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微米奈米大小的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦JoshuaZ.RappoportPhD.寫的 細胞：影響我們的健康、意識以及未來的微觀世界內幕 和菊地正典的 半導體工廠：設備、材料、製程及提升產業復興的處方籤都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自商周出版 和世茂所出版 。
國立雲林科技大學 機械工程系 張元震所指導 黃彬勝的 結合Breath Figure 週期性液滴透鏡之奈米雷射直寫加工技術 （2021），提出微米奈米大小關鍵因素是什麼，來自於浸塗法、Breath Figure、甘油、液體透鏡、奈米結構。
而第二篇論文國立高雄科技大學 化學工程與材料工程系 蔡政賢、賴怡潔所指導 曾安裕的 微波常壓電漿火炬低溫轉化三水鋁石為氧化鋁之研究 （2021），提出因為有 微波、電漿、三水鋁石、氧化鋁的重點而找出了 微米奈米大小的解答。
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細胞：影響我們的健康、意識以及未來的微觀世界內幕
為了解決微米奈米大小 的問題，作者JoshuaZ.RappoportPhD. 這樣論述：
一本從頭開始解說細胞是什麼，卻不是教科書的科普讀物！ 細胞，生命體的基本結構單位，但你真的瞭解它嗎? 你知道人類是如何發現細胞構造的嗎？跟顯微鏡的發展有什麼關聯？ 細胞的結構是什麼？它在人體內如何運作？ 更重要的是── DNA、RNA的轉譯、轉錄如何影響你； 人工改造基因體技術CRISPR是什麼？操控基因體可能嗎？ 還有，攸關你我未來的個人化醫學與再生醫學的發展與可能難題有哪些…… 細胞是生命的基本單位，單細胞生物無所不在，包括我們身體的表面。人體是由特定細胞類型，排列成特定結構、並且彼此相互聯繫的不同自給自足的器官。我們的細胞可以被分離，並且在培養皿中生長。一個功能不正
常的細胞可以是癌症形成的原因。細胞療法、幹細胞的潛能，以及許多現代的個人化和再生醫學，歸根究柢都是受惠於對細胞在分析、理解和操作上新方法的運用。沒有先瞭解細胞和細胞生物學，便無法理解現代生物醫學的研究和臨床實作。因此，本書將細胞視為人類健康和疾病的核心焦點，人體的內部運作以及現代醫學的主要治療目標。 《細胞》作者書寫與細胞相關的大部分知識，從DNA雙螺旋、孟德爾的遺傳學說到基因體的破解與操作、最新的人工改造基因體技術CRISPR，從細胞、器官到系統，以及將生物科技運用在現實生活上，甚至還介紹了觀察細胞的光學顯微術發展和最新技術。本書文字淺顯易懂又不拖泥帶水，讀來有趣且沒有門檻。
結合Breath Figure 週期性液滴透鏡之奈米雷射直寫加工技術
為了解決微米奈米大小 的問題，作者黃彬勝 這樣論述：
本研究為利用液滴透鏡輔助奈秒雷射於矽基板上加工奈米結構。開發的技術重點是利用Breath Figure法生成的高分子薄膜微孔模板，並在此模板上浸潤甘油來形成微米尺度之液態透鏡陣列，做為雷射二次聚焦之透鏡，再結合雷射熔融基板材料形成微奈米結構的製造技術。 在Breath Figure製作上，將Polystyrene、Polymethylmethacrylate與甲苯混合成高分子溶液，透過甲苯高揮發特性以帶走基板表面熱能，使環境中水分子冷凝於基板表面，待溶液蒸發完畢形成高分子微孔薄膜。本論文使用Dip Coating方式測試兩種拉升速度，900 mm/min與400 mm/min，以製作所需
