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以電漿結合觸媒破壞去除NF3之初步研究

為了解決氧氣鋼瓶填充台北的問題,作者李曼君 這樣論述:

全氟化物因為具有穩定、安全、不自燃、低毒性以及常溫下不易起化學反應等優點,自從1930年代發明以來,被廣泛應用於工業生產,尤其是半導體製程。但是全氟化物中的氟原子與碳、氮、硫之間的分子鍵有很強的紅外光吸收能力,會造成溫室效應的日益嚴重。因此,如何有效控制溫室效應氣體的排放以減緩地球暖化趨勢,已成為世界各國之科學家努力研究的目標。以半導體業來說,他們面對PFCs的排放控制有幾個策略,包括採用替代的化學物、回收再利用以及破壞削減等方法。而相較於替代化學物之開發不易,回收再利用的高成本,破壞削減是現階段比較可行的方向。而破壞削減的方式有燃燒破壞、觸媒熱裂解以及電漿破壞。本研究選擇具有高溫(中心溫度

可達3,000℃以上)且低耗能(相對於燃燒法)等特點的電漿技術,再結合有降低活化能特質的觸媒技術,期能獲得高效能且省能源的解決途徑。研究結果顯示在300 ℃下,Ni觸媒以及Pd觸媒分別在氧氣添加量為9.5%以及不加氧氣的條件下,對於轉化NF3都有良好的轉化率,如併用電漿,效果可再提升20 %以上;除此之外,加上電漿可以減緩觸媒經過時間轉化率下降的趨勢。能量效率方面,在此粗略估計實際應用在反應器的能量若能佔整個系統能量的18 %以上,電漿結合觸媒就會比單純使用觸媒具有競爭力。產物方面,無論是電漿破壞或者是觸媒轉化,主要產物皆為NO、NO2以及N2O,對照最終產物以及反應速率常數,大致推測NF3的

氧化途徑,但是因為氟化物監測上的困難,所以不甚完整,仍待後續研究深入探討。