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半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)

為了解決矽統聯電關係的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：

　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。   　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh

y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考   本書特色   　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。   　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。   　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學

校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。

矽統聯電關係進入發燒排行的影片

半導體晶圓代工廠商與封測廠商競合關係之探討─以台積電與日月光為例

為了解決矽統聯電關係的問題，作者李雯琪 這樣論述：

半導體產業為因應終端產品的發展趨勢不斷提升技術能力，隨著摩爾定律逐漸趨緩，晶圓製程持續微縮的困難度日漸升高，因此產業界轉往發展向上堆疊與異質整合等先進封裝技術以延續摩爾定律，先進封裝技術因此被提升到與晶圓製程微縮技術同等重要的位置，更被視為半導體產業未來發展的關鍵，許多半導體業者包括晶圓代工廠、IDM整合元件廠等皆競相加入發展先進封裝，但是隨著晶圓代工廠跨入下游發展先進封裝，雙方一別以往傳統的上下游合作關係，進而演變為了新的競合關係。然而在過往半導體產業的相關競合研究中，大多專注在競爭對手之間的競合關係，而今日半導體晶圓代工廠商與封測廠商所形成的競合關係卻是由合作關係下衍生出之競合。此外，過

往競合文獻的研究亦大多著重在對於競合關係中參與企業間互動上的探究，而對於單一企業於目標與策略上的轉變及隨之採取的具體作為，可能會如何影響競合關係的形成甚至在日後關係中的競爭力，並沒有太多深入的研究，故為了彌補上述研究缺口，本研究以競合理論的角度出發，選擇晶圓代工與封測龍頭作為深入研究之個案對象，並透過質性研究的深度訪談和次級資料分析的方式，來探討雙方的競合關係成因、發展歷程以及產生的影響，本研究最後所得到的主要結論如下：一、半導體晶圓代工廠商與封測廠商會為了實現共同的企業目標而進入合作關係，惟企業目標會隨時間而有動態變化，導致企業產生競爭行為而進入競合關係，其中雙方的合作關係發生在產業鏈上的分

工，競爭關係則發生在下游的新技術市場中。二、半導體晶圓代工廠商與封測廠商的合作過程中，晶圓代工廠會因受到來自技術瓶頸、客戶需求以及品質控管的競爭壓力而產生競爭行為，並且會藉由提前掌握關鍵技術來增加其跨入競爭關係後的競爭力。惟雙方的技術資源特性會分別影響其各自在競合關係中的優勢。三、半導體晶圓代工廠商與封測廠商的競合關係會造成產業分工界線的模糊，惟對於新技術發展與企業營收方面，也會形成正面的影響。本論文最後也進一步闡述本研究的學術貢獻，並提出對實務上與後續研究上的建議。

職業安全衛生管理甲乙級技術士計算題攻略[技術士/專技高考][多張技師/技術士證照名師群聯手編寫]

為了解決矽統聯電關係的問題，作者蘇信呈,何健聖,吳孟偉 這樣論述：

　　◎擁有多張技師／技術士證照，陣容最強大的名師群聯手編寫  　　◎精選145題重要題型強化解題觀念，不用死記也能拿高分    　　工作者，可預見的是國內愈來愈重視職業意識日益抬頭，職業安全衛生人員的市場需求越來越多，可由技術士的報名考試中窺知一二。    　　一個國家的進步在於專業人才多寡，專業的職業安全衛生人員更是事業單位預防職業災害的尖兵。目前國內職業安全衛生人員的養成途徑不外乎有兩條途徑，一為藉由專業紮實培養的技職教育；一為非職安科系人員藉由參加訓練班取的報考資格，培養第二專才。但相同的是要通過技術士考試方可取得證照、從事職業安全衛生相關工作。所有職業安全衛生人員不僅需要有專業素養

，更要面臨日新月異的作業型態，從業者要有更多心力學習更多新的知識創造更安全的工作環境。    　　在職業安全衛生技術士考試中，考生最難的是計算題部分不知如何解題？計算題往往成功與否的關鍵。坊間尚無針對於技術士考試計算題著墨，有鑒於此，筆者特邀請二位擁有多張技師／技術士證照的蘇信呈、何健聖技師一同編寫，將歷年的技術士術科計算題題型做分類處理，並改編其部分內容，提示計算技巧，強化解題觀念，使考生較易於準備。    　　考生在閱覽本書前，可先翻閱目次，大致了解各章所提到的考題類型，再開始進行重要考點的準備，以及計算技巧×觀念強化的學習。在各章末則有實力演練，便於考生評量自我是否學習透澈。    　　

計算題常常是考生的痛，但是它的占比卻十分重要。其實職安的技術士術科的計算題題型變化不大，考生應該好好把握這些分數才容易上榜，準備計算題最重要的是熟悉公式、勤加練習、切記勿用看的而是實際算算看，如此才能達到效果。最後要重申筆者才疏學淺，單憑一股熱忱，仍有疏漏之處，萬祈諸先進不吝指正是幸。 

PEDOT:PSS/n-Si太陽能電池之PEDOT:PSS薄膜優化研究

為了解決矽統聯電關係的問題，作者沈承毅 這樣論述：

　　異質接面PEDOT:PSS/n-Si太陽能電池具有製程溫度低與簡便的優勢，在能源缺乏下更顯得重要，然而PEDOT:PSS薄膜的均質性會間接影響電池的特性。本研究探討PEDOT:PSS塗佈品質對PEDOT:PSS/n-Si太陽能電池的影響。n-Si晶片，首先以HF蝕刻原生氧化層，並進行UV-Ozone表面處理後，再將PEDOT:PSS以旋轉塗佈方式在n-Si表面成膜。研究的內容著重在PEDOT:PSS塗佈的優化，調變的參數包括(1)塗佈溶液:PEDOT:PSS/DMSO混合液、DMSO與PEDOT:PSS原液(2)後處理參數:甲醇/DMSO、DI water/DMSO、DI water/甲

醇，最後將不同製程參數塗佈的PEDOT:PSS薄膜進行光學與電性分析，並製作成正向型PEDOT:PSS/n-Si太陽能電池來探討PEDOT:PSS品質對電池特性的影響。　　研究結果發現，經過HF蝕刻過後的n-Si再經過UV-Ozone前處理，可提高PEDOT:PSS薄膜均勻性，以光激發光PL影像分析發現，將100%DMSO試劑與PEDOT:PSS分開塗佈所製作的薄膜，薄膜均質性比較好，具良好的鈍化特性，但由於表層的PEDOT:PSS未經摻雜片電阻過高，並不適合當作電洞傳輸層。在摻雜DMSO之PEDOT:PSS混合液塗佈部份，經甲醇/DMSO後處理的薄膜，在電性部份有較佳的穩定性，最後在PEDO

T:PSS的旋塗部份，基板先旋再滴塗佈液優於傳統的先滴再旋，PEDOT:PSS薄膜的再現性較佳。將PEDOT:PSS製作成正向型PEDOT:PSS/n-Si太陽能電池，結果顯示太陽能電池的填充因子與PEDOT:PSS導電性有關，導電性佳，串聯電阻下降，填充因子提高。