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國立雲林科技大學 電子工程系 許孟庭、陳育鑽所指導 李偉銍的 應用於Wi-Fi和LTE頻段之超低電壓正交壓控振盪電路設計 （2016），提出uwb晶片價格關鍵因素是什麼，來自於電壓控制振盪器、正交電壓控制振盪器、微費頻段、長期演進技術頻段、低相位雜訊、超低電壓。
而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 張鴻埜所指導 廖彥涵的 微波毫米波寬頻振盪器與鎖相迴路之研製 （2012），提出因為有 振盪器、鎖相迴路、正交振盪器、注入鎖定的重點而找出了 uwb晶片價格的解答。
應用於Wi-Fi和LTE頻段之超低電壓正交壓控振盪電路設計
為了解決uwb晶片價格 的問題，作者李偉銍 這樣論述：
本論文之研製因於快速成長的無線通訊產業中，通訊產品不斷朝向低價格、功能強大、高頻段、體積小及耗電低之目標來邁進，因此將具低功率、低成本的互補式金氧半導體技術應用於無線收發前端，引起廣泛之興趣。本論文主要挑戰為設計高性能的LC電壓控制振盪器，利用台灣積體電路製造公司(TSMC)之0.18um CMOS製程下IC晶片，並作實際量測驗證效能。 第一顆晶片係研製應用於Wi-Fi Band之準電流再生技術使用變壓器回授及基板雙偏壓技術之電壓控制振盪電路。最後之量測結果係於2.48GHz下，於1MHz之offset情況時，相位雜訊為-117dBc/Hz，可調頻寬約12% (2.38GHz~2.69GHz
)，於0.32V供應電壓下總消耗功率為0.156 mW，其FOM值亦可達到-193 dB。第二顆晶片係研製應用於LTE Band之準電流再生技術使用變壓器回授及基板偏技術之正交電壓控制振盪電路。最後之量測結果係於2.52GHz下，於1MHz之offset情況時，相位雜訊為-113dBc/Hz，可調頻寬約10% (2.5GHz~2.76GHz)，於0.29V供應電壓下總消耗功率為0.26 mW，其FOM值亦可達到-187 dB。關鍵字：電壓控制振盪器、正交電壓控制振盪器、微費頻段、長期演進技術頻段、低相位雜訊、超低電壓。
微波毫米波寬頻振盪器與鎖相迴路之研製
為了解決uwb晶片價格 的問題，作者廖彥涵 這樣論述：
近年來無線通訊產業快速發展，關鍵技術日趨成熟，但是射頻無線積體電路的製作價格仍然偏高，為了降低製作成本及整合數位類比電路於單一晶片上，採用低價格的互補式金屬氧化物半導體製程來開發設計，已是未來的發展趨勢。在無線通訊的收發機中，低相位雜訊的壓控振盪器是不可或缺的元件，如何設計高頻率並同時具有低相位雜訊的振盪器是一個值得探討的主題。鎖相迴路則是穩定壓控振盪器輸出頻率的方法之一，將注入鎖定技術應用於振盪器、除頻器、鎖相迴路與等主動電路，可以改善本地振盪源之電路性能。在通訊系統中，常將訊號分成I/Q兩通道，增加其適用的頻寬，因此收發電路中常需使用四相位正交訊號輸出的振盪器，才可進行調變或解調
。本論文內容分成四部分，第二章設計三種應用於K頻段的寬頻差動振盪器，第三章設計注入鎖定倍頻器，第四章提出新型四相位壓控振盪器，第五章提出注入鎖定除六除頻器並應用於K頻段鎖相迴路，並對振幅及相位誤差作分析探討。 第二章為使用穩懋砷化鎵為材質之異質接面雙極性電晶體，和假晶格高速電子移動率電晶體製程，設計三種應用於K頻段的低功耗低相位雜訊的差動壓控振盪器，包括基本的共基極差動振盪器，將異質接面雙極性電晶體疊接假晶格高速電子移動率電晶體的共射極差動振盪器，以及使用主動負載共射極差動振盪器，對電路做負阻及頻寬的分析。三種電路可調頻寬的百分比分別達到38.3%、22%、31.3%，晶片面積均為1×1
mm2，與近年文獻比較均有較佳的頻寬及優化指數的表現。 第三章為注入鎖定倍頻器的設計與分析。由於高頻特性受限於元件，直接實現一高頻壓控振盪器是不容易的，此電路利用較低頻的振盪器串接倍頻器在想要的頻段獲得訊號，並使用台積電提供的0.18 μm矽鍺雙載子互補金氧半導體製程實現。由量測結果得知，可調頻寬範圍17.08至18.37 GHz，其輸出功率均高於－8.4 dBm，輸出頻率為18.4 GHz時，偏移中心頻 1 MHz 量測之輸出相位雜訊為－99.8 dBc/Hz，鎖定頻寬有1.4 GHz，直流功率消耗為7 mW，晶片面積為0.49×0.73 mm2。 第四章介紹四相位壓控振盪器的
原理與架構，並提出新型的四相位振盪器，同時說明其設計概念及直接量測相位、振幅誤差的方法。使用台積電90 nm CMOS製程實現了K頻段使用變壓器回授及閘極調變架構之壓控振盪器，振盪頻率可調範圍為1.7 GHz，輸出功率為－9.6 dBm，輸出頻率為25.07 GHz時，偏移中心頻 1 MHz 量測之輸出相位雜訊為－98.6 dBc/Hz，量測到最小的振幅誤差為0.55 dB，相位誤差為0.28°，直流功率消耗為16.15 mW，晶片面積為0.74×0.89 mm2。優位指數為－174.4 dBc/Hz。 第五章介紹基本除頻器架構以及設計原理，同時採用台積電提供的0.18 μm 互補式金屬
氧化物半導體製程實現一個除五注入鎖定除頻器，量測最大鎖定頻寬為1.1 GHz。將此注入鎖定除頻器整合至鎖相迴路系統，包含注入鎖定壓控振盪器、相位頻率偵測器、電荷幫浦、迴路濾波器及除頻鏈，同樣是使用台積電0.18 μm互補式金屬氧化物半導體製程實現，其鎖定頻率範圍為22.09至22.19 GHz，未注入前，鎖定頻率為22.15 GHz 時，在偏移中心頻 1 MHz 量測之輸出相位雜訊為－104 dBc/Hz，注入後，當鎖定頻率為22.15 GHz 時，在偏移中心頻 1 MHz 量測之輸出相位雜訊為－130 dBc/Hz，迴路中使用注入鎖定振盪器改善了鎖相迴路的相位雜訊，提供品質更好的本地振盪源。
此電路總共直流消耗為102 mW，晶片面積為1.06×1.395 mm2。