矽統轉型的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

矽統轉型的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦MarianSalzman寫的 下一個現在:《富比士》推崇的頂尖趨勢專家,時隔20年最受重視的全球預測大揭密。 和RitaGuntherMcGrath的 策略轉折點競爭優勢:建立弱訊號敏感度,掌握策略自由度,突破產業框架,搶先在新的競技場創造成長都 可以從中找到所需的評價。

另外網站聯發科合作Nvidia 攻車用晶片!聯發科做什麼?主要產品與 ...也說明:聯發科表示,透過這次合作,將開發整合輝達繪圖處理器(GPU)小晶片(chiplet)的汽車系統單晶片,搭載輝達人工智慧(AI)和繪圖運算矽智財(IP)。該小晶片支援互連 ...

這兩本書分別來自大是文化 和天下雜誌所出版 。

國立臺北科技大學 智慧財產權研究所 陳志遠所指導 陳貞瑋的 探討氫能經濟之展望:以儲氫技術之專利分析為核心 (2021),提出矽統轉型關鍵因素是什麼,來自於儲氫技術、專利分析、關鍵專利、專利價值、專利引證網絡、知識流向分析、技術分析。

而第二篇論文國立暨南國際大學 應用材料及光電工程學系 詹立行所指導 陳子桓的 多功能性的咪唑離子液體作為添加劑以及介面修飾對於反式鈣鈦礦太陽能電池元件效率之改善 (2021),提出因為有 反式鈣鈦礦太陽能電池、添加劑、離子液體、1-乙基-3-甲基溴化咪唑、1-乙基-3-甲基硫氰酸根咪唑、1-乙基-3-甲基咪唑 4,5二氰基咪唑的重點而找出了 矽統轉型的解答。

最後網站IC設計廠矽統(2363)創21年新高1個月來漲幅近100%則補充:矽統 自2011年開始逐漸退出PC晶片組業務而轉型至消費性產品,並選定投射式電容觸控晶片、內嵌式(Incell)等觸控晶片為未來之發展主軸,可支援市場上多種 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了矽統轉型,大家也想知道這些:

下一個現在:《富比士》推崇的頂尖趨勢專家,時隔20年最受重視的全球預測大揭密。

為了解決矽統轉型的問題,作者MarianSalzman 這樣論述:

  繼1982年美國作家約翰.奈思比的《大趨勢》、   2002年彼得 .杜拉克的《下一個社會》之後,   時隔20年最受重視的全球前瞻預測。   世界,會變成什麼模樣?   媒體追著印度神童,但,大企業悄悄的相信她。       ◎某種形式的加密貨幣,即將取代美元,成為全球儲備貨幣。   ◎下一個需要解決的生態問題,是水資源短缺,各國恐將為此開戰。   ◎身分認同不存在,性別不再固定,你可以忽男忽女自由搭配,隨時調整。   ◎每週工作4天、每天工作6小時已經發生,「辦公室」正在消失中。   ◎「無聊有它的作用」、「無所事事很甜美」,將取代「效率」兩字。   以上是《富

比士》推崇的頂尖趨勢專家,   對商業、政治、文化和你我日常的未來大揭密。   作者瑪麗安.薩爾茲曼(Marian Salzman)畢業於布朗大學,   1992年創立了全球第一家在線市場研究公司,   每年發布的年度趨勢預測報告,皆吸引全球媒體的關注,包括《富比士》。       她在10年前,就預測網紅興起、隱私喪失、花美男將成為趨勢,   2019年還聳動的告訴大家,人們要天天戴口罩。   (但作者承認,她本來認為主因會是空氣汙染,萬萬沒想到是新冠病毒。)   身為趨勢觀察家,薩爾茲曼最常被人問起,了解未來有啥好處?   她說,洞察趨勢可以讓你先嗅出消費習慣變動而產生的商機,   比

別人更早一步做出精明決定。   在她最新出爐的預測報告裡,還有哪些你一定要知道的商機和危機?   ‧跟影集《黑鏡》一樣,每個人都會被植入晶片:   科技公司與政府衛生當局,將合作創立「傳染病預警系統」,   利用你身上的晶片檢查血氧濃度和發炎指標,標記出潛在的感染源。   但此舉也引發人們對於隱私的疑慮。   ‧重返可回收、環保的木材時代:   歷經石器時代、鐵器時代、青銅時代和塑膠時代,   未來生活的住所,將引入可回收的高科技木材結構房屋,   不再使用對環境有害的混凝土、塑膠、鋼鐵(日本已經開始)。   ‧傳統運動比賽將消失,電子競技時代來臨:   氣溫上升將使許多戶外體育比賽無法

