Off

為了解決th的問題，作者 這樣論述：

Before YouUse That Image, Song, or Article, Read This!Whetherit’s online, in the classroom, or anywhere else, if you want to utilize anyoneelse’s copyrighted work, you need to figure out if you need permission--and ifso, the best way to go about getting it. Nolo’s Getting Permission is the bestse

lling all-in-one guide tounderstanding how copyright protection works, when copyright rules might not apply to a creation, and the mosteffective way to get permission to use someone else’s material. Completelyupdated with all the latest rules on ＂fair use＂ and other key copyrightconcepts, the 8th ed

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調控高分子給體二維共軛側鏈與設計共軛中心核與pi-架橋小分子受體結構與性質之系統性研究

為了解決th的問題，作者陳重豪 這樣論述：

此研究中，我們通過引入具有（苯並二噻吩）-（噻吩）（噻吩）-四氫苯並惡二唑（BDTTBO）主鏈的新型供體-受體（D/A）共軛聚合物製備了用於有機光伏（OPV）的三元共混物。在BDTTBO單體中BDT供體單元上修飾不同的共軛側鏈聯噻吩 (BT)、苯並噻吩 (BzT) 和噻吩並噻吩 (TT)（記為 BDTTBO-BT、BDTTBO-BzT 和 BDTTBO-TT）。然後，我們將 BDTTBO-BT 或 BDTTBO-BzT 或 BDTTBO-TT 與聚（苯並二噻吩-氟噻吩並噻吩）（PTB7-TH）結合起來，以擴大太陽光譜的吸收並調整活性層中 PTB7-TH 和富勒烯的分子堆積，從而增加短路電流密

度。我們發現參入10%的BDTTBO-BT高分子以形成 PTB7-TH：BDTTBO-BT：PC71BM 形成三元共混物元件活性層可以將太陽能元件的功率轉換效率從 PTB7-TH 的二元共混物元件 9.0% 提高到 10.4%： PC71BM 轉換效率相對增長超過 15%。於第二部分，我們比較在BDTTBO單體中BDT供體單元上修飾硫原子或氯原子 取代和同時修飾硫原子和氯原子取代的側鏈聚合物供體與小分子受體光伏的功率轉換效率 (PCE) 的實驗結果與由監督產生的預測 PCE。使用隨機森林算法的機器學習 (ML) 模型。我們發現 ML 可以解釋原子變化的聚合物側鏈結構中的結構差異，因此對二元共混

系統中的 PCE 趨勢給出了合理的預測，提供了系統中的形態差異，例如分子堆積和取向被最小化。因此，活性層中分子取向和堆積導致的結構差異顯著影響 PCE 的預測值和實驗值之間的差異。我們通過改變其原始聚合物聚[苯並二噻吩-噻吩-苯並惡二唑] (PBDTTBO) 的側鏈結構合成了三種新的聚合物供體。同時修飾硫原子和氯原子取代的側鏈結構用於改變聚合物供體的相對取向和表面能，從而改變活性層的形態。 BDTSCl-TBO:IT-4F 器件的最高功率轉換效率 (PCE) 為 11.7%，與使用基於隨機森林算法的機器學習預測的 11.8% 的 PCE 一致。這項研究不僅提供了對新聚合物供體光伏性能的深入了解

，而且還提出了未明確納入機器學習算法的形態（堆積取向和表面能）的可能影響。於第三部分，為了理解下一代材料化學結構的設計規則提高有機光伏（OPV）性能。特別是在小分子受體的化學結構不僅決定了其互補光吸收的程度，還決定了與聚合物供體結合時本體異質結 (BHJ) 活性層的形態。通過正確選擇受體實現優化的OPV 元件性能。在本研究中，我們選擇了四種具有不同共軛核心的小分子受體——稠環核心茚二噻吩、二噻吩並茚並茚二噻吩（IDTT）、具有氧烷基-苯基取代的IDTT稠環核心、二噻吩並噻吩-吡咯並苯並噻二唑結構相同的端基，標記為 ID-4Cl、IT-4Cl、m-ITIC-OR-4Cl 和 Y7，與寬能帶高分子

PTQ10 形成二共混物元件。我們發現基於 Y7 受體的器件在所有二元混合物器件中表現出最好的光伏性能，功率轉換效率 (PCE) 達到 14.5%，與具有 10.0% 的 PCE 的 ID-4Cl 受體相比，可以提高 45%主要歸因於短路電流密度 (JSC) 和填充因子 (FF) 的增強，這是由於熔環核心區域中共軛和對稱梯型的增加，提供了更廣泛的光吸收，誘導面朝向並減小域尺寸。該研究揭示了核心結構單元在影響有源層形態和器件性能方面的重要性，並為設計新材料和優化器件提供了指導，這將有助於有機光伏技術的發展。最後，我們比較了具有 AD-A´-DA 結構的合成小分子受體——其中 A、A´ 和 D 分

