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單板滑雪完全指南

為了解決u型槽的問題，作者（美）凱文·瑞安 這樣論述：

本書是一本單板滑雪的百科全書，詳細介紹了單板滑雪的準則、轉向的科學、單板滑雪裝備解析和選擇、新手技巧、中級技巧、高級技巧和滑雪裝備保養。作為一本單板滑雪百科全書，作者在書中介紹了單板滑雪入門知識和不同難度等級的單板滑雪技巧，配有660張生動趣圖，詳解172個實用要點，為單板滑雪者打造全方位的知識地基和最佳滑雪方案。

u型槽進入發燒排行的影片

具新穎的馬鞍形P型基底之4H碳化矽溝槽式閘極金氧半場效應電晶體研究

為了解決u型槽的問題，作者呂放心 這樣論述：

碳化矽為寬能隙的半導體材料，擁有高崩潰電壓、良好的熱傳導能力等優勢，因此它適合應用於高功率元件。Ｕ型槽金氧半場效電晶體 (U-MOSFET) 因為不像垂直雙擴散金氧半場效電晶體 (VD-MOSFET) 有接面場效電晶體效應 (JFET effect)，因此它可以顯著地降低導通電阻。此外，由於U型溝槽閘極的結構，使得它能夠有較小的單位晶胞長度(cell pitch)，進而降低特徵導通阻抗。一般的碳化矽N-型U型槽金氧半場效應電晶體的P型基底的深度約在1-2微米，且經常使用的雜質為鋁。然而，在碳化矽中，鋁的擴散係數非常低，因此雜質要達到1-2微米的深度難以使用熱擴散製程，只能使用離子植入的方式。

這種深度的離子植入製程需要使用到百萬電子伏特等級的離子佈植機，其造價不僅高昂，且佔龐大面積，使得製程成本很高。為了解決這個問題，一種新穎的馬鞍形P型基底之4H碳化矽溝槽式閘極金氧半場效應電晶體在本論文被提出且實際製作。改良過的P型基底結構能夠免除使用到百萬電子伏特等級的離子佈植機，從而降低了製程成本。經由Sentaurus TCAD模擬，在側壁上的P型通道區域的初始設計濃度與厚度分別為1x1017每立方公分與至少0.3微米。而在製程條件設計的部分，採用傾斜30°的離子佈植。因應最高的離子佈植能量與蝕刻碳化矽溝槽時的氧化層丟失，沉積的二氧化矽硬遮罩為1.25微米。製作馬鞍形P型基底的方式為先蝕刻

碳化矽溝槽約0.8微米，接著進行傾斜30°的離子佈植製程，最後蝕刻碳化矽溝槽1微米。本論文實際製作馬鞍形P型基底溝槽式閘極金氧半場效應電晶體，並且可以在掃描電子顯微鏡照片中觀察到馬鞍形P型基底的結構有被成功地製作出來。然而在製作過程中，為了保護溝槽底部的氧化層，P+屏蔽區域的製程臨時被加入，該區域的設計並沒有經過優化。因此在照片中發現到溝槽底部被P型區域包圍住，導致了嚴重的接面場效電晶體效應。對一般的U型槽金氧半場效應電晶體與馬鞍形P型基底溝槽式閘極金氧半場效應電晶體進行電性的分析與討論。在轉換特性中（在汲極電壓為10伏特），兩種場效應電晶體皆可以正常的操作。然而在汲極電壓為 0.1伏特時，馬

鞍形P型基底溝槽式閘極金氧半場效應電晶體無法導通。原因來自於前述的接面場效電晶體效應。在高溫量測中，兩者場效應電晶體在300 ℃時的閾值電壓都大於1伏特，因此兩者皆能夠滿足在高溫下操作的需求。在崩潰分析當中，保護環的耐壓可以達到約1900伏特，而兩者場效應電晶體的崩潰電壓約在880伏特。推測是因為P+屏蔽區域的高濃度導致崩潰發生在由P+屏蔽區域/N-飄移形成的接面。在輸出電容特性中，兩者的表現相當接近。因此，即使改變了P型基底的結構使得P型基底/N-飄移的面積增加，馬鞍形P型基底的結構並不會導致切換速度被嚴重劣化。