舉行,帶動電子競技比賽興起,   以後打LOL或其他遊戲,可能會取代在戶外跑來跑去的實體運動。   ‧只要你有錢,不怕沒「人」愛!   就像電影《雲端情人》裡演的,未來,你與智慧家電的互動頻率,   可能超過你跟朋友、家人的接觸。於是,「傳統性行為」越來越少見。   人們越來越能接受,訂做一個人工智慧性伴侶,跟機器人談戀愛。   甚至有專家預言,人類如果會滅絕,不是隕石撞地球或核子戰爭,   而是因為我們選擇,不再和「真人」性交。   要注意,乾旱即將大流行,這件事沒有疫苗可抵擋;   越來越多人覺得真實世界太痛苦,不如搬到元宇宙吧!   誰能阻止中國支配全世界?日益老化的中國人口和氣候

變遷。   下一個10年,女力當道?不會,但也不會是男性。   下一個現在,生活怎麼過、怎麼避險、錢怎麼賺、個人該怎麼「超前部署」,   《富比士》推崇的全球頂尖趨勢專家,對商業、政治、文化和你我日常,   時隔20年最受重視的全球預測。 推薦者      中央研究院院士/王寶貫   「股市隱者」版主、《隱市致富地圖》作者/股市隱者   台經院景氣預測中心主任/孫明德   中華動態競爭戰略發展學會理事長/陳昭良   數位轉型學院共同創辦人暨院長/詹文男   矽谷趨勢觀察家/矽谷阿雅 鄭雅慈   先行智庫執行長/蘇書平   (依姓名筆畫排序) 推薦語   不管是營利或非營利組織,由於資源

有限,在劇烈變動的環境下,各種投入必須謹慎評估,才能有效運用資源,因此做好趨勢預測非常重要!不過,趨勢預測並非要尋求精確的事實,而是希望能了解未來可能發展,會產生的結果,及對組織的影響,以便及早部署、未雨綢繆。   本書作者根據其豐富的閱歷,分析未來政府、世界秩序、生活方式、隱私、人口、娛樂……各種面向在2038年可能的面貌,幫助大家以最好的姿態,面對無常的未來世界!——數位轉型學院共同創辦人暨院長/詹文男   傳統策略思路是盤點過去、延續未來,但在VUCA(按:由多變〔Volatile〕、不確定〔Uncertain〕、複雜〔Complex〕與混沌不明〔Ambiguous〕4個英文字組成,指

科技創新引發產業與生活型態急遽變化的現象)時代,市場處於不連續發展的狀況,過去無法延伸至未來。此時,企業應該要有一套新思路,用於解決複雜環境的策略規畫瓶頸,本書提供企業一套解決此問題的新架構。   從宏觀面,讓你掌握市場趨勢不掉隊,但同時,趨勢是共享的,你看得到的,競爭者也看得到,關鍵在誰能更早清楚看見;因此,作者更提供微觀面,教你發掘市場微弱聲音,讓你比競爭者更超前部署,掌握策略先機。依循這兩個角度,可以解決找不到策略方向的瓶頸。——中華動態競爭戰略發展學會理事長/陳昭良   未來令人憧憬、困惑又恐懼,而這本書就是要預測未來!本書作者要預測的是2038年——如果是預測200年後的世界,你可

以用想像力寫出各種令人驚訝、害怕的科幻預言,反正到時候死無對證——但距離2038年只剩十幾年,你就不能胡亂的天馬行空了。   本書分析大量現今資料,並用結果來推估2038年前的世界大趨勢,包括氣候變遷、大國爭霸、全球經濟板塊、日常生活,甚至性別概念。我不敢說作者的預言一定兌現(全世界也找不到那麼厲害的人),但本書敘述清楚,脈絡分明;而行文平易,可讀性很高,僅拜讀她的分析結果,就覺得值得大力推薦。——中央研究院院士/王寶貫  

矽統轉型進入發燒排行的影片

【智翔的議會質詢-經濟發展局、地方稅務局(9/28)】

#亞洲矽谷工程與招商

「亞洲·矽谷計畫」是執政黨當前的重大國家發展政策,也是鄭文燦市長每年都會向市民報告的政大市政主軸之一,但最基本的建設,位於青埔的創新研發中心統包工程卻七度流標,於是拆開重新招標,先招設計標,雖然案子以航空城公司負責,但面對工程進度延宕,遑論是招商進度?經發局亞洲矽谷計畫的未來有何想法?