之微孔薄膜。其所形成之微孔孔徑在拉升速度900 mm/min時介於 1.2 μm 至 3.8 μm之間，400 mm/min則是介於1 μm 至3.6 μm之間，而孔洞剖面為橢圓狀，在拉升速度900與400 mm/min膜厚分別為1.5、1.2 μm。 接著於微孔孔洞內浸潤甘油形成甘油透鏡，將雷射光經由甘油透鏡二次聚焦達到熔融矽基板。在本研究中探討不同雷射功率與不同掃描間距對於所加工出結構之影響。其結果顯示在雷射以掃描間距20 μm、正離焦4.8 mm、雷射功率密度介於1.63×107~1.74×107 W/cm2能加工出矽微奈米結構，經由量測得知微峰結構直徑介於1.1~1.4 μm之間。在
拉升速度400 mm/min所加工出來的結構高度介於20~160 nm，而在拉升速度900 mm/min結構高度介於20~130 nm。
半導體工廠：設備、材料、製程及提升產業復興的處方籤
為了解決微米奈米大小 的問題，作者菊地正典 這樣論述：
半導體本身為高科技產品，因此製造半導體的工廠，集高科技、高know-how、高系統化為一身，是世界上最優秀的製造工廠。對於各製造產業來說，不僅是電子製造業的仿效模範，對於其他產業，也必須向半導體工廠學習。 著名的香港經濟學家張五常曾說過，做工廠是很難的，能夠做廠而賺錢的人非常厲害。 日本半導體界教父——菊地正典，集合40年業界心血結晶，介紹所有半導體工廠相關細節。從設廠開始，水電來源，各廠房的機台設備，製程詳解，幕後製程，人員需求及證照規定，甚至提醒廠方與當地政府溝通，維持官商良好關係，到委託廢棄物處理業者違法問題等。除了半導體電子相關業界，也是各產業不能
不讀的一本指南。 本書並由國立交通大學電子物理系教授 趙天生老師審定。 半導體工廠鳥瞰圖 晶圓的純度為99.999999999% 氮氣供給設備，由空氣中補給 佈線技術源自金屬鑲嵌工藝 冗餘電路保險措施的導入 切割為頭髮十分之一的精密裝置 最重要的成本在於相關稅制而非人事 垂直式爐成為主流的原因 超純水使用量高達數千噸 停電對策與靜電對策 半導體工廠的氫爆事件 無塵室結構與使用 國際半導體廠的戰略 爾必達，日本半導體凋落的原因
微波常壓電漿火炬低溫轉化三水鋁石為氧化鋁之研究
為了解決微米奈米大小 的問題，作者曾安裕 這樣論述：
α-Al2O3具備高硬度、絕緣性佳及高溫熱穩定性，因此被廣泛應用於各領域當中。傳統製備α-Al2O3的方法大多需要較高的反應溫度且較長的反應時間，缺乏簡單有效的方法。本研究因此以以三水鋁石(Gibbsite, α-Al(OH)3)作為反應物，利用常壓微波電漿(Atmospheric-pressure Microwave Plasma)火炬煅燒製成α-Al2O3。氣體分子或游離的粒子間產生磨擦，電漿內的熱傳速率增加，溫度於短時間上升，使鋁化合物產生前驅體，再聚集排列成氧化鋁，相較傳統製備方法，有反應速度、低溫且轉化率較佳等優點。常壓微波電漿依不同反應溫度(700~850 ℃)、電漿功率(900
~1300 W)、進流氣體種類(N2, O2, Ar)、進流氣體總流量(12~14 slm)、反應時間(1~5 min)等實驗參數，產生電漿火炬煅燒三水鋁石轉化成氧化鋁，再以X光繞射分析儀、電子顯微鏡及比表面積分析儀進行分析。結果顯示：電漿系統通入中心氣體 4 slm 氮氣與旋進氣體 8 slm 氬氣，輸出功率 1300 W，調控反應溫度於 850 ℃ 恆溫煅燒 1min，即可將三水鋁石轉化成高純度的 α-Al2O3。管狀高溫爐於氮氣環境下，以升溫速率 10 ℃/min 加熱至反應溫度 1150 ℃ 煅燒三水鋁石120 min可轉化成 α-Al2O3。相較於傳統煅燒法需將溫度提高至1150 ℃
恆溫煅燒120 min才能製得成 α-Al2O3，電漿煅燒三水鋁石僅需以850 ℃ 恆溫煅燒 1min即可轉化成高純度的α-Al2O3。電漿煅燒法所需的煅燒溫度及反應時間低相當多，為效率極高之方法。