SOLIDWORKS 2016中文版從入門到精通

為了解決u型槽的問題，作者胡仁喜 這樣論述：

本書中的每個實例都是編者獨立設計的真實零件，每一章都提供了獨立、完整的零件製作過程，每個模組都有大型、綜合的實例章節，操作步驟都有簡潔的文字說明和精美的圖例展示。“授人以魚不如授人以漁”，本書的實例安排本著“由淺入深，循序漸進”的原則，力求使讀者“用得上，學得會，看得懂”，並能夠學以致用，從而儘快掌握SolidWorks設計中的訣竅。 全書按知識結構順序分為15章，分別講述SolidWorks基礎知識，草圖繪製，編輯零件草繪特徵，編輯零件實體，曲線與曲面造型，鈑金設計，裝配體的應用，動畫製作和工程圖等知識。隨書配送的多媒體光碟包含全書所有實例的原始檔案和操作過程的AVI視頻檔，可以説明讀者輕

鬆自在地學習本書。 前言 第1章 SOLIDWORKS 2016概述1 1.1 初識SOLIDWORKS 20162 1.1.1 啟動SOLIDWORKS 20162 1.1.2 新建文件3 1.1.3 打開文件4 1.1.4 保存檔6 1.1.5 退出SOLIDWORKS 20167 1.2 SOLIDWORKS使用者介面8 1.3 SOLIDWORKS工作環境設置12 1.3.1 設置工具列12 1.3.2 設置工具列命令按鈕13 1.3.3 設置快速鍵14 1.3.4 設置背景15 1.3.5 設置實體顏色17 1.3.6 設置單位18 第2章 草圖繪製20 2.

1 草圖繪製的基本知識21 2.1.1 進入草圖繪製21 2.1.2 退出草圖繪製22 2.1.3 草圖繪製工具23 2.1.4 繪圖游標和鎖點游標25 2.2 草圖繪製工具26 2.2.1 繪製點26 2.2.2 繪製直線與中心線27 2.2.3 繪製圓29 2.2.4 繪製圓弧31 2.2.5 繪製矩形34 2.2.6 繪製多邊形37 2.2.7 繪製橢圓與部分橢圓38 2.2.8 繪製抛物線39 2.2.9 繪製樣條曲線40 2.2.10 繪製草圖文字42 2.3 草圖編輯工具43 2.3.1 繪製圓角43 2.3.2 繪製倒角44 2.3.3 等距實體45 2.3.4 轉換實體引用47

2.3.5 草圖剪裁47 2.3.6 草圖延伸48 2.3.7 分割草圖49 2.3.8 鏡向草圖49 2.3.9 線性草圖陣列51 2.3.10 圓周草圖陣列52 2.3.11 移動草圖53 2.3.12 複製草圖53 2.3.13 旋轉草圖53 2.3.14 縮放草圖54 2.3.15 伸展草圖55 2.4 綜合實例——底座草圖57 第3章 草圖尺寸標注與幾何關係59 3.1 草圖尺寸標注60 3.1.1 設置尺寸標注格式60 3.1.2 尺寸標注類型62 3.1.3 尺寸修改66 3.2 草圖幾何關係67 3.2.1 自動添加幾何關係68 3.2.2 手動添加幾何關係69 3.2.3

顯示幾何關係70 3.2.4 刪除幾何關係71 3.3 綜合實例71 3.3.1 斜板草圖72 3.3.2 角鐵草圖74 第4章 基礎特徵建模76 4.1 特徵建模基礎77 4.2 拉伸特徵77 4.2.1 拉伸凸台/基體特徵78 4.2.2 實例——文具盒81 4.2.3 拉伸切除特徵84 4.2.4 實例——壓蓋85 4.3 旋轉特徵89 4.3.1 旋轉凸台/基體特徵89 4.3.2 實例——法蘭盤92 4.3.3 旋轉切除特徵94 4.4 掃描特徵96 4.4.1 不帶引導線的掃描方式96 4.4.2 帶引導線的掃描方式98 4.4.3 實例——彎管99 4.5 放樣特徵102 4