局長說明,台灣的產業對於現代化的科技聚落是有需求的,但規劃、執行難度高,加上近年營建成本上升,都是延宕原因。經費部分,原預算40億的工程經費,在追加預算方面都要經議會審議。

招商方面,施政報告中列出有七百萬的經費,花在了國內與國外的招商業務,智翔也不希望這些預算花下去,卻只能一再以MOU打腫臉充胖子,今天聽到經發局長解釋這筆預算的招商不僅用於亞洲矽谷與航空城計畫,那就再請會後提出整理報告,詳細說明招商的狀況為何。

#高雄亞洲新灣區對桃園亞洲矽谷的影響

關心完亞洲矽谷當下的難題,其次是政策願景的大餅被分食的擔憂,身為桃園的代議士,看到近來中央層級屢次對高雄新灣區發展的宣示,決定挹注大筆預算協助發展,加上中華電信等廠商進駐欲發展5G產業,都不由得對進度緩慢,且產業發展重疊的亞洲矽谷捏把冷汗。

面對中央宣示挹注110億發展高雄亞洲新灣區,經發局長雖說雞蛋不會放在同一個籃子裡,但智翔擔憂的是產業的需求面、地域性、資源分配等考量,同一家企業若要投資5G產業,勢必會在亞洲新灣區與亞洲矽谷中去評估抉擇。

若亞洲矽谷與亞洲新灣區面臨不可避免的競爭,未來在發展上,有沒有轉型的可能?局長則重申,產業鏈的移轉不是一蹴可幾,仍對桃園亞洲矽谷的發展有信心,智翔只能再次提醒,國家資源有限,在國家重大發展的路徑上,面對產業發展相同的對手,亞洲矽谷的建設實在沒有本錢一拖再拖,即使一再延宕,也要及早準備轉型備案,否則亞洲矽谷終淪為南柯一夢。

#桃園囤房稅是否重啟提案修正

近來的熱門議題,為台南市政府終於願意提案修正房屋稅,採分級課徵,一改過去統一對非自用住宅以最低1.5%課徵,預計修正為持有5戶以下,每戶按2.4%課徵;6戶以上,每戶按3.6%課徵。

討論問題前,我們再檢視一項事實數據,根據經濟日報最新的六都空屋率排行,台南13.8%、桃園13.29%,分佔六都前兩名。過去地方稅務局也曾表態,以桃園非自住房屋多屋族(4戶以上)非自住僅有17,640戶(比率為1.68%)為由,稱囤房現象不明顯。

但智翔認為,多屋族的比例不應作為囤房現象的唯一依據,否則就跟空屋率兜不起來,數據並陳的結果顯示,多屋族比例不高,卻可能擁有大量的非自住空屋,針對真正的囤房大戶來修正分級稅率,也是智翔與時代力量一直以來的主張。

智翔在此除了建議地方稅務局,在檢視囤房問題時應在參考更多客觀資訊外,也能再次討論是否針對囤房大戶來修正房屋稅率,將現行的非自住2.4%改採分級課徵,當然戶數、%數要提高多少可以再討論;同時智翔也再次主張,對出租者課以輕稅,且積極售屋的建商可給予寬限期,希望能藉由這次台南市政府的積極作為,也帶動桃園再次省思居住正義的問題。

🎞完整質詢影片請看:
https://youtu.be/xSS-LEyY9bE
🎞youtube頻道請搜尋:桃園市議員簡智翔

探討氫能經濟之展望:以儲氫技術之專利分析為核心

為了解決矽統轉型的問題,作者陳貞瑋 這樣論述:

石油、天然氣、煤炭等傳統化石燃料日益枯竭,再加上環境汙染問題,減碳與再生能源之發展成了全球共同努力的目標。氫具有能量密度高、零無染以及適合長時間儲存等優勢,因此被譽為潔淨能源之一,氫能經濟產業鏈包含產氫、儲氫、運氫、加氫等技術,礙於目前儲氫技術仍有諸多瓶頸待克服,故儲氫成了氫能經濟的關鍵課題。 本研究分析標的為氣態儲氫、液態儲氫以及金屬氫化物儲氫之三種技術,綜觀專利量化分析與引證網絡知識流向之結果,在儲氫技術領域以美國與日本之發展最為活躍,且其應用主要涵蓋交通運輸產業、重工業領域以及電子電機產業,而據技術分析結果,於氣態儲氫罐體之內膽技術,非金屬材質內膽如聚合物與樹脂,為目前最

普及使用的新一代內膽材料;於液態儲氫罐體技術,係以罐體之真空絕熱構造最受矚目;於儲氫合金技術,又以鎂基合金與釩基合金被視為最具前景的材料。本研究宗旨係以儲氫技術之專利分析為切入點,檢視氫能經濟之展望,供相關研發人員與企業擬訂技術開發之策略。

策略轉折點競爭優勢:建立弱訊號敏感度,掌握策略自由度,突破產業框架,搶先在新的競技場創造成長

為了解決矽統轉型的問題,作者RitaGuntherMcGrath 這樣論述:

《strategy+business》雜誌年度最佳商業書 融雪始於邊緣,雪崩式的十倍速劇變早就釋出訊號! 8個方法,從雜訊中辨識弱訊號,聚焦領先指標, 重新定義戰場,下小注,加快組織行動力, 在典範移轉前,搶先布局,贏在策略轉折點! 創新大師克里斯汀生生前專文推薦 麥奎斯具有極強的洞察力,基本上打破了數十年來的策略思維,不再認為產業決定命運。 我指定哈佛商學院的學生與我的策略顧問閱讀她的理論。 創新不必是痛苦的碰運氣。破壞永遠在前方的不遠處等著, 但管理者在規劃路線時不需盲人摸象。   airpods如何橫空出世,改寫了耳機市場?   連結全世界的臉書平台,怎麼一夕變成作惡平台?   

老牌科技公司微軟,如何從組織內耗重返榮耀?   巨頭倒下、破壞式創新勢不可擋,是商場上永遠有新鮮事的老話題。   我們都知道市場崩壞就在眼前,難就難在總是無法早一點看出徵兆、即使發現後又無法即時行動。   沒有人能精準預測未來,但是的確有方法可以贏在策略轉折點!   本書作者麥奎斯是世界級 Thinkers50 卓越成就獎策略大師,尤其擅長在快速變動中重新定義競爭優勢,挑戰既定的策略思維,她的前作《瞬時競爭策略》備受各界肯定。   策略轉折點是指超越任何組織或機構的外在力量,大幅改變商業活動的要素,帶來10 倍的改變,摧毀過往的成功方程式。   麥奎斯主張,策略轉折點源自系統性的過程

,不會是一夕之間突發的轉變,也不是隨機事件,是一點一滴累積而成。它不僅會顛覆事業經營的基本假設,當企業進行轉型時,過去所有可行的制度與流程,都有可能反過來成為變革最大的阻礙。   打造早期預警系統,捕捉逐漸增強的弱訊號   轉折點發生前總有一段晦澀不清的醞釀期,預見趨勢最關鍵的時間段,就在「策略自由度」與「訊號強度」兩條線的交會點,這是「最佳警訊」階段,若能在這個還看不清的早期階段,確認領先指標,搶在出現轉折點、不得不做之前,即判斷出可能的「零點事件」,預先培養能力,此時會最可能成功!   本書提供多樣思考清單、實用工具,包括情境規劃法、競技場分析、創造精練階梯等,每一章都有案例練習,協

