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中國醫藥大學 公共衛生學系博士班 蔡文正所指導 郭娓吟的 探討初期慢性腎臟病患加入論質計酬照護方案對病程變化之影響 （2021），提出vg10缺點關鍵因素是什麼，來自於慢性腎臟病、初期慢性腎臟病醫療給付改善方案、腎絲球濾過率、糖尿病、論質計酬。
而第二篇論文國立臺南大學 材料科學系碩士班 鄭建星所指導 呂俊瑩的 氣氛退火對氧化鋁穿隧層於鋅錫氧化物基電晶體記憶特性的影響 （2021），提出因為有 溶液法、氣氛退火、薄膜電晶體、電荷捕捉、F-N 穿隧效應、非揮發性記憶體的重點而找出了 vg10缺點的解答。
探討初期慢性腎臟病患加入論質計酬照護方案對病程變化之影響
為了解決vg10缺點 的問題，作者郭娓吟 這樣論述：
研究背景與動機： 2011健保署年推動『初期慢性腎臟病醫療給付改善方案』(early-CKD P4P)，積極進行疾病管理，提供治療及衛教措施，期能延緩腎功能惡化。但過去因資料取得上的困難，致使全國性early-CKD P4P方案評估的相關研究相當少。因此，本研究透過目前可取得之全國性資料，進行early-CKD P4P方案之成效評估，並達成以下目的。研究目的： 探討初期慢性腎臟病期別與健康狀況對病患加入early-CKD P4P方案的影響；比較加入early-CKD P4P方案對初期慢性腎臟病人病程惡化之影響；探討合併有糖尿病之初期慢性腎臟病患同時加入兩項論質計酬照護方案(early-CK
D P4P、DM P4P)對病程惡化之影響。研究方法：以2015年至2017年中央健康保險署『全民健康保險保險人資訊整合應用服務中心』之健保就醫資料以及健保資訊網服務系統(VPN)資料以及即時就醫資訊資料檔為資料來源，並以2015年為初期慢性腎臟病(Stage 1-3a)的病人為研究對象，觀察至2017年底。以Cox Proportional Hazards Regression探討初期慢性腎臟病期別與健康狀況對加入early-CKD P4P方案的影響。另外，再以1:1的比例進行傾向分數配對法(Propensity score matching, PSM)，配對加入與未加入early-CKD
P4P方案的初期慢性腎臟病患後，以觀察至2017年底，同樣以Cox Proportional Hazards Regression探討加入early-CKD P4P方案對緩解腎功能惡化之影響。最後再以同時合併有糖尿病的初期慢性腎臟病患為研究對象，同樣以1:1:1:1的比例進行傾向分數配對，配對同時加入early-CKD P4P方案與DM P4P方案、僅加入early-CKD P4P方案、僅加入DM P4P方案與完全未加入P4P照護方案等四組後，觀察至2017年底，同樣以Cox Proportional Hazards Regression探討加入同時加入兩項P4P照護方案對緩解腎功能惡化的加乘
效果。結果：2016年新診斷為初期慢性腎臟病的病人約有48,388人，其中僅有25.1%加入early-CKD P4P方案，stage 2(HR=1.30, 95%CI:1.22-1.39)與stage 3a(HR=1.24, 95%CI:1.18-1.31)的初期慢性腎臟病人加入early-CKD P4P方案的機率顯著高於stage 1，健康狀況並不顯著影響其加入early-CKD P4P。另本研究以1:1的比例進行加入與未加入early-CKD P4P方案的PS Matching後，共有27,800人納入分析。加入early-CKD P4P方案的病人中約有13.6%的病人其腎功能eGFR下
降超過25%，約3.6%的病人其腎功能eGFR惡化為stage 3b以上，皆顯著低於未加入early-CKD P4P的病人(22.6%, 8.9%)；經控制相關變項後，加入early-CKD P4P方案的初期慢性腎臟病人，eGFR下降超過25%的風險顯著較低(HR=0.83, 95%CI:0.77-0.88)，eGFR惡化為stage 3b以上的風險亦顯著較低(HR=0.58, 95%CI:0.51-0.65)。stage 3a加入early-CKD P4P方案的初期慢性腎臟病人，eGFR下降超過25%與惡化為stage 3b以上的風險顯著較低(HR=0.79, 95%CI:0.73-0.85
)，但stage 1與stage 2加入early-CKD P4P方案其eGFR下降超過25%的風險與未加入方案的病人沒有統計上的顯著差異(p>0.05)。本研究中同時罹患糖尿病之初期慢性腎臟病患共有35,718人。經1:1:1:1的PS Matching後，共有8,464人納入分析。結果顯示，同時加入early-CKD P4P與DM P4P方案的病人與僅加入early-CKD P4P的病人，其腎功能eGFR下降超過25%的比例分別為14.8%與14.5%，相對低於僅加入DM P4P(25.8%)的病人與完全未加入照護方案(28.3%)的病人；經控制相關變項後，相較於同時加入兩項方案的病人，僅