別代表端基、核心和 π 價橋單元—它們與有機光伏聚合物 PM6 形成二共混物元件。 增加核苝四羧酸二亞胺 (PDI) 單元的數量並將它們與噻吩並噻吩 (TT) 或二噻吩吡咯 (DTP) π 橋單元共軛增強了分子內電荷轉移 (ICT) 並增加了有效共軛，從而改善了光吸收和分子包裝。 hPDI-DTP-IC2F的吸收係數具有最高值（8 X 104 cm-1），因為它具有最大程度的 ICT，遠大於 PDI-TT-IC2F、hPDI-TT-IC2F和 PDI-DTP-IC2F。 PM6:hPDI-DTP-IC2F 器件提供了 11.6% 的最高功率轉換效率 (PCE)；該值是 PM6:PDI-DTP-

IC2F (4.8%) 設備的兩倍多。從一個 PDI 核心到兩個 PDI 核心案例的器件 PCE 的大幅增加可歸因於兩個 PDI 核心案例具有 (i) 更強的 ICT，(ii) 正面分子堆積，提供更高的和更平衡的載波遷移率和 (iii) 比單 PDI 情況下的能量損失更小。因此，越來越多的 PDI 單元與適當的髮色團共軛以增強小分子受體中的 ICT 可以成為提高有機光伏效率的有效方法

英語發音3部曲，第二版 (附MP3)

為了解決th的問題，作者林孟毅 這樣論述：

　　不會看音標，唸單字，成為你英語學習路途上的難關嗎？《英語發音三部曲》幫助讀者銜接自然發音法與音標，適合音標課程教學與自學之用。第二版應廣大讀者期盼，針對生難單字加入K.K.音標輔助，學習起來更輕鬆，隨三部曲循序漸進，精進英語發音能力。   　　第一篇「基礎入門功：自然發音與K.K.音標」，奠定自然發音與K.K.音標的基礎，輕鬆記住發音與音標，走出因「不會發音」或「不會音標」，而不知道怎麼唸單字的陰影。      　　第二篇「更上一層樓：自然發音外的發音」，進一步說明字母在發音上變化多端的面貌，包括母音字母、子音字母、雙母音字母與拼字組合等，帶領讀者領略不按牌理出牌的不規

則發音。   　　第三篇「殊途而同歸：同音字的妙趣」，認識在各種發音規則下，拼字、意思不同的同音字；在複習發音外，更同步增進字彙能力。平時多留意字詞不同，用時才更愜意自如。 本書特色 　　1.銜接自然發音法與K.K.音標兩大發音方法，看得懂音標亦能正確唸出單字。 　　2.說明基本發音規則並附大量範例，練習發音之餘能同時學習新單字。 　　3.針對生難單字附上K.K.音標，發音由淺入深無門檻。 　　4.闡明不規則發音規則、同音字等特殊情形，不只學習發音還能進階應用。 　　5.每章課後附有練習題，學習後可測驗發音熟悉度。 　　6.附有發音光碟，準確練習發音，不用再擔心單字怎麼唸、唸不好。  

三端自旋軌道磁矩記憶體讀寫特性之研究

為了解決th的問題，作者余家賢 這樣論述：

本研究與工研院電光所合作，主要針對其開發之三端自旋軌道磁矩記憶體(three-terminal iSOT-MRAM)元件進行讀取、寫入及讀寫交互影響所產生的特性分析。針對讀取的方面，首先就自旋轉移磁矩記憶體(STT)端進行分析，採用改變磁場對元件的角度並比較於外加磁場下其翻轉行為是否與尺寸較小之STT-MRAM元件有所不同。將所得到之不同角度下的翻轉場作圖並與不同模型進行比對，發現小尺寸的STT-MRAM元件可以得到Stoner-Wohlfarth單磁疇翻轉的模型，而大尺寸的iSOT-MRAM元件則可得到Kondorsky多磁疇翻轉的模型。接著在寫入端則就SOT端進行分析，透過RVS、CVS

分析重金屬層可承受的極限電壓，並改變電流方向及大小，可看到其翻轉方向會隨自旋電流方向而有所變化。最後，由於此元件為three-terminal 的2T1R的設計，本研究就three-terminal這部分進行分析，同時在STT及SOT兩端通電，得到SOT隨著電流方向不同是可以和STT相互競爭或加乘的結論，元件約在STT端通過10mV下會產生反向翻轉，並分析得到SOT的貢獻是影響此效應的主要原因。而綜合上述實驗結果也可得出在次微米大小的元件中在STT端通過100mV進行讀取較為合適，且各尺寸的元件性質差異不大，若蝕刻技術允許可嘗試繼續微縮尺寸，以期使未來實際應用更為方便。