助你克服自身的盲點與認知偏誤,檢視組織賴以為生的關鍵資源發生什麼轉變?你的顧客試圖滿足的關鍵用途為何?你可以如何為他們提供價值,這將是你勝出的突破口。   當你接受各式各樣未來所蘊含的可能性,就有辦法預測、理解與利用正在形塑市場的轉折點,看見它正在浮現,盡速及早取得競爭優勢,立於不敗之地。 一致推薦   《獲利世代》作者奧斯瓦爾德(Alex Osterwalder)、IDEO總裁布朗(Tim Brown) 、波音民用飛機集團與福特汽車前執行長穆拉利(Alan Mulally)   數位轉型顧問/商業好書說書人李全興(老查)、價值投資者/財經作家雷浩斯   各界好評   麥奎斯一直是我

在策略、創新與創業精神等領域的重要參考對象。本書精彩延伸她先前的研究,證明有辦法預測重大變化,其實不是少數人與生俱來的罕見能力,不僅有辦法學,還能系統性改善。這是一本能扭轉局勢的重要著作!——奧斯瓦爾德(Alex Osterwalder),Strategyzer.com共同創辦人、《獲利世代》作者   我們IDEO協助客戶搶先看見數十年後的未來。今日能有這樣一本充滿人味與真知灼見的指南,實在令人興奮,讀來趣味橫生。書中精彩解釋為什麼替下一個轉折點做好準備很重要,絕對能帶給領導者與組織很大的啟發。——布朗(Tim Brown),IDEO總裁、《設計思考改造世界》作者   本書在流程與預期行為

兩方面,完全抓到合作的真諦,解釋如何讓所有人了解目前的方向,有志一同,預測轉折點,採取行動,持續帶來價值,讓世界更美好!——穆拉利(Alan Mulally),波音民用飛機集團與福特汽車前執行長   本書談論許多關於轉折點的想法,不僅刺激思考,也提供實用的訣竅,教大家辨識與了解轉折點,是所有領導者書架上的必備指南。——拉奥(Hayagreeva "Huggy" Rao),史丹佛大學商學院麥克賓組織行為與人力資源講座教授   麥奎斯和克里斯汀生一直引導我思考破壞式改變的必要性。書中充滿有趣的故事、重要資料與一針見血的分析,別忘了在手邊放這本書,隨時可以參考。——強森(Whitney John

son),WLJ顧問(WLJ Advisors)創辦人與執行長、《建立團隊》(Build an A-Team)作者   麥奎斯使出渾身解數,深入研究引人入勝的案例,同時結合發人深省的架構與實務指南。我忍不住要大力推薦。——安東尼(Scott D. Anthony),Innosight資深合夥人,《雙軌轉型》與《28個成功創新的Q&A》作者   麥奎斯教我們如何在雜訊中,巧妙地找到訊號。企業如果能應用她的聰明技巧,搶先看到未來,不僅能趁早發現正在浮現的轉折點,也將成為先驅,帶領業界迎向未來。——韋伯(Amy Webb),未來今日機構(Future Today Institute)創辦

人、紐約大學史騰商學院教授   麥奎斯的精彩新作《策略轉折點競爭優勢》,解釋如何對充滿迷霧的未來進行系統性思考,從中獲得優勢。——丹寧(Stephen Denning),《敏捷時代》作者   麥奎斯深入掌握潮流,提出背後有詳實研究的洞見,提供高階主管與資深領袖實用的組織改造工具。我們將有辦法開啟新型的創業機會,替自家企業與整體社會帶來正向的改變。——瓦爾加斯(Ricardo Viana Vargas),Brightline Initiative 前執行董事   我不曾錯過把麥奎斯納入企業執行事項的機會,讀了這本書,你就會明白原因!——葛史密斯(Marshall Goldsmith),紐約

時報暢銷書《練習改變》、《下一步,我該怎麼走?》、《UP學》作者  

多功能性的咪唑離子液體作為添加劑以及介面修飾對於反式鈣鈦礦太陽能電池元件效率之改善

為了解決矽統轉型的問題,作者陳子桓 這樣論述:

目次摘要 . ............................................................... iAbstract .............................................................iii目次 .................................................................v表目次 ..............................................................viii圖目次 ..........

....................................................ix第一章、緒論 ........................................................1 1.1 前言.........................................................1 1.2 太陽能電池之背景沿革以及工作原理............................3 1.3 太陽能電池之種類介紹 ........................................5

1.3.1 第一世代太陽能電池(結晶矽基板型)........................7 1.3.2 第二世代太陽能電池(薄膜型)...............................71.3.3 第三世代太陽能電池(新興技術導入型).......................8 1.4 鈣鈦礦太陽能電池背景沿革之介紹..............................9 1.5 鈣鈦礦太陽能電池種類及工作原理............................10 1.5.1 傳統式鈣鈦礦太陽能電池..............

