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聖母峰史詩 (探險經典平裝本回歸) ：一部真實還原聖母峰登山史上最壯烈的一次攻堅行動始末

為了解決小黑點的問題，作者SirFrancisYounghusband 這樣論述：

「因為山就在那兒」 喬治‧馬洛里X安德魯‧厄文 不平凡的靈魂，挑戰極限的最無畏勇氣 真實還原聖母峰登山史上最壯烈的一次攻堅行動始末!!   在生命中，知識並非一切。 科學可能滿足了，靈魂卻不。 促成這樁事業的，是人的精神，而非科學。 精神永遠不能安息，除非它完成了自己。 ──法蘭西斯‧楊赫斯本 一九二四年六月八日，英國聖母峰探險隊隊員喬治‧馬洛里和安德魯‧厄文做最後一度嘗試登頂。從英國出發前，有人問馬洛里為何在失敗兩次後還打算登頂，他做了句有名辯辭：「因為山就在那兒」。這兩個人「最後一次被看見的時候，正矯健地往山頂 攀登」，之後他們消失了……。   直到七十五年後，一九九九年五月，馬洛里

凍得像雪花石膏般的屍體，才在聖母峰高聳入雲的斜坡上被尋獲。但他身上沒有照相機，沒有筆記，沒有任何證據可顯示他們倆是否早在紐西蘭籍登山家希拉瑞（Sir Edmund Percival Hillary, 1919-）和雪巴嚮導丹增成功攻頂前三十年，就已登上聖母峰頂，是否創下了世上首次登上世界最高峰的歷史紀錄……。   楊赫斯本這位攀登聖母峰的提倡者和慫恿者，英國皇家地理學會聖母峰委員會首屆主席，在一九二六年代表聖母峰委員會撰述此書，記述下英國在一九二一、一九二二和一九二四試圖登上聖母峰峰頂的嘗試。他以真實的角度審視整個事件的原委，完美書寫出這些登山行動整個過程的真實場景，並不偏不倚為這些英勇的功績

留下紀錄──那個時代，水土適應的極限及持久缺氧的結果，科學上所知甚少，更還沒有衛星電話、全球定位系統、直昇機、保暖雪衣，以及地圖的指引。這些不平凡的靈魂，無疑達成了早期登山探險成就的極致，也證實了人類挑戰挑戰極限的無畏勇氣。

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臺灣稻米國家標準修訂與產業競爭力之研究

為了解決小黑點的問題，作者沈聖峰 這樣論述：

我國每年應進口稻米關稅配額數量為144,720公噸等量糙米，其中94,068公噸由政府進口，50,652公噸由民間部門進口。政府進口米分為一般採購及買賣同時銷售，一般採購之進口米由行政院農業委員會農糧署依稻米相關國家標準（如：CNS 2424糙米或CNS 2425白米）及「政府進口米到貨公證檢驗規範」檢驗是否符合契約規定，品質規格項目不符合是履約爭議常出現項目之一。爾來，我國稻米外銷數量逐年增加，出口稻米亦會面臨品質規格項目不符合國外標準而造成履約爭議。為使我國稻米相關國家標準與國際接軌，以減少進出口稻米所造成之爭議，朝向將稻米相關標準修訂成進口與出口皆可使用之標準，並可符合國內稻米產業現況

及保護生產者與消費者之權益，以達稻米相關國家標準標準之市場化及前瞻化之目的。本研究分析我國稻米產業檢驗概況，並研析國際通用之稻米標準及美國、日本、中國所訂定之稻米標準，自稻米分類、適用範圍、品質規格項目進行比較，再由美國進口米之履約爭議案件探討，進而提出未來我國稻米國家標準之修訂建議。本研究結果顯示現行稻米相關標準與國際稻米標準並無完全接軌，經比較分析可得知我國現行稻米標準缺乏稻米加工精度、不同形式碎粒之定義，國際上稻米被害粒皆不包括熱損害粒，且以單獨列計。從我國公糧糙米及白米進行品質規格分析，其各項平均值皆可達到2等米之標準，建議未來修訂標準可從標準修訂面、稻米產業面、檢驗執行面、檢驗創新面

、標準思考面、標準持續性等角度修訂稻米標準，並將被害粒定義移除熱損害粒，改為單獨列計，並且同步調降各等級之最大限度，以CNS 2等米為基準，出口我國稻米不受阻礙為目標。

零基礎素描入門教程

為了解決小黑點的問題，作者飛樂鳥 這樣論述：

～資深繪畫教師的零失敗入門教程，零基礎即刻抓住素描訣竅～ 27堂技法課✕15幅臨摹教材✕41個問題點 快速掌握方體、球體、柱體，搭配實戰訓練，畫技提升超有感！   　　正式學習繪畫之前，素描可以說是繞不開的基礎功。 　　初次學畫者，可能誤以為素描是只有黑白兩種顏色的繪畫方式。 　　但更精準地說，素描是一種以「線條」表現物體「明暗」、概括「形象」的單色畫。   　　本書作者飛樂鳥，擁有十餘年繪畫教學的經驗。 　　透過本書，揭開學習素描的七項應掌握的基本技法， 　　分別為「線條」、「觀察」、「起形」、「透視」、「光源」、「質感」、「構圖」。 　　通過立方體、球體、圓柱體等實物解說與練習，幫助初

