晶粒的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

DEFORM-3D塑性成形CAE應用教程（第2版）

為了解決晶粒的問題，作者胡建軍李小平 這樣論述：

本書共分為3篇：第1篇為理論基礎，介紹DEFORM-3D分析的基本流程，增加DEFORM-3D軟體分析中缺陷的判斷以及如何提高類比的精度等內容，為後面的案例教程打下基礎；第2篇為基本成形，介紹基本的塑性過程分析技巧，包括基本成形的步驟，對稱類比的設置，熱傳導的分析，成形和熱傳導的耦合，多工序類比的設置等，設備庫的應用意義，停止條件的設置，模具受力的分析等。第3篇為提高部分，介紹各種特殊塑性成形工藝的分析實現，包括軋製成形、輥鍛成形分析、擺碾成形分析、旋壓成形分析、斷裂分析、模具磨損分析、晶粒度分析。 胡建軍，重慶理工大學材料學院教授，長期從事零件表面工程新技術，模具CAD/

CAM，塑形成形工藝數值模擬方面的教學和科研工作，擔任重慶市模具技術重點實驗室副主任，先後負責和參與國家自然科學基金、國家科技職稱計畫、國家科技攻關項目、國際合作項目、重慶市自然科學基金、重慶市科技攻關及企業委託等專案20余項，發表核心論文多篇。   李小平，重慶理工大學材料學院副教授, 高級工程師，碩士生導師。重慶市職業技能鑒定專家委員會成員. 發表論文10餘篇，授權專利18件，其中專利轉化3件；編寫著作或教材3部。 第一篇理論基礎 １ 第１章 塑性成形CAE技術 ３ 第２章塑性成形過程數值模擬 ９ 第３章塑性模擬缺陷預測 １８ 第二篇基本成形 ３１ 第４章鍛壓模擬基本

過程 ３３ 第５章方形環鐓粗分析 ５７ 第６章道釘成形分析 ６９ 第７章齒輪托架成形分析 ９６ 第８章模具應力分析 １２６ 第三篇成形工藝分析實例 １４３ 第９章Wizard的使用 １４５ 第１０章軋製分析 １５９ 第１１章輥鍛成形分析 １８３ 第１２章楔橫軋分析 １９３ 第１３章擺輾成形分析 ２０５ 第１４章旋壓成形分析 ２１５ 第１５章斷裂分析 ２２８ 第１６章模具磨損分析 ２３８ 第１７章熱處理 ２５２ 第１８章晶粒度分析 ２６８ 附錄 ２８５ 參考文獻 ２８６

晶粒進入發燒排行的影片

利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源

為了解決晶粒的問題，作者吳德懷 這樣論述：

LED是發光二極體(Light Emitting Diode)的簡稱。由於LED燈具有節能、無汞等特性，在照明市場之需求日益增加，LED在許多領域已經取代了傳統光源(白熾燈、螢光燈等)。LED燈之高效率白光照明主要是由LED晶粒中氮化鎵(GaN)半導體所產生。隨著LED市場的擴大，未來將產生大量的LED廢棄物。因此，回收廢棄LED中所含的鎵金屬資源對於資源的可持續利用和環境保護都具有重要意義。本研究以廢棄LED燈珠為對象，利用焙燒與酸浸法從其LED晶粒中回收鎵金屬資源，主要包括三個部分：化學組成分析、氟化鈉焙燒處理與酸溶浸漬等。探討各項實驗因子包括焙燒溫度、焙燒時間、礦鹼比、酸浸漬種類及濃度

、浸漬時間、及浸漬固液比等，對於鎵金屬浸漬率之影響，並與各文獻方法所得到的鎵金屬浸漬效果進行比較。研究結果顯示，LED晶粒中含有鎵5.21 wt.%，氟化鈉焙燒暨酸溶浸漬之最佳條件為焙燒溫度900 ℃、焙燒時間3hr、礦鹼比1:6.95、鹽酸浸漬濃度0.5 M、浸漬溫度25 ℃、浸漬時間10mins、固液比2.86 g/L，鎵金屬浸漬率為98.4%。與各文獻方法相比較，本方法可於相對低溫且常壓下獲得較高之鎵金屬浸漬效果。

工程材料科學(第三版)

為了解決晶粒的問題，作者洪敏雄,王木琴,許志雄,蔡明雄,呂英治,方冠榮,盧陽明 這樣論述：

　　本書的作者都是目前在各大學任教的老師，我們依個人的專長，分別負責相關章節的撰寫，因此可以對材料科學基本的理論與應用作最適當的詮釋，適合大一、大二同學作為材料入門的教科書，而對工程材料有興趣的在職工程師們也可以作為自修參考之用。 　　本書的內容與一般材料科學概論最大的不同與特色，是本書的規劃與撰寫係針對台灣的讀者之需求，尤其與台灣近年來高科技產業發展與材料人才的專長需要相呼應，對電子、光電及奈米科技發展所需的材料知識都有深入淺出的介紹。 　　本書內容涵蓋的範圍很廣，從最基本的材料中原子鍵結與晶體構造與缺陷談起，逐步擴展到相圖，相變化現象的介紹，再談到材料的變形與破壞、

材料的強化、加工與應用，目的在為讀者打下材料科學深厚的基礎。而在工程材料上，對鋼鐵材料的冶煉，輕金屬的加工製造、陶瓷與高分子材料之特性，都作了詳細的介紹，尤其對熱門的光電、電子、奈米科技等更加入了作者的研究心得與工作經驗。 　　材料科學目前全世界都很熱門，台灣材料人才更是不足，我們希望本書對培養高科技材料人才有所助益，對產業技術的升級，貢獻綿薄之力。 本書特色 　　1.本書的規劃與撰寫係針對台灣的讀者之需求，尤其與台灣近年來高科技產業發展與材料人才的專長需要相呼應，對金屬、陶瓷、高分子、電子、光電及奈米科技發展所需的材料知識都有深入淺出的介紹。 　　2.本書內容涵蓋的範圍很廣，從最基本

的材料中原子鍵結與晶體構造與缺陷談起，逐步擴展到相圖、相變化現象的介紹，再談到材料的變形與破壞、材料的強化、加工與應用，目的在為讀者打下材料科學深厚的基礎。 　　3.工程材料上，對鋼鐵材料的冶煉，輕金屬的加工製造、陶瓷與高分子材料之特性，都作了詳細的介紹，尤其對熱門的電子、光電、奈米科技等更加入了作者的研究心得與工作經驗。 　　4.本書對材料科學基本的理論與應用作了最適當的詮釋，對工程材料有興趣的在職工程師們也可以作為自修參考之用。  

具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析

為了解決晶粒的問題，作者葉宇婕 這樣論述：

本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截

止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。