...................11 1.5.2 反式鈣鈦礦太陽能電池.................................11第二章、文獻回顧....................................................13 2.1胺鹽添加劑製程..............................................13 2.2路易士鹼添加劑製程...........................................17 2.3擬鹵素離子添加劑製程........................

..................25 2.4離子液體(Ionic liquid)之添加劑製程............................... 30 2.5研究動機..................................................... 42第三章、實驗部分 ...................................................44 3.1 離子液體(IL)合成.......................................44 3.1.1 1-乙基-3-甲基硫氰酸根咪唑(EM

IMSCN)合成............44 3.1.2 1-乙基-3-甲基咪唑 4,5二氰基咪唑(EMIMDCI)合成............44 3.2 鈣鈦礦太陽能電池元件製備.....................................47 3.2.1 ITO玻璃基板之清洗 .................................47 3.2.2電洞傳輸層(electron hole transporting layer)製備...............47 3.2.3鈣鈦礦主動層(active laye

r)製備.............................48 3.2.4電子傳輸層(electron transporting layer)製備....................48 3.2.5 金屬電極製備 ........................................49 3.3 實驗用藥品與溶劑.............................................49 3.3.1 藥品清單...............................................49

3.3.2 溶劑清單...............................................50 3.4 實驗儀器 ....................................................51第四章、結果與討論 .................................................. 55 4.1.1 (EMIMBr)IL添加劑對鈣鈦礦太陽能電池元件光伏性能之影響.. 55 4.1.2 (EMIMBr)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜結晶度及晶體形貌之影響..58 4.1.3 (EMIMBr

)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜光學吸收度及載子傳輸性能之影 響............................................. 61 4.2.1 (EMIMDCI)IL添加劑對鈣鈦礦太陽能電池元件光伏性能之影響.. ......................................................... 66 4.2.2 (EMIMDCI)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜結晶度及晶體形貌之影響 ...............................................

.......68 4.2.3 (EMIMDCI)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜光學吸收度及載子傳輸性 能之影響............................................. 72 4.3.1 (EMIMSCN)IL添加劑對鈣鈦礦太陽能電池元件光伏性能之影響.. ......................................................... 76 4.3.2 (EMIMSCN)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜結晶度及晶體形貌之影 響...................

..................................78 4.3.3 (EMIMSCN)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜光學吸收度及載子傳輸 性能之影響............................................. 82 4.4 綜合討論..................................................... 86第五章、結論 ....................................................... 91參考文獻 ......................

......................................92表目次表2.1不同比例之添加劑的鈣鈦礦太陽能電池之光伏性能表................16表2.2添加各項胺鹽之元件光伏參數表..................................18表2.3添加不同濃度碘化咪唑之鈣鈦礦元件光伏參數表現...................23表2.4未添加以及添加咪唑之鈣鈦礦元件光伏參數表現.....................25表2.5 CH3NH3PbI3 以及CH3NH3PbI3-x(SCN)x元件之光伏性能表..............26表2.

6未添加以及添加KSCN、NaSCN之鈣鈦礦元件光伏參數之表現..........28表2.7各個添加比例之鈣鈦礦元件之光伏參數表現.........................30表2.8添加BMII之元件光伏參數表現....................................34表2.9 BMIMBF4元件光伏性能參數表....................................35表2.10各添加濃度之元件光伏參數......................................38表2.11有無IL修飾之元件光伏參數表...............

....................41表4.1添加不同濃度EMIMBr之元件光伏參數表(括號中為最佳表現之元件)....56表4.2添加不同濃度EMIMDCI之元件光伏參數表(括號中為最佳表現之元件)...67表4.3添加不同濃度EMIMSCN之元件光伏參數表(括號中為最佳表現之元件)..77表4.4三種離子液體添加劑最佳添加比之元件的光伏參數比較表............87表4.5三種離子液體添加劑之元件的開路電壓比較表.......................88表4.6三種離子液體添加劑之元件的短路電流比較表.......................90圖目次圖1.1 2

019~2025年我國發電配比圖 ......................................2圖1.2 金屬、半導體、絕緣體能隙示意圖..................................4圖1.3 太陽輻射光譜....................................................5圖1.4 太陽能電池基本工作原理示意圖....................................5圖1.5 截至2021年初的各類型太陽能元件最高效率圖表.....................6圖1.6 三代太陽能電池分類圖....

