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國立虎尾科技大學 機械與電腦輔助工程系碩士班 邱薆蕙所指導 廖皓宇的 以田口-灰關聯探討二氧化鈦應用於異質接面矽奈米線陣列最佳化之研究 （2020），提出紅外線 測 溫 槍 反射 率關鍵因素是什麼，來自於矽奈米線陣列、P-N異質接面、射頻磁控濺鍍、無電鍍蝕刻法、田口實驗與灰關聯法。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 機械工程系 陳士勛所指導 陳建州的 奈米硫化鉛對多孔性陽極氧化鋁之玻璃基板的光學特性影響 （2020），提出因為有 陽極氧化鋁、紅外線、奈米結構、硫化鉛的重點而找出了 紅外線 測 溫 槍 反射 率的解答。
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被動毫米波近場成像技術與應用
為了解決紅外線 測 溫 槍 反射 率 的問題，作者邱景輝等 這樣論述：
《被動毫米波近場成像技術與應用》以機場安全檢查、海關緝私和反恐為應用背景，圍繞被動毫米波近場成像的關鍵技術展開討論，系統地介紹了毫米波成像系統的分類、被動毫米波成像技術的主要成像體制、被動毫米波近場成像的輻射探測機理、毫米波輻射計、毫米波成像系統饋源天線、毫米波近場成像准光理論，以及典型的Ka頻段被動毫米波成像系統應用等。《被動毫米波近場成像技術與應用》總結了作者及其領導的學術團隊在被動毫米波近場成像領域近15年的基本研究成果，同時也介紹了近年來國內外在被動毫米波近場成像領域的發展概況。 《被動毫米波近場成像技術與應用》對於從事毫米波輻射探測理論、天線、輻射計和系統研究的人員是一本極具實用價
值的工具書，可作為高等學校電磁場與無線技術、遙感科學與技術等專業本科生和研究生的學習參考書，也可作為安全檢查、防盜反恐、醫療器械等領域從事探測技術研究的工程技術人員的參考用書。 第1章 緒論 1.1毫米波成像技術簡介 1.2毫米波成像系統分類 1.3隱匿物品探測被動毫米波成像技術研究現狀 第2章 被動毫米波近場成像原理 2.1黑體輻射探測理論 2.2人體衣物下隱匿物探測被動毫米波近場成像原理 第3章 毫米波輻射計 3.1毫米波輻射計工作原理 3.2毫米波輻射計關鍵技術參數 3.3毫米波輻射計類型 3.4輻射計定標 3.5輻射計指標測試方法 3.6毫米波器件的發展現狀與趨
勢 第4章 被動毫米波近場成像饋源天線 4.1被動毫米波近場成像饋源天線基本參數 4.2被動毫米波近場成像饋源天線主要類型 4.3饋源天線參數對系統成像性能的影響 第5章 被動毫米波近場成像准光理論與聚焦天線 5.1聚焦天線種類及特點 5.2橢球反射面天線 第6章 典型被動毫米波成像系統 6.1被動毫米波成像系統掃描方式 6.2人體衣物下隱匿物探測20通道焦面陣成像系統 6.3高空間解析度人體衣物下隱匿物探測70通道成像系統 名詞索引 自然界中所有物體都能發射電磁波，電磁頻譜中30～300 GHz的頻段通常稱為極高頻頻段，其對應波長為1 crri～l mm，稱為毫米波
。毫米波介於紅外波段與微波波段之間，兼具兩者特點。與微波波段相比，毫米波波長短，在相同的天線尺寸下可獲得較高的角解析度，且頻帶寬，頻譜資源十分豐富；與紅外及可見光成像相比，儘管毫米波成像系統的空間解析度相對較低，但其在35 GHz、94 GHz、140 GHz和220 GHz幾個大氣視窗處，能穿透霧、雲、煙塵等，具有在較惡劣氣候條件下全天候工作的能力，這在遙感、導航、衛星通信和軍事等應用中具有重要的意義。同時，毫米波具有穿透織物的特點，使其在機場安全檢查、海關緝私和反恐領域展現了蓬勃的發展趨勢。 近年來，恐怖主義猖獗，安全問題日益得到世界人民的關注，對安檢系統的可靠性與智慧化也提出了更高的要
求。當前國內機場採用的金屬門和金屬探測器只能對近距離小範圍目標進行檢測，同時對金屬以外的危險品不具備探測能力。儘管X光背散射人體掃描器可以探測人體衣物下隱匿的危險品，但會對被測人體造成輕微的輻射，因此不適宜對普通的乘機人員進行這種類型的安檢。紅外線是靠物體表面溫度成像，在有織物遮擋的情況下無法清晰成像。而毫米波成像系統可以探測到人體衣物下隱藏的危險品，不僅可以檢測出金屬物體，還可以檢測出塑膠手槍、炸藥等危險品，獲得的資訊更加詳盡、準確，可以大大降低誤警率。被動毫米波成像技術由於其對人體完全無輻射、無電磁污染，因此具有很廣闊的應用前景。 本書從國內外被動毫米波成像技術在安檢領域的研究概況入手，
首先介紹了毫米波的輻射探測理論，並圍繞毫米波近場成像，詳細分析了室內及室外人體與隱匿物的溫度對比度。其次，詳細介紹了毫米波成像系統的關鍵技術：毫米波輻射計、毫米波饋源天線和聚焦天線以及相關的准光學理論。最後，給出了Ka頻段被動毫米波焦平面陣列成像儀的具體設計案例，以供讀者參考。 本書的撰寫是基於作者及其團隊近15年來在毫米波近場成像領域的研究成果。邱景輝、王楠楠、祁嘉然共同撰寫1.2節，王楠楠撰寫1.3.1節、第5章和第6章，祁嘉然撰寫1.1節、1.3.2節及第2～4章。邱景輝負責全書統稿和校稿。本書參考了陸凱、于鋒、莊重、張瑞東、付彥志、董佳鑫等人的碩士學位論文和相關文章，在此表示衷心感謝