.5.1 不帶引導線的放樣方式103 4.5.2 帶引導線的放樣方式105 4.5.3 實例——連杆基體108 第5章 附加特徵建模120 5.1 圓角特徵121 5.1.1 等半徑圓角121 5.1.2 多半徑圓角123 5.1.3 圓形角圓角124 5.1.4 逆轉圓角125 5.1.5 變半徑圓角126 5.1.6 面圓角128 5.1.7 完整圓角129 5.1.8 實例——支架131 5.2 倒角特徵134 5.2.1 角度距離134 5.2.2 距離－距離135 5.2.3 頂點136 5.3 拔模特征137 5.3.1 中性面拔模137 5.3.2 分型線拔模138 5.3.3

階梯拔模140 5.4 抽殼特徵141 5.4.1 去除模型面抽殼141 5.4.2 空心閉合抽殼142 5.4.3 多厚度抽殼143 5.5 筋特徵144 5.5.1 創建筋144 5.5.2 實例——導流蓋146 5.6 陣列特徵148 5.6.1 線性陣列148 5.6.2 圓周陣列150 5.6.3 曲線驅動的陣列151 5.6.4 草圖驅動的陣列153 5.6.5 表格驅動的陣列154 5.6.6 實例——鞋架156 5.7 鏡像162 5.7.1 鏡像特徵162 5.7.2 鏡像實體163 5.8 圓頂特徵164 5.8.1 創建圓頂164 5.8.2 實例——瓶子165 5.9

特型特徵172 5.10 鑽孔特徵173 5.10.1 簡單直孔173 5.10.2 異型孔嚮導175 5.10.3 實例——異型孔特徵零件176 5.11 比例縮放179 第6章 輔助工具180 6.1 參考幾何體181 6.1.1 基準面181 6.1.2 基準軸188 6.1.3 坐標系192 6.2 查詢193 6.2.1 測量193 6.2.2 品質屬性195 6.2.3 截面屬性196 6.3 零件的特徵管理198 6.3.1 退回與插入特徵198 6.3.2 壓縮與解除壓縮特徵200 6.3.3 動態修改特徵202 6.4 零件的顯示203 6.4.1 設置零件的顏色203

6.4.2 設置零件的透明度206 第7章 曲線與曲面208 7.1 曲線的生成方式209 7.2 三維草圖的繪製209 7.2.1 要繪製三維草圖209 7.2.2 要建立自訂的坐標系210 7.2.3 實例——椅子210 7.3 曲線的生成216 7.3.1 投影曲線216 7.3.2 三維樣條曲線的生成220 7.3.3 組合曲線222 7.3.4 螺旋線和渦狀線222 7.4 曲面的生成方式224 7.4.1 拉伸曲面224 7.4.2 旋轉曲面225 7.4.3 掃描曲面226 7.4.4 放樣曲面227 7.4.5 實例——電扇單葉228 7.4.6 等距曲面238 7.4.7

延展曲面239 7.5 曲面編輯239 7.5.1 縫合曲面239 7.5.2 實例——花盆240 7.5.3 延伸曲面244 7.5.4 剪裁曲面245 7.5.5 實例——燒杯247 7.5.6 移動/複製/旋轉曲面257 7.5.7 刪除曲面259 7.5.8 曲面切除259 第8章 曲面的綜合實例261 8.1 太空梭建模262 8.1.1 繪製機身263 8.1.2 繪製側翼267 8.1.3 繪製尾翼273 8.1.4 繪製噴氣部282 8.1.5 渲染287 8.2 茶壺建模291 8.2.1 繪製壺身291 8.2.2 繪製壺蓋301 第9章 鈑金設計305 9.1 基本術

語306 9.1.1 折彎係數306 9.1.2 折彎扣除306 9.1.3 K-因數306 9.1.4 折彎係數表307 9.2 鈑金特徵工具與鈑金功能表308 9.2.1 啟用鈑金特徵工具列308 9.2.2 鈑金菜單309 9.3 轉換鈑金特徵310 9.3.1 使用基體-法蘭特徵310 9.3.2 用零件轉換為鈑金的特徵310 9.3.3 實例——電器支架311 9.4 鈑金特徵316 9.4.1 法蘭特徵316 9.4.2 邊線法蘭320 9.4.3 實例——U型槽322 9.4.4 斜接法蘭325 9.4.5 褶邊特徵327 9.4.6 繪製的折彎特徵328 9.4.7 實例——書