........................................6圖1.7鈣鈦礦晶體結構示意圖............................................9圖1.8 傳統式(a)與反式(b)鈣鈦礦太陽能電池示意圖.....................11圖2.1最佳添加比例的元件數據.........................................14圖2.2未添加(a)以及最佳添加比例(b)的鈣鈦礦薄膜SEM圖..................14圖2.3未添加以及最佳添加比例的(a) PL圖譜以及(b) TRPL圖譜....

..........14圖2.4不同MeO添加比例下的鈣鈦礦薄膜SEM圖,(a)MeO0、(b) MeO10、(c) MeO20.......................................................16圖2.5不同比例之添加劑對結晶過程之影響示意圖.........................16圖2.6 (a) PEAI 、(b) CH3-PEAI、 (c) CH3O-PEAI、 (d) NO2-PEAI、 (e) MEAI 分 子結構...............................................

.........17圖2.7添加各項胺鹽之鈣鈦礦表面之SEM圖..............................18圖2.8添加CH3O-PEAI的鈣鈦礦元件穩定度數據圖.........................19圖2.9 BZA鹵素鹽類(a)及元件結構(b)....................................20圖2.10 BZA鹽類添加後之薄膜XRD圖譜(a)及UV-Vis圖譜(b)...............20圖2.11 BZA鹽類添加後之SEM圖,原始鈣鈦礦(a、e)、BZACl (b、f)、BZAI (c、 g)、BZABr(

d、h)................................................20圖2.12 BZA鹽類添加後之Steady-state PL(a)以及TRPL(b)....................21圖2.13 BZA鹽類添加後之XPS圖譜......................................21圖2.14碘化咪唑結構圖................................................22圖2.15 添加不同濃度碘化咪唑(a)(b)、以及經熏製(c)(d)之鈣鈦礦薄膜XRD圖 譜.......

................................................22圖2.16 添加不同濃度碘化咪唑之鈣鈦礦薄膜SEM圖樣.....................23圖2.17 咪唑結構圖....................................................24圖2.18未添加(a)以及添加咪唑(b)之鈣鈦礦薄膜SEM圖樣...................24圖2.19未添加以及添加咪唑之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜........................24圖2.20 (a) CH3NH3PbI3及(b) CH3NH3P

bI3-x(SCN)x之SEM圖..................25圖2.21 CH3NH3PbI3 以及CH3NH3PbI3-x(SCN)x之XRD圖譜..................26圖2.22添加KSCN以及NaSCN之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜.....................27圖2.23未添加(a)以及添加KSCN(b)、NaSCN(c)之鈣鈦礦薄膜SEM圖樣........27圖2.24未添加以及添加KSCN、NaSCN之鈣鈦礦薄膜EQE圖譜(a)、UV-Vis圖譜 (b)、Rsh/Rs阻抗比值圖(c)。..........................

............28圖2.25未添加(a)(b)以及添加15 mol%(c)(d) NH4SCN之鈣鈦礦薄膜SEM圖 樣.....................................................29圖2.26各個添加比例之鈣鈦礦薄膜(a)PL圖譜以及(b)SCLC曲線............29圖2.27常見的離子液體陽離子與陰離子類型..............................31圖2.28 添加1.5 wt% EMIC前(a)後(b)之鈣鈦礦薄膜SEM圖................32圖2.29添加1.5 wt% E

MIC後元件之(a)XRD圖譜、(b) UV–vis吸收光譜、(c)PL圖 譜(d)J-V曲線圖、(e)EQE光譜、(f)Nyquist曲線圖.....................32圖2.30 BMII結構圖....................................................33圖2.31由BMII引導的鈣鈦礦結晶機制示意圖.............................33圖2.32添加BMII後之鈣鈦礦薄膜SEM圖..............................34圖2.33 BMIMBF4結構圖.........