。同時，汪立青、杜天堯、肖姍姍、張梓福、劉暢、翟璿、林霽暖、趙鵬、邱爽、尹智穎等人在本書的撰寫和校對過程中付出了辛勤的勞動，在此一併表示感謝。 哈爾濱工業大學的姜義成教授、哈爾濱工程大學的楊莘元教授和清華大學的趙自然研究員對書稿的修改提出了中肯的建議，作者從他們提出的寶貴建議中獲益良多，在此向他們表示衷心的感謝。 被動毫米波近場成像技術近年來發展迅速，涉及面廣，作者水準有限且時間倉促，難免存在疏漏與不足之處，希望讀者批評指正。
以田口-灰關聯探討二氧化鈦應用於異質接面矽奈米線陣列最佳化之研究
為了解決紅外線 測 溫 槍 反射 率 的問題，作者廖皓宇 這樣論述：
摘要...iAbstract...iii誌謝...v目錄...vi表目錄...x圖目錄...xiii第一章 緒論...11.1 前言...11.2 研究動機與目的...51.3 研究方法...91.4 論文架構...11第二章 基礎理論與文獻回顧...132.1 太陽能電池簡介...132.2 太陽能電池結構...142.2.1 基板...142.2.2 吸收層-P-N接面...152.2.3 抗反射層/窗口層...152.2.4 金屬電極...162.2.5 鈍化層...162.2.6 電子/電洞傳輸層...172.3 太陽能電池種類...182.3.1 單晶矽太陽能電池(Single C
rystalline Silicon Solar Cell, C-Si)...182.3.2 多晶矽太陽能電池(Poly Crystalline Silicon Solar Cell, Poly-Si)...192.3.3 非晶矽太陽能電池(Amorphous Silicon Solar Cell, A-Si)...192.3.4 化合物半導體太陽能電池(Compound Semiconductor Solar Cell)...202.3.5 有機太陽能電池(Organic Solar Cells)...202.3.6 無機太陽能電池(Inorganic Solar Cell)...212.4
太陽能電池基礎原理...222.5 太陽能電池的I-V曲線...242.6 太陽能電池的效率損耗...272.7 一維奈米結構(One-Dimensional Nanostructure)...292.7.1 矽奈米金字塔...292.7.2 矽奈米錐...302.7.3 矽奈米線...312.8 SiNW Arrays的製備方式...332.8.1 化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD)...332.8.2 無電鍍蝕刻法(Electroless Metal Deposition, EMD)...342.9 二氧化鈦(Titanium Dioxide,
TiO2)...362.9.1 二氧化鈦薄膜的製備方式...382.10 電漿(Plasma)...392.10.1 電漿的反應式...392.11 濺鍍(Sputtering)...402.11.1 磁控濺鍍(Magnetron Sputtering)...402.11.2 反應性濺鍍(Reactive Sputtering)...412.12 遲滯曲線(Hysteresis Curve)...432.13 田口法基礎理論介紹...452.13.1 參數設計(Parameter Design)...462.13.2 目標品質特性(Target Quality Characteristics
)...482.13.3 直交表(Orthogonal Arrays, OA)...482.13.4 信號雜音比(Signal to Noise Ratio, S/N)...492.13.5 變異數分析(Analysis of Variance, ANOVA)...512.14 灰關聯基礎理論介紹...522.15 矽奈米線、異質接面太陽能電池、磁控濺鍍、TiO2薄膜與AZO窗口層等相關文獻...54第三章 實驗方法與設備...643.1 實驗流程與步驟...653.1.1 矽晶圓基板前處理...663.1.2 EMD法製備SiNW Arrays...673.1.3 ZnO遲滯曲線繪製...6
93.1.4 以射頻磁控濺鍍製備TiO2-SiNW Arrays之特性要因圖分析...703.1.5 以田口-灰關聯法製備N-TiO2/P-SiNW Arrays...713.1.6 TiO2-SiNW Arrays太陽能電池電極製備...743.1.7 AZO窗口層於最佳化TiO2-SiNW Arrays之退火薄膜製備...753.2 分析設備介紹...773.2.1 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)...773.2.2 能量散射光譜分析儀(Energy Dispersive Spectrometer, EDS)...783.2.3 傅立
葉紅外線光譜儀(Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR)...783.2.4 X-ray繞射分析儀(X-ray Diffractometer, XRD)...793.2.5 化學分析電子能譜儀(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, ESCA)...803.2.6 拉曼光譜儀(Raman Spectrometer, Raman)...813.2.7 分光光度計(UV-VIS Spectrophotometer, UV-VIS)...823.2.8 水滴接觸角(Water Contact An
