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國立臺灣科技大學 材料科學與工程系 柯文政所指導 鍾官諭的 製備具多層石墨烯電極之氮化鎵高電子遷移率電晶體及其特性研究 （2021），提出臺灣奈米鍍晶膜關鍵因素是什麼，來自於石墨烯、高電子遷移率電晶體。
而第二篇論文國立臺灣大學 應用物理研究所 呂宥蓉所指導 楊景崴的 隙電漿子增強之氮化鈮超導光子偵測器的開發與應用 （2021），提出因為有 超導性氮化鈮薄膜、超導微米線光子偵測器、奈米製程、隙電漿子、可見光偵測的重點而找出了 臺灣奈米鍍晶膜的解答。
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看圖讀懂半導體製造裝置
為了解決臺灣奈米鍍晶膜 的問題，作者菊地正典 這樣論述：
清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜 審訂 得半導體得天下？ 要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！ 半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！ 半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要 臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！ 但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？ 本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體
所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。
製備具多層石墨烯電極之氮化鎵高電子遷移率電晶體及其特性研究
為了解決臺灣奈米鍍晶膜 的問題，作者鍾官諭 這樣論述：
近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板上使用金屬摻雜調變石墨烯功函數，使其能在GaN上形成歐姆與蕭特基接觸，製備石墨烯電極，其高熱傳導特性能輔助散熱，提高元件熱穩定性。藉由使用氮摻雜超奈米晶鑽石薄膜(N-UNCD)作為固態碳源，配合鎳金屬催化層之熱處理轉換技術製備石墨烯薄膜。研究初期通過調整N-UNCD成長的預熱溫度、加入偏壓以及調整氮氣流量提高成核密度並降低石墨烯的電阻率，成功在氮化鎵基板上成長出均勻度高，電阻率的10 Ω-cm的連
續石墨烯薄膜。通過金屬摻雜方式在GaN HEMTs基板上製作石墨烯歐姆與蕭特基接觸，經變溫I-V量測，石墨烯歐姆接觸呈現正溫度係數，為過渡金屬特性；石墨烯蕭特基接觸在配合類鑽碳膜作為鈍化層後具有0.95 eV的蕭特基能障與1.36的理想因子。在變溫I-V量測中與傳統金屬相反，蕭特基能障隨溫度上升而增加，理想因子隨溫度上升而下降，適合在高溫操作下使用。後續使用金屬摻雜石墨烯電極結構應用在氮化鎵高電子遷移率電晶體，石墨烯電極具有較傳統金屬電極更高的飽和電流，適合高功率應用。通過調變閘極偏壓能夠觀察到飽和電流變化，能調變空乏區寬度，具控制能力；然而元件無法隨閘極逆偏壓的增加而截止。在變溫Ids-Vd
s量測中，石墨烯電極在320 oC下較室溫時僅有39%衰退，而傳統金屬電極則有51%衰退。在350 oC環境進行熱穩定性量測中，傳統金屬電極在2小時後有明顯衰退現象，電阻值也有所上升，而石墨烯電極則維持穩定，顯示石墨烯電極具有較佳的熱穩定性，適合應用於高功率操作。
隙電漿子增強之氮化鈮超導光子偵測器的開發與應用
為了解決臺灣奈米鍍晶膜 的問題，作者楊景崴 這樣論述：
超導光偵測器由於有極低的暗計數及極短的時間抖動，因此擁有卓越的偵測表現。然而大多數文獻探討的偵測器僅在優化近紅外光波段，可見光的研究鮮少被研究。另一方面，超導奈米線單光子偵測器由於具有高於微米線的內秉偵測效率，在過去十年已被廣泛研究，但考量到低動感與光纖耦合率高等特性，微米線亦有發展的必要。在本論文中，我們利用超高真空射頻磁控濺鍍機，並在800 ºC 的基板溫度下成長出以氧化鎂為基板的氮化鈮薄膜，其具有高品質的晶相。此外，我們發現由於在濺鍍過程中，氮化鈮薄膜超導性會受到氬氮氣流比、靶材種類、射頻功率、成長溫度以及成長基板影響，藉由調整以上參數，我們優化氮化鈮的金屬性及超導性(相變溫度達到15
.5 K)。我們利用橢圓偏光儀、X射線光電子光譜、原子力顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X射線干涉圖形以及超導量子干涉元件來測定氮化鈮薄膜的品質。為了增加光偵測力，我們在氮化鈮微米線上加上5奈米的氧化鋁及銀的奈米立方共振器形成隙電漿子，其共振波段設定在可見光區域，超導態在可見光入射下，將因為被局域強場的破壞，而提高光偵測力。此外我們利用時域有限差分計算奈米立方的場分布，並發現為入射光波長532奈米時，邊長40奈米、厚度30 奈米的銀顆粒在邊緣有很強的電漿共振。因此，藉由增加有隙電漿共振的奈米結構，光子的響應在9 K被推廣至可見光波段，特別在入射光波長為532奈米，其中最小可偵測到的光強為4.4奈瓦特
。最後我們將進一步討論其機制及在氮化鈮超導單光子偵測器上應用的潛力，如大偵測面積及偏振無關性等。