加入early-CKD P4P方案的病人，不論是在eGFR下降超過25%(HR=1.16, 95%CI:0.98-1.36)或eGFR惡化為stge 3b以上(HR=1.23, 95%CI:0.92-1.64)，皆無統計上的顯著差異(p>0.05)。結論：初期慢性腎臟病人的期別顯著影響其加入early-CKD P4P方案，但健康狀況並不顯著影響其加入方案；加入方案後，確實可以降低其腎功能惡化的風險；對於罹患糖尿病的慢性腎臟病人同時加入early-CKD P4P與DM P4P方案，對避免腎功能惡化的風險並無顯著的加乘效果。
氣氛退火對氧化鋁穿隧層於鋅錫氧化物基電晶體記憶特性的影響
為了解決vg10缺點 的問題，作者呂俊瑩 這樣論述：
薄膜電晶體作為單電晶體記憶體(One-Transistor memory)結構於非揮發性記憶體的應用近年來開始得到關注，主要歸功於製程相對簡單不複雜、可以大面積生產、與傳統的記憶體(One-Transitor-One-Capacitor 或 One-Transitor-One-Resistor)相比，減少與電容或電阻的連接，穩定性表現相對地優異，當薄膜電晶體非揮發性記憶體被應用於下一代大面積電子系統中，將會是實現低成本和高功能的消費性電子產品中最有前途，隨著科技的發展，對於薄膜電晶體記憶體的性能及消費的性價比也是越來越受到注目，有鑑於此，本研究利用低成本的溶液法製作氧化鋅錫基通道層及電荷捕捉
層的半導體材料、氧化鋁的高介電常數材料，研究主要分為四個部分。第一部分首先研究對各層薄膜於沉積前，有無進行 UV/Ozone 處理及在元件中有無利用氧化鋁薄膜作為穿隧層，研究UV/Ozone 前處理及薄膜電晶體不同結構對元件電性、穩定性及記憶行為影響進行探討，第二部分與第三部分則分別利用 NH3 氣氛退火處理穿隧層提升電晶體記憶特性及利用含氟基鋅錫氧化物的前驅液製作的電荷捕捉層改善薄膜電晶體記憶性能，最後第四部份透過研究高介電常數的介電層應用於薄膜電晶體非揮發性記憶體，在降低操作電壓的同時，提升薄膜電晶體及薄膜電晶體記憶體元件的電特性。本研究第一部分為研究在各層薄膜於沉積前有無進行 UV/Oz
one 處理及控制在雙層ZTO 通道層層間加入 0 nm、1.6 nm 及 3.2 nm 氧化鋁穿隧層，探討製程與結構對電晶體特性及記憶特性的影響，使用 UV/Ozone 處理的元件有著比較優異的載子遷移率、優異的次臨界擺幅及高開關電流比及更好的耐用性，而隨著穿隧層的加入，載子遷移率下降、次臨界擺幅上升，在遲滯特性上，遲滯窗口隨穿隧層厚度增加而增大，但在記憶編程特性上，並無明顯展現。第二部分則針對氧化鋁穿隧層進行 450°C 及 550°C 氨氣退火處理，並研究氨氣處理對薄膜電晶體元件記憶特性的影響，透過 SEM 觀察到通過氨氣退火的氧化鋁薄膜表面出現了一些顆粒，透過 Al 2p X 光光電子
能譜，發現氧化鋁薄膜進行氨氣退火有金屬鋁及更多的 AlOx 的生成；另外在 O 1s X 光光電子能譜，也能發現隨著進行氨氣退火處理及溫度的提升，氧化鋁薄膜的氧空缺含量均增加；將穿隧層應用於薄膜電晶體元件在遲滯特性及記憶特性，皆發現隨氨氣處理及氨氣處理退火溫度的提高，元件的遲滯窗口及編程能力均提高，這歸功於氧空缺、金屬鋁電荷捕捉因子的提升。此外，4000 rpm 及 8000rpm 的氧化鋁穿隧層 550°C 氨氣退火處理應用於元件，雖然有很好的編程能力，但擦除的能力不佳，且電晶體特性下降，因此，氧化鋁穿隧層進行 450°C 氨氣處理應用於 ZTO薄膜電晶體的元件展示出的性能較優異。 第三部分
研究氟化亞錫金屬化合物製備的前驅液，探討有氟基與無氟基的前驅液製備的薄膜應用於電荷捕捉層的差異，從 Zn 2p3/2、Sn 3d5/2 及 O 1s 的 X 光光電子能譜顯示 ZTO: F 薄膜的 Zn1+為 10%、Sn2+為 29%及氧空缺 34%比例皆大於 ZTO 薄膜的含量（Zn1+為 3%、Sn2+為 18%及氧空缺 20%），顯示出 ZTO: F 薄膜缺陷態比例較多，Alpha step 顯示 ZTO: F 薄膜厚度為 13.8 nm，ZTO 薄膜厚度為 5.4 nm，且應用 SiO2 介電層作為通道層，ZTO TFT 遲滯窗口為 3.6V，而 ZTO: F TFT 有著更大的遲滯
窗口 6.4V，應用於有 450°C 氨氣處理的氧化鋁穿隧層薄膜電晶體元件，遲滯窗口更是高達 8.85 V，而在記憶特性上不僅降低了編程時間至 2 ms，並且提升記憶窗口至 11.5 V。第四部份研究不同溶劑製備氧化鋁作為閘極介電層的應用，並探討氧氣退火處理於氧化鋁對其作為閘極介電層的影響，透過 FT-IR 分析發現利用乙二醇甲醚溶劑製備的氧化鋁前驅液水解縮合 Al2O3(EGME)過程完整性高，X 光光電子能譜顯示 Al2O3(EGME O2@450°C)薄膜在 M-O 鍵結比例最高，且通過 C-V 及 I-V 測試得到 K 值為 6.2，漏電流密度小於 105 A/cm2 及最佳的 SiO
2 等效厚度為 20.8 nm，且應用於 ZTO 薄膜電晶體成功的降低操作電壓，並展示出具有高達載子遷移率 172.66 (cm2V-1s-1) 、臨界電壓為 0.23(V)、次臨界擺幅為 0.38 (V/dec) 以及開關電流比為 105，並且成功的應用於ZTO/Al2O3 (4000rpm NH3@450°C)/ZTO: F/Al2O3 (EGME O2@450°C)元件上，實現了降低操作電壓可編程/擦除，並展示出 0.62 V 的記憶窗口。