架330 9.4.8 閉合角特徵333 9.4.9 轉折特徵334 9.4.10 放樣折彎特徵336 9.4.11 實例——矩形漏斗338 9.4.12 切口特徵341 9.4.13 實例——六角盒342 9.4.14 展開鈑金折彎345 9.4.15 斷開邊角/邊角剪裁特徵347 9.4.16 通風口348 9.5 鈑金成形351 9.5.1 使用成形工具351 9.5.2 修改成形工具352 9.5.3 創建新成形工具354 第10章 鈑金設計綜合實例357 10.1 電腦主機殼側板358 10.1.1 創建主機殼側板主體358 10.1.2 創建主機殼側板卡口360 10.1.3 創建

成形工具368 10.1.4 添加成形工具372 10.2 硬碟支架374 10.2.1 創建硬碟支架主體374 10.2.2 創建硬碟支架卡口377 10.2.3 創建成形工具1379 10.2.4 添加成形工具1385 10.2.5 創建成形工具2387 10.2.6 添加成形工具2392 10.2.7 創建排風扇以及細節處理395 第11章 裝配體設計399 11.1 裝配體基本操作400 11.1.1 新建裝配體文件400 11.1.2 插入零部件401 11.1.3 移動零部件402 11.1.4 旋轉零部件404 11.2 裝配體配合方式405 11.2.1 一般配合方式405

11.2.2 實例——茶壺裝配體409 11.2.3 SmartMates配合方式413 11.3 零件的複製、陣列與鏡像415 11.3.1 零件的複製415 11.3.2 零件的陣列416 11.3.3 零件的鏡像419 11.4 裝配體檢查423 11.4.1 碰撞測試423 11.4.2 動態間隙424 11.4.3 體積干涉檢查425 11.4.4 裝配體性能評估426 11.5 爆炸視圖427 11.5.1 生成爆炸視圖427 11.5.2 編輯爆炸視圖429 11.6 裝配體的簡化429 11.6.1 零部件顯示狀態的切換430 11.6.2 零部件壓縮狀態的切換431 第12

章 裝配體設計綜合實例434 12.1 傳動裝配體435 12.1.1 創建裝配圖435 12.1.2 創建爆炸視圖440 12.2 升降臺445 第13章 動畫製作455 13.1 運動算例456 13.1.1 新建運動算例456 13.1.2 運動算例MotionManager簡介456 13.2 動畫嚮導458 13.2.1 旋轉459 13.2.2 爆炸/解除爆炸460 13.2.3 實例——傳動裝配體分解結合動畫462 13.3 動畫465 13.3.1 基於關鍵幀動畫465 13.3.2 實例——創建茶壺的動畫465 13.3.3 基於馬達的動畫467 13.3.4 實例——傳動

裝配體動畫469 13.3.5 基於相機橇的動畫472 13.3.6 實例——傳動裝配體基於相機的動畫474 13.4 基本運動478 13.4.1 彈簧479 13.4.2 引力480 13.5 更改視像屬性480 13.6 保存動畫481 13.7 綜合實例——差動機構運動模擬482 第14章 工程圖設計487 14.1 工程圖概述488 14.1.1 新建工程圖488 14.1.2 指定圖紙格式489 14.1.3 用戶圖紙格式491 14.1.4 設定工程圖選項491 14.1.5 設定圖紙498 14.1.6 圖紙操作501 14.2 建立工程視圖503 14.2.1 創建標準三視

圖503 14.2.2 投影視圖505 14.2.3 輔助視圖507 14.2.4 剪裁視圖509 14.2.5 局部視圖510 14.2.6 剖面視圖511 14.2.7 斷裂視圖513 14.2.8 相對視圖513 14.3 編輯工程視圖514 14.3.1 移動視圖515 14.3.2 旋轉視圖516 14.3.3 對齊視圖517 14.3.4 刪除視圖518 14.3.5 剪裁視圖519 14.3.6 隱藏/顯示視圖520 14.3.7 隱藏/顯示視圖中的邊線522 14.4 標注工程視圖523 14.4.1 插入模型尺寸523 14.4.2 修改尺寸屬性524 14.4.3 標注基準

