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國立中興大學 化學工程學系所 陳志銘所指導 賴奎璋的 矽烷化合物的改質於無電鍍鎳(磷)沉積之單晶矽研究 （2014），提出tracer 700價格關鍵因素是什麼，來自於太陽能電池正面金屬化、快速退火程序、鎳矽化何物。
矽烷化合物的改質於無電鍍鎳(磷)沉積之單晶矽研究
為了解決tracer 700價格 的問題，作者賴奎璋 這樣論述：
矽晶太陽能電池發展至今已經五十餘年，在正面金屬化製程中，網印銀線製程因低電阻、低操作難度、適合大量生產等特性而被廣泛利用，然而近年來銀價持續飆漲，除了降低銀膠中銀漿的比例外，以價格較便宜的銅取代銀膠作為導線的概念逐漸受到重視。雖然銅具有低電阻、低電遷移、熱傳導性佳等特性，但銅原子的擴散係數相當大，在高溫甚至室溫環境下皆容易擴散至矽基板，進而破壞PN junction結構，造成電池效率下降，因此實務設計上勢必要在銅層與矽基板之間增加一層擴散阻障層防止銅原子擴散，此擴散阻障層需具備性質穩定、電性佳兩種特性，一般來說，可分大略為乾式製程(PVD&CVD)與濕式製程(電鍍、無電電鍍)兩種製備
方式，但因商業化製程須顧及生產成本，本研究探討以濕式製程所製之無電電鍍鎳磷層做為擴散阻障層。 本研究嘗試以ETAS+PVP-nPd改質之酸性無電鍍鎳磷層作為擴散阻障層，在第一部分的討論中會探討鍍層在快速退火500~900℃後界面是否會生成較低電阻的鎳矽化合物，吾人發現退火溫度在700℃以下時，界面並沒有任何生成物生成，鍍層為Ni與Ni3P結晶，當退火溫度達800℃時界面才有NiSi與NiSi2生成，此時鍍層的晶相也因鎳原子與磷原子的組成改變而形成Ni12P5與Ni2P，在此溫度下附著力提升至10.93 MPa。另外，除了退火溫度外，浸泡ETAS溶液後的清洗程序會直接影響到退火後鎳矽化合物
的生成量與覆蓋率，經由製程上的改良，吾人可將鎳矽化合物的覆蓋率從17.4%提升到69.6%。 第二部分則是為了模擬電池在實際操作條件下的耐用度所做的長效老化實驗，以高溫的環境(200℃)加速銅原子擴散，探討無電鍍鎳磷層是否能在此溫度條件下阻擋銅原子，其結果顯示無電鍍鎳磷層在此條件下處理1000小時後依然沒有銅原子擴散至矽基材中。