學者零失敗融會技法。   　　怎麼畫出流暢的線條？找不準形體和比例怎麼辦？光是起形就需要花一兩個小時……   　　初次學習素描的新手總是遇到各種煩惱，網路教學無法解決自己的疑惑、坊間書籍的專業術語太深奧難懂、影片課程看似輕鬆卻缺乏紮實的訓練計畫……   　　請各位不必擔心，這本入門教程正是為了零經驗的讀者量身打造，一一破解新手入門的100個問題點，自學素描是真的有可能！   　　．我想學畫漫畫，有需要學習素描嗎？ 　　素描是一切造型之本，對於掌握漫畫的起形、線條、比例結構都有很大的幫助。素描可以說是學畫之路的必修課，建議不要繞過這個環節。   　　．我沒有半點繪畫基礎，可以自學素描嗎？ 　　當

然可以，請隨著本書每天堅持畫一小時，多練習，就能找到素描的訣竅，讓你從完全不會的小白成為素描高手。推薦你分四個階段學習。   　　第一階段：練習書中講解的19種線條畫法，直到畫得和書上一樣好再進行下一階段。 　　第二階段：學會觀察對比，了解透視和結構，掌握明暗和光影，學習不同物體的質感和構圖。 　　第三階段：從簡單幾何圖形開始，舉一反三進行單個物體的練習。 　　第四階段：畫更多組合物品。   　　本書從開始素描之前的【基礎知識】起步，講解素描工具、繪畫姿勢。 　　 　　接著進入【基本技法】，由簡而難傳授零失敗技巧，一次解決「比例難掌控」、「起形不精準」與「畫不出立體感」三大學習障礙。   　　

其次透過幾何練習，找到繪畫的規律，通透「蔬果」、「容器」、「食品」、「書本」、「人物」五大素描主題。   　　每個繪畫達人起初都是從零經驗入門習畫，通過本書，你會發現繪畫其實很簡單。 　　拿起畫筆，從一張白紙開始持續練習，你也可以實現從新手躍升達人的蛻變！   本書特色   　　◎27堂技法課，通過「立方體」、「球體」、「圓柱體」學習靜物素描，搭配15幅範例臨摹，從學理知識到實戰演練，一站式入門教程。 　　◎每章附有「訣竅匯總」，幫助初學者快速瀏覽本章要點，提供超實用的技巧大補帖！ 　　◎附錄彙整41個初學者常見的問題點，逐一突破關卡，大幅提升繪畫基礎。

砷化鎵晶圓雷射切割參數最佳化之研究

為了解決小黑點的問題，作者王睿騰 這樣論述：

砷化鎵(GaAs)為Ga與As元素合成之化合物，較一般半導體常用的矽(Si)基材，有更優越的電子傳輸特性，且GaAs比Si更不會受到自然輻射干擾，故雜訊較少，此外、GaAs的崩潰電壓較高，故GaAs晶片電路廣用於手機、衛星通訊、雷達。 本研究應用雷射切割系統(IR Dicing Laser system)，切割GaAs晶圓(直徑6 吋)。應用田口實驗設計法，L9直交表，變異數分析，獲得影響雷射切割之重要因子，及雷射切割參數最佳化。選定具代表性的三個重要切割參數，包括：雷射功率(7, 8, and 9 W)、焦距深度(–15, –30, and –45 µm)、工件平台移動速度(

即切割速度0.16, 0.17, and 0.18 m/s)，每個參數有小、中、大三個水準，計算訊號雜訊比，每組配置，重覆實驗三次，驗證實驗設計的正確性。該晶圓厚度75 µm，黏貼於藍膜膠帶 (blue tape, 厚度90 µm)，採U形切割路徑，切割街道寬度40 µm。研究顯示，使用較高的雷射切割功率，因能量過高，切削痕跡寬且深，易造成熱影響及產生corner chipping的現象。使用較大的焦距深度，易導致雷射切口過大，傷害晶粒，但焦距太淺，形成切割深度不足，亦屬於不良狀況。平台移動速度太快，可能導致產品未切穿狀況。工件平台移動速度太慢，聚集過高的能量，產生過大的熱效應，形成雷射噴濺痕

跡(俗稱小黑點)，致使良率降低。 研究顯示，田口實驗L9直交表，晶圓切割良率為85.8% (標準差2.987, for No.8) ~95.2%（標準差0.608, for No.2）。經最佳化分析，得最佳雷射切割參數 (Power = 7 W, Focus = –15, Speed = 0.17 m/s)，經實驗驗證，顯示晶圓切割良率提高到95.8% (標準差0.305）。單獨個別晶粒(separate dies)，經隨機抗壓強度檢測，顯示晶圓切割良率，正比於單顆晶粒抗壓強度。研究顯示，單顆晶粒抗壓強度226.69 N/mm2（標準差16.052, for No.2）~331.93 N

/mm2 （標準差14.434, for 最佳切割參數）。 經變異數分析顯示，雷射功率為影響晶圓切割良率的重要因子。因此、固定焦距深度(Focus = –15 µm)及切割速度(Speed = 0.17 m/s)，改變雷射功率，期望進一步提升晶圓切割良率。