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國立虎尾科技大學 材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班 方昭訓所指導 陳坤煌的 調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性 （2020），提出zs 1600電鍍片關鍵因素是什麼，來自於鈷鎳合金薄膜、連導線、電化學原子層沉積、低電位沉積、表面侷限氧化還原置換。
而第二篇論文國立虎尾科技大學 材料科學與綠色能源工程研究所 方昭訓所指導 張凱民的 電鍍法製備銀銅合金薄膜應用於金屬連導線之特性探討 （2013），提出因為有 銀導線、釕、銀銅合金、擴散阻障層、直流濺鍍、電鍍法的重點而找出了 zs 1600電鍍片的解答。
調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性
為了解決zs 1600電鍍片 的問題，作者陳坤煌 這樣論述：
隨著半導體製程的變遷，銅金屬化連導線線寬和橫截面積縮小化，電子散射使電阻率增大，由於其高電子平均自由路徑，造成銅金屬已不足以使用。鈷與鎳金屬皆具有較低的電子平均自由路徑，在新一代連導線製程中具有相當的潛力。因此本實驗以電化學原子層沉積進行製備鈷鎳薄膜，改善縮小化後的溝槽高深寬比導致傳統濺鍍其階梯覆蓋率不足之問題，作為應用於奈米級積體電路連導線製程。本研究以鈷作為基板，以低電位沉積單層鈷原子，再利用表面侷限氧化還原反應以鎳離子置換鈷原子，藉由控制開路電位時間來獲得不同鎳含量之鈷鎳合金薄膜。本實驗著重於不同開路電位時間與調控鎳溶液的pH值探討之電流密度變化及成核機制，從電流密度-時間曲線觀察鈷原
子沉積狀態，由電位-時間曲線觀察到鈷-鎳置換反應之合金薄膜成長狀態，經電流瞬態曲線(j - t1/2)和Cottrell曲線(j - t-1/2)觀察鈷鎳置換反應動力學成核成長趨勢，並藉由場發射式電子顯微鏡觀察表面形貌、X-ray繞射儀進行結構分析、感應耦合電漿質譜儀進行薄膜成分定量分析、四點探針量測片電阻和電性分析。結果得知改變鎳溶液之pH值可有效擴大鈷與鎳之間的電位差，使得鎳的標準電位往正電位偏移，而獲得低含量鎳沉積與低電阻率表現，在表面形貌呈現均勻且緻密之鈷鎳合金薄膜。實驗結果得知，在5 mM CoSO4溶液添加9 mM H3BO3，低電位沉積電位為 -0.9 V，並以0.5 mM Ni
SO4控制pH值於5.6進行置換，開路電位時間為30秒，可得最低電阻率為27.72 -cm之薄膜，此薄膜具有平整均勻的表面形貌，為瞬時成核成長。其製程以電化學原子層沉積，對於線寬縮小化之應用，作為有潛力的半導體鈷連導線製程中。
電鍍法製備銀銅合金薄膜應用於金屬連導線之特性探討
為了解決zs 1600電鍍片 的問題，作者張凱民 這樣論述：
近年來連導線製程深寬比與電阻值日益重要，隨著製程的進步，真空製程轉向濕式製程的研究大幅增加。近年來有許多研究期望以銀連導線取代銅製程，但使用銀為導線材料仍然有極大穩定性及附著性的問題，本研究利用電鍍法製備沉積AgCu合金薄膜，期望達到較好的電阻率及熱穩定性。 第一部分：探討以銀薄膜在Ru (5 nm及10 nm)/Si基板上作為銀接連導線之特性研究。實驗利用直流(DC)磁控濺鍍法製備Ru (5 nm及10 nm)薄膜在p-type Si(100)基板，在不同的電流(1 mA及5 mA)情況下電鍍Ag薄膜，將試片進行在Ar+H2(5%)氣氛中快速退火10分鐘熱處理溫度300˚C到
900˚C，並藉由四點探針(FPP)、表面輪廓移(A-Step)、X光繞射分析儀(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)等分析薄膜特性。結果顯示以pH=9之電鍍液在不同電流(1 mA及5 mA)情況下製備沉積Ag/Ru (10 nm)/Si、Ag/Ru (5 nm)/Si薄膜，失效溫度均為600˚C，只有Ag/Ru (10 nm)/Si在電流5 mA情況下失效溫度為700˚C，其最低電阻率為4.0 μΩ-cm。以pH=10電鍍液在不同電流(1 mA及5 mA)情況下製備沉積Ag/Ru (10 nm)/Si、Ag/Ru (5 nm)/Si薄膜，失效溫度分別為600˚C，只有Ag/Ru (5 nm)
/Si在電流1 mA情況下失效溫度為500˚C，在Ag/Ru (10 nm)/Si在電流5 mA情況下其退火500˚C最低電阻率為2.4 μΩ-cm。 第二部分：探討加入不同重量硝酸銅電鍍法製備沉積Ag97.3Cu2.7、Ag95Cu5、Ag86.5Cu13.5薄膜在Ru(10 nm)/Si基板上之特性研究。實驗利用直流(DC)磁控濺鍍法製備Ru(10 nm)薄膜在p-type Si(100)基板，以pH=10之電鍍液在電流5 mA情況下電鍍AgCu薄膜，將此些試片在Ar+H2(5%)氣氛中進行快速退火10分鐘熱處理溫度400˚C到800˚C，並藉由四點探針(FPP)、表面輪廓移(A-S
tep)、X光繞射分析儀(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、化學分析電子光譜儀(ESCA)、穿透式電子顯微鏡(TEM)等分析薄膜特性。結果顯示Ag97.3Cu2.7、Ag95Cu5、Ag86.5Cu13.5失效溫度分別為700˚C、800˚C、800˚C，最低電阻率分別為3.7 μΩ-cm、5.7 μΩ-cm、11.0 μΩ-cm。最後以電鍍法Ag95Cu5合金薄膜沉積之填洞實驗。