特徵符號528 14.4.4 標注形位公差529 14.4.5 標注表面粗糙度符號530 14.4.6 標注其他注解531 14.4.7 尺寸對齊方式534 第15章 工程圖綜合實例537 15.1 支撐軸工程圖538 15.1.1 創建視圖538 15.1.2 標注基本尺寸540 15.1.3 標注表面粗糙度和形位公差542 15.2 齒輪泵前蓋工程圖的創建545 15.2.1 創建視圖546 15.2.2 標注基本尺寸547 15.2.3 標注表面粗糙度和形位公差547 15.3 齒輪泵裝配工程圖550 15.3.1 創建視圖550 15.3.2 創建明細表552 15.3.3 標注尺寸

和技術要求553

厚底氧化層的碳化矽U型槽金氧半場效電晶體之製程與特性分析

為了解決u型槽的問題，作者施依廷 這樣論述：

碳化矽為寬能隙材料，擁有高崩潰電壓、良好的熱傳導能力等優勢，適合用應於高功率元件。碳化矽U型槽金氧半場效電晶體的單位晶胞密度高且沒有DMOS中的接面場效電晶體效應(JFET effect)，可以顯著降低導通電阻，因而已有許多文獻進行研究。高崩潰電壓為功率半導體元件的重要指標之一，但U型槽金氧半場效電晶體的溝槽底部易受到高電場而崩潰，使得崩潰電壓受限於氧化層崩潰，遠低於飄移區本身的耐壓能力。此外，在元件終端的p-n接面也會面臨大電場而崩潰，造成崩潰電壓下降。另一個問題是，U型槽金氧半場效電晶體的閘極—汲極間電容會因單位晶胞密度高而增加。本論文採用厚底氧化層和終端保護環以解決上述問題。厚底氧化層

不僅可以減緩溝槽底部的大電場，也可以降低閘極—汲極間電容。而為了讓電晶體得以保有本身的耐壓能力，元件的終端區則利用保護環進行保護。首先，先介紹厚底氧化層U型槽金氧半場效電晶體的製作。由於碳化矽在(11-20)面上的濕氧化速率遠高於(0001)面，因此在相同氧化製程下，側壁氧化層會比底氧化層厚許多。但若底氧化層先經過預先非晶化植入製程，氧化速率會大幅提升，又加上溝槽側壁在氮化矽間隙壁的保護下幾乎不會被氧化。所以我們結合上述方法，成功製作出底氧化層高達430 nm、側壁氧化層僅40 nm的厚底氧化層U型槽金氧半場效電晶體。另一方面，也實際製作出傳統U型槽金氧半場效電晶體，並從TEM照片可以觀察到，

側壁氧化層在靠近角落處的厚度較厚，有利於減輕溝槽轉角的大電場。這可能是氧化劑從溝槽角落的氮化矽鑽入到二氧化矽和碳化矽介面，與碳化矽反應所致。除此之外，也對傳統U型槽金氧半場效電晶體以及厚底氧化層U型槽金氧半場效電晶體的崩潰電壓進行分析討論。以電漿增強化學氣相沉積製作閘極氧化層的電晶體的閘極電流達到10-9安培後即崩潰，而以乾氧化製作閘極氧化層的電晶體的閘極電流可高達10-6安培，可能是因為乾氧化製程下的氧化層品質較好、可靠度較高。另外，本研究設計的終端保護環可耐壓至少1200伏特。最後，磷的預先非晶化植入可以有效地使底氧化層的厚度增加，但也會導致閘極—汲極間電容略微增加。因為磷在成長厚底氧化層

時被部分活化，讓氬的預先非晶化植入造成的晶格受損區域得以維持N型摻雜。儘管如此，與傳統U型槽金氧半場效電晶體相比，厚底氧化層U型槽金氧半場效電晶體可以明顯降低閘極—汲極間電容。