......................................35圖2.34鈣鈦礦薄膜之XPS比較圖.......................................35圖 2.35 BMIMBF4元件效率之穩定性測試.................................36圖2.36 MPIB結構圖...............................................37圖 2.37添加MPIB前後之鈣鈦礦晶體SEM圖...........................38圖 2.38 MPIB添加與原始鈣鈦礦之(a) XPS圖

譜(b) FT-IR圖譜................38圖2.39 EMIMBF4結構圖...............................................39圖2.40新型態鈣鈦礦晶體形成機制示意圖................................40圖2.41新型態鈣鈦礦晶體之XRD圖譜...................................40圖2.42新型態鈣鈦礦晶體之SEM圖.....................................40圖2.43最佳添加比例之新型態鈣鈦礦晶體之SEM圖.............

...........41圖2.44三種離子液體(a) EMIMBr、(b) EMIMSCN、(c) EMIMDCI之分子結構。....................................................43圖3.1 EMIMSCN NMR Spectrum.........................................45圖3.2 EMIMSCN結構圖................................................45圖3.3 EMIMDCI NMR Spectrum........................

.................46圖3.4 EMIMDCI結構圖................................................46圖4.1.1 添加不同濃度EMIMBr之元件J-V曲線圖..........................57圖4.1.2 添加不同濃度EMIMBr之元件IPCE圖譜..........................57圖4.1.3 添加不同濃度EMIMBr之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜....................59圖4.1.4 未添加EMIMBr(Ref.)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................

...60圖4.1.5 添加1 wt% EMIMBr(Br1)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................60圖4.1.6 添加3 wt% EMIMBr(Br3)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................60圖4.1.7 添加5 wt% EMIMBr(Br5)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................61圖4.1.8 添加不同濃度EMIMBr之鈣鈦礦薄膜UV-Vis圖譜...................62圖4.1.9添加不同濃度EMIMBr之鈣鈦礦薄膜PL圖譜.......................63圖4.1.10 (a)Ref

.、(b)Br1、(c)Br3、(d)Br5之純電子(electron-only)元件之I-V特性曲 線圖..................................................65圖4.2.1添加不同濃度EMIMDCI之元件J-V曲線圖.........................67圖4.2.2添加不同濃度EMIMDCI之元件IPCE圖譜.........................68圖4.2.3添加不同濃度EMIMDCI之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜...................69圖4.2.4未添加EMIMDCI(Ref.)之鈣鈦礦薄膜

SEM圖像.....................70圖4.2.5添加1 wt% EMIMDCI(DCI1)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像................71圖4.2.6添加3 wt% EMIMDCI(DCI3)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像................71圖4.2.7添加5 wt% EMIMDCI(DCI5)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像................71圖4.2.8添加不同濃度EMIMDCI之鈣鈦礦薄膜UV-Vis圖譜.................72圖4.2.9添加不同濃度EMIMDCI之鈣鈦礦薄膜PL圖譜......................7

4圖4.2.10 (a)Ref.、(b)DCI1、(c)DCI3、(d)DCI5之純電子(electron-only)元件之I-V特 性曲線圖....................................................75圖4.3.1 添加不同濃度EMIMSCN之元件J-V曲線圖........................77圖4.3.2 添加不同濃度EMIMSCN元件之IPCE圖譜........................78圖4.3.3 添加不同濃度EMIMSCN之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜..................79圖4.3.4

未添加EMIMSCN(Ref.)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像....................80圖4.3.5 添加1 wt% EMIMSCN(SCN1)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...............81圖4.3.6 添加3 wt% EMIMSCN(SCN3)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...............81圖4.3.7 添加5 wt% EMIMSCN(SCN5)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...............81圖4.3.8 添加不同濃度EMIMSCN之鈣鈦礦薄膜UV-Vis圖譜.................83圖4.3.9 添加不同濃度EMIMSCN之鈣鈦礦薄膜PL圖譜

....................84圖4.3.10 (a)Ref.、(b)SCN1、(c)SCN3、(d)SCN5之純電子(electron-only)元件之I-V 特性曲線圖..................................................85圖4.4.1 EMIMBr、EMIMDCI、EMIMSCN三者之分子結構圖.................86圖4.4.2三種離子液體添加劑之鈣鈦礦薄膜SEM圖像.......................89