gle, WCA)...833.2.9 太陽光模擬器(Solar Simulator)...843.2.10 高階三束型聚焦離子束顯微鏡(Focus Ion Beam Microscope, FIB)...853.2.11 場發射穿透式電子顯微鏡(Field Emission Transmission Electron Microscope, FE-TEM)...85第四章 實驗結果與討論...874.1 以EMD法製備SiNW Arrays...874.1.1 SiNW Arrays之表面形貌與截面形貌分析...874.1.2 SiNW Arrays之EDS元素分析...894.1.3 Si
NW Arrays之XRD結構分析...904.1.4 SiNW Arrays之Raman分析...914.1.5 SiNW Arrays之ESCA化學元素分析...924.1.6 SiNW Arrays之WCA分析...944.1.7 SiNW Arrays之UV-VIS分析...964.1.8 SiNW Arrays之FTIR分析...974.1.9 SiNW Arrays之TEM分析...994.2 ZnO遲滯曲線...1004.3 田口-灰關聯探討磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之最佳化參數...1024.3.1 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW A
rrays之田口單一品質反射率最佳化...1024.3.2 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之田口單一品質光電轉換效率最佳化...1064.3.3 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays多重品質最佳化...1104.4 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之表面形貌與截面形貌...1144.5 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之EDS元素分析...1204.6 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之XRD結構分析...1244.7 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW A
rrays之WCA分析...1264.8 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之FTIR分析...1284.9 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之ESCA化學元素分析...1304.10 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之TEM分析...1344.11 以磁控濺鍍法製備TiO2薄膜異質接面SiNW Arrays之暗電流I-V量測...138第五章 結論與未來展望...1395.1 結論...1395.2 未來展望...142參考文獻...143Extended Abstract...151
奈米硫化鉛對多孔性陽極氧化鋁之玻璃基板的光學特性影響
為了解決紅外線 測 溫 槍 反射 率 的問題，作者陳建州 這樣論述：
本研究預期以永續之太陽能量作為光源，利用玻璃基板之光學特性以吸收部分紫外線；利用陽極氧化鋁之奈米多孔特性，使短波長光線發生散射損耗，並破壞光線之傳遞；以硫化鉛之光學可調控性濾除太陽能量偏高之光線，而得到溫和之紅外線。本研究實驗步驟，係在玻璃基板上，利用射頻濺鍍機，在透光之玻璃基板上沉積鋁薄膜；並透過陽極氧化處理，使鋁膜轉變成具備奈米多孔洞陣列結構之陽極氧化鋁薄膜後；使用不同之濺鍍參數，在複合基板之奈米多孔性陽極氧化鋁膜上，沉積鉛薄膜；在濺鍍鉛薄膜之後，為提高薄膜之光學特性功能，故須進一步將其硫化處理，以形成穩定之硫化鉛薄膜。在玻璃基板的表面改質過程中，利用陽極氧化鋁之奈米孔洞陣列結構特性，將
鉛薄膜沉積至其表面上，以增加薄膜之光學散射，經硫化後，而得到穩定且具備奈米結構之硫化鉛。硫化鉛因波耳半徑大，故具有明顯之量子侷限效應，其能隙隨著晶粒大小及薄膜厚度減少而增加，吸收波長移向短波長(藍移)，透過晶粒及薄膜厚度控制，使得吸收波長具可調控性，無論在可見光區、近紅外線或是紫外線區域。在本研究實驗分析過程中，使用SEM及X 光繞射儀，以確認品結構；並使用紫外-可見及紅外線光譜量測儀鑑定複合膜玻璃基板之透光學特性。結果顯示，在表面改質後之玻璃基板，幾乎可以完全遮蔽紫外線；並可降低度50~100%可見光之穿透率。而從結果得知，其光穿透率，與濺鍍時間、晶粒尺寸大小有關，硫化鉛之量越少，光的穿透能
力越高；且晶粒尺寸隨著膜厚度之減少而縮小，並且隨晶粒尺寸減少，其能隙亦隨之改變，而使吸波長收藍移，故在表面改性後之玻璃基板，可獲得溫和之紅外線。