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另外網站氖燈+電阻 - 广州市番禺丰盛电子有限公司也說明：氖燈 +電阻+電線+套管. 產品詳情. 套管： 正常電壓：300伏，600伏 溫度范圍：105℃，125℃。 認証：UL， CSA 等。 材質：□不可收縮：□PVC □硅膠線 其他 可收縮：

輔仁大學 物理學系碩士班 張連璧所指導 陳翰的 光電式麥克森干涉儀之研製 （2013），提出氖燈電阻關鍵因素是什麼，來自於麥克森干涉儀、光敏電晶體、干涉術、相干長度。

而第二篇論文國立清華大學 材料科學工程學系 林鶴南所指導 陳薇宇的 單一金奈米線電阻式感測器光與熱導致分子脫附與電阻下降之研究 （2012），提出因為有 金奈米線、化學脫附、熱脫附的重點而找出了 氖燈電阻的解答。

最後網站氖灯限流电阻器的计算 - 百度文库則補充：氖灯 限流电阻器的计算在一些电气装置中，要使用指示灯和信号灯，其内部大多是15W或8W的白炽灯，但耗电量大。用氖灯代替白炽灯作为指示灯就能克服上述缺点。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了氖燈電阻，大家也想知道這些：

光電式麥克森干涉儀之研製

為了解決氖燈電阻的問題，作者陳翰 這樣論述：

利用市售的光電子及電子元件設計感測、波形轉換及計數電路，成功地完成架構簡單、穩定且具有教學功能的光電式麥克生干涉儀。我們對三種市售的光敏感應元件—光敏電阻 (CdS)、光敏二極體和光敏電晶體—的反應速率做了詳細地測量，由於光敏電晶體的光電流是光敏二極體的500倍以上。因此選擇光電流和反應速度都足以符合實驗要求的光敏電晶體做為光偵測器。以具有吸震減壓的記憶枕材質所製作的轉動桿轉動螺旋測微器可以進一步降低因震動所造成的計數誤差。用自行研製的干涉儀測量氦氖雷射632.8 nm紅光波長、氬離子雷射488 nm藍光波長及自行架設的Nd:YVO4固態雷射1064.3 nm波長，實驗誤差皆小於千分之一，精

準度比一般機械式測量方式足足提高了2~3個數量級。從示波器上的波形變化可以計算出干涉條紋的可見度(visibility)。測量鈉燈589.3 nm的黃光波長需要7 mW以上的黃光功率。目前欠缺有效的聚光方式，有待進一步的努力以完成波長、可見度以及相干長度的測量。

單一金奈米線電阻式感測器光與熱導致分子脫附與電阻下降之研究

為了解決氖燈電阻的問題，作者陳薇宇 這樣論述：

本實驗結合原子力顯微術奈米微影及傳統黃光微影，製作單根金奈米線及鈦電極，成為電阻式單一奈米線感測器，並研究光與熱導致的奈米線表面分子脫附及伴隨的電阻下降。第一部份實驗，使用厚度為7 nm的金奈米線，表面披附十二烷硫醇分子，其飽和電阻上升為18.0%，再將其暴露在254 nm UV燈下，因硫醇分子氧化成烷基磺酸鹽類，並從奈米線表面脫附，使電阻由原本的18.0%降至2.5%，恢復程度約85%。由電阻下降的時間關係分析其脫附動力學，可知光氧化為一級反應，也發現脫附常數隨光強度上升而上升。 第二部份實驗，將奈米線直接加熱，發現其電阻隨溫度上升而下降，且在25至50 °C範圍內，電阻變化

與溫度呈線性關係，此外電阻下降值也隨奈米線厚度減少而增加。在45 °C時，厚度為13 nm的金奈米線電阻變化為−11.5%，12 nm的電阻變化為−12.0%，而9 nm的電阻變化則為−13.0%。經線性擬合後，得到厚度為13 nm的奈米線電阻下降對溫度變化率為0.0058/°C，12 nm為0.0061/°C，9 nm則為0.0066/°C。 若以波長633 nm的17 mW氦氖雷射，在顯微鏡下聚焦至金奈米線上後，電阻由於電漿熱效應而下降，並觀察到厚度為9 nm的金奈米線電阻下降約為0.9%。此變化值遠小於電漿加熱效應，主要是由於基板的散熱使得奈米線溫度無法大幅上升。

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