走在汽車革命的路上論文書籍站
國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源所指導 陳竑任的 以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體 （2021），提出yun__1026關鍵因素是什麼，來自於二硫化鎢電晶體、第一原理、量子傳輸、接觸電阻。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 陳智、曾俊元所指導 蔡克萊的 對於可穿戴式裝置以及人工智慧應用於數位類比轉換的高效能氧化鉭憶阻器 （2021），提出因為有 可撓式突觸、可穿戴憶阻器、人工神經網絡、環境穩健、人臉識別的重點而找出了 yun__1026的解答。
yun__1026進入發燒排行的影片
近期性騷擾議題非常火熱
就讓芭芳芸吉跟大家聊聊各自的騷擾經歷!
------------------------------------------------------------
芭萘IG : https://www.instagram.com/panay0608/?...
靜芸IG : https://www.instagram.com/yun__1026/?...
------------------------------------------------------------
#雞排妹 #性騷擾 #親身經歷 #真人故事 #MeToo #保護自己 #沉默 #受害者
以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體
為了解決yun__1026 的問題，作者陳竑任 這樣論述：
矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展
示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm
。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。
對於可穿戴式裝置以及人工智慧應用於數位類比轉換的高效能氧化鉭憶阻器
為了解決yun__1026 的問題，作者蔡克萊 這樣論述：
Acknowledgement I摘要 IIAbstract VTable of Contents VIIIList of Figures XIList of Tables XXChapter 1 Introduction 11.1 Background 11.2 Volatile Memory and Nonvolatile Memory 11..3 Motivation of this thesis 31.4 Organization of the thesis 5Chapter 2 Emerging technologi
es for non-volatile memory 72.1 Emerging non-volatile memory 72.1.1 Ferroelectric random access memory 82.1.2 Magnetoresistive random access memory 92.1.3 Phase change memory 102.1.4 Nano random access memory 112.1.5 Resistive random access memory 122.2 Transparent and flexible
resistive random access memory 182.3 RRAM classification based on terminals 252.3.1 Two terminal RRAM 252.3.2 Multi-terminal RRAM 262.4 RRAM for analog and digital switching 272.5 Introduction of Neuron and Synapse 282.5.1 RRAM for analog and digital switching 292.5.2 Requiremen
ts for resistive synapse devices 312.5.3 Overview of reported memristor synapse with LTP and LTD 322.6 Status and Prospects of TaOx-based memristors 342.6.1 Summary 492.7 Applications of artificial synapse 492.7.1 Biocompatible artificial synapse 492.7.1.1 Synaptic devices paving w
ay towards artificial cognitive retina 502.7.1.2 Bionic implant for heart and brain integrated with wearable electronics 542.7.2 Silicon and flexible based artificial synapse for deep neural networks 552.7.2.1 Electroencephalogram (EEG) signal recognition 552.7.2.2 Face classification
562.7.2.3 Character recognition 592.8 Emerging memory technology towards commercialization 60Chapter 3 A fast, highly flexible and transperent TaOx-based environmentally robust memristor for wearable and aerospace application 623.1 Introduction 623.2 Experimental Section 633.3 Resul
t and Discussion 64Chapter 4 Flexible Ta2O5/WO3-based memristor synapse for wearable and Neuromorphic applications 924.1 Introduction 924.2 Device fabrication 934.3 Result and Discussion 94Chapter 5 Effect of TiW barrier layer on TaOx-based flexible conductive bridge low power memrist
or synapse for future flexible applications 1065.1 Introduction 1065.2 Device fabrication 1074.3 Result and Discussion 107Chapter 6 Conclusion of the thesis 1166.1 Conclusion 1166.2 Future work 119Reference 121