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國立臺北科技大學 材料科學與工程研究所 王錫九、陳適範所指導 洪榮宏的 磁控濺鍍法製備鉭金屬薄膜之特性研究 （2014），提出v71掃頻關鍵因素是什麼，來自於片電阻、微結構、磁控濺鍍、耐火材料、鉭金屬。
磁控濺鍍法製備鉭金屬薄膜之特性研究
為了解決v71掃頻 的問題，作者洪榮宏 這樣論述：
本實驗以高純度鉭靶材(4N)利用直流磁控濺鍍法與射頻磁控濺鍍法，在設定的濺鍍時間下改變濺鍍功率沉積鉭金屬薄膜，分析兩種不同濺鍍方法所製備之薄膜表面特性與電性。藉由兩種濺鍍方法製得之鉭金屬薄膜，將透過X光繞射儀分析薄膜微結構；以電子顯微鏡觀察鉭金屬薄膜表面形貌及厚度；利用四點探針測量薄膜電阻。X光繞射圖譜中，直流法在不同的濺鍍條件下，都有較明顯的結晶峰值存在；而射頻法使用較低的濺鍍功率50 W製備薄膜，有寬廣繞射峰出現。由實驗結果顯示，直流法使用濺鍍功率100 W以上、濺鍍時間15分鐘以上時，薄膜結構皆有結晶相的存在，而射頻法需使用較大濺鍍功率才有類似的結果出現。最後，在薄膜電性測量方面，因射
頻法在濺鍍時間5分鐘、濺鍍功率50 W的條件下，有非晶結構出現，故薄膜電阻較高。整體而言，射頻法製備而得之薄膜電阻都較直流法高。使用直流濺鍍功率150 W、濺鍍時間40分鐘且不加熱基板的條件下，可以鍍製得到α相鉭薄膜，薄膜的片電阻最低為0.164 ohm/square。