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淡江大學 化學工程與材料工程學系碩士班 賴偉淇所指導 黃冠誌的 聚乙二醇氣體分離膜之製備與其物性分析 （2020），提出墊 片 10K關鍵因素是什麼，來自於聚乙二醇、2、4-雙(3、4-二甲基苯基)山梨醇、氣體分離。

而第二篇論文中原大學 化學工程研究所 魏大欽所指導 曾靖富的 四氟甲烷/八氟環丁烷混合電漿製備奈米片狀結構之超疏水及疏油薄膜研究 （2018），提出因為有 四氟甲烷、八氟環丁烷、超疏水、微波電漿的重點而找出了 墊 片 10K的解答。

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聚乙二醇氣體分離膜之製備與其物性分析

為了解決墊 片 10K的問題，作者黃冠誌 這樣論述：

本研究以聚乙二醇(PEO)高分子與不同比例之2,4-雙(3,4-二甲基苯基)山梨醇(1,3:2,4-bis(3,4-dimethylbenzyliden) sorbitol, DMDBS)混摻，以溶劑揮發法製備成薄膜，探討分子間作用力、薄膜的結構型態、熱性質、晶體結構、機械性質與氣體分離性能。由FTIR分析可得知PEO與DMDBS會形成分子間氫鍵，隨著DMDBS的添加，分子間氫鍵有增強的趨勢。由結構型態可以發現在本研究中薄膜為緻密無孔洞的結構。由SEM與TEM可發現DMDBS會自組裝形成10~100奈米細纖維，纖維平均直徑與DMDBS添加量形成正比關係。由熱性質可以發現在PEO中加入DMDB

S後，經由TGA測試發現能增加其起始裂解溫度，但對於最大裂解溫度不會有變化。由DSC測試結晶度與融點變化，發現添加DMDBS沒有影響PEO的結晶度與融點。由DMA機械性質分析發現添加越多DMDBS會使儲存模數與損失模數均有提升的趨勢。由XRD晶體結構分析中可以發現添加越多的DMDBS會使PEO的結晶性能變差的趨勢。由氣體分離測試發現隨DMDBS添加CO2滲透率會先上升後下降，N2滲透率則下降，因此CO2/N2的選擇率也有先上升後下降的趨勢。經由Robeson上限值計算可以知道在本研究材料均無超Robeson上限。

四氟甲烷/八氟環丁烷混合電漿製備奈米片狀結構之超疏水及疏油薄膜研究

為了解決墊 片 10K的問題，作者曾靖富 這樣論述：

本研究利用四氟甲烷(CF4)與八氟環丁烷(C4F8)混合氣體電漿進行表面鍍膜，提高基材之疏水及疏油特性，探討電漿改質時間、基材擺放位置、高度、基材種類等參數對基材表面疏水及疏油性質的影響。並利用WCA、SEM、XPS、FTIR等儀器分析表面物理形態與化學組成之變化，搭配電漿放射光譜儀（OES）分析電漿中物種濃度的變化。首先以微波電漿對玻璃基材進行表面改質，發現改質後表面具有粗糙的表面可以使得表面達到超疏水的特性。由FTIR分析中可發現電漿沉積膜有大量之CF2鍵結，因此推斷表面有超疏水現象是由於氟碳官能基的鍵結以及表面粗糙度的形成有關。接著改變原本玻璃基材的水平擺放方式，分別為墊高基材位置及垂

直擺放，結果發現沉積的奈米片狀結構更為密集，使表面更加粗糙也更為疏水，推測是因為新的擺放方式造成流場的變化，質傳邊界層厚度因而變小，增加了CF2自由基的表面濃度。 最後使用不易被含氟電漿蝕刻的銅片基材來進行改質，探討整個圓管式反應器內各個擺放位置的改質特性，結果顯示，成膜的現象大致呈現對稱，放置在中央放電區(discharge region)的銅片因離子轟擊劇烈，成膜速率極慢，且沉積膜以C-C鍵結為主。然而在電漿放電區的上游處及下游處各有一區間的基材上能成長出富含CF2鍵結之奈米片狀結構，使表面具有超疏水及疏油特性，且其位置是對稱於中央放電區。

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