Auger yield的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

Auger yield的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦[美]阿爾弗德(AlfordT.L.)等 編著寫的 納米薄膜分析基礎(英文版) 可以從中找到所需的評價。

另外網站Auger effect | Radiology Reference Article也說明:The 'Auger effect' describes the emission of an electron from an atom accompanying the filling of a inner electron shell vacancy produced by ...

國立清華大學 分析與環境科學研究所 董瑞安所指導 趙芷君的 金奈米顆粒誘導氮摻雜石墨烯量子點之內濾效應用於水體中得恩地檢測 (2021),提出Auger yield關鍵因素是什麼,來自於得恩地、石墨烯量子點、金奈米顆粒、內濾效應、螢光。

而第二篇論文國立臺北科技大學 分子科學與工程系有機高分子碩士班 郭霽慶、闕居振所指導 許巧欣的 利用環狀小分子調整準-二維鈣鈦礦的相分佈以提升綠色發光二極體性能 (2021),提出因為有 準-二維鈣鈦礦、環型小分子、發光二極體的重點而找出了 Auger yield的解答。

最後網站AES]Auger Electron Spectroscopy則補充:AES is a surface analysis tool which yields detailed information about the ... AES detects the energy spectrum of Auger electrons generated by electron beam ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了Auger yield,大家也想知道這些:

納米薄膜分析基礎(英文版)

為了解決Auger yield的問題,作者[美]阿爾弗德(AlfordT.L.)等 編著 這樣論述:

現代科學技術(從材料科學到集成電路)已深入到納米層次。從薄膜到場效應傳感器,研究的重點是如何把尺度從微米量級減小到納米量級。納米薄膜分析一書主要研究了材料表面及從表面到幾十乃至100納米深的結構與構成。主要討論了用入射粒子和光子來量化結構並進行成分和深度分析的材料表征方法。  本書討論了通過入射光子或粒子刻蝕納米材料來表征材料的方法,入射的粒子能夠激發出可測的粒子或光子,這正是表征材料的依據,納米尺度材料分析實驗會用到大量入射粒子與待測粒子束的相互作用。其中較重要的有原子碰撞、盧瑟福背散射、離子遂道、衍射、光子吸收、輻射與非輻射陽縣躍遷以及核反應。本書詳細介紹了各種分析和掃描探針顯微技術。

Preface1. An Overview:Concepts,Units,and the Bohr Atom1.1 Introduction1.2 Nomenclature1.3 Energies,Units,and Particles1.4 Particle-Wave Duality and Lattice Spacing1.5 The Bohr ModelProblems2. Atomic Collisions and Backscattering Spectrometry2.1 Introduction2.2 Kinematics of Elastic Collisio

ns2.3 Rutherford Backscattering Spectrometry2.4 Scattering Cross Section and Impact Parameter2.5 Central Force Scattering2.6 Scattering Cross Section:Two-Body2.7 Deviations from Rutherford Scattering at Low and High Energy2.8 Low-Energy Ion Scattering2.9 Forward Recoil Spectrometry2.10 Center of Mas

s to Laboratory TransformationProblems3. Energy Loss of Light Ions and Backscattering Depth Profiles3.1 Introduction3.2 General Picture of Energy Loss and Units of Energy Loss3.3 Energy Loss of MeV Light Ions in Solids3.4 Energy Loss in Compounds Bragg’’s Rule3.5 The Energy Width in Backscattering3.

6 The Shape of the Backscattering Spectrum3.7 Depth Profiles with Rutherford Scattering3.8 Depth Resolution and Energy-Loss Straggling3.9 Hydrogen and Deuterium Depth Profiles3.10 Ranges of H and He Ions3.11 Sputtering and Limits to Sensitivity3.12 Summary of Scattering RelationsProblems4. Sputter D

epth Profiles and Secondary Ion Mass Spectroscopy4.1 Introduction4.2 Sputtering by Ion Bombardment—General Concepts4.3 Nuclear Energy Loss4.4 Sputtering Yield4.5 Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS)4.6 Secondary Neutral Mass Spectroscopy (SNMS) 4.7 Preferential Sputtering and Depth Profiles4.8 Int

erface Broadening and Ion Mixing4.9 Thomas-Fermi Statistical Model of the AtomProblems5. Ion Channeling5.1 Introduction5.2 Channeling in Single Crystals5.3 Lattice Location of Impurities in Crystals5.4 Channeling Flux Distributions 895.5 Surface Interaction via a Two-Atom Model5.6 The Surface Peak5.

7 Substrate Shadowing:Epitaxial Au on Ag(111) 5.8 Epitaxial Growth5.9 Thin Film AnalysisProblems6. Electron-Electron Interactions and the Depth Sensitivity of Electron Spectroscopies6.1 Introduction6.2 Electron Spectroscopies:Energy Analysis6.3 Escape Depth and Detected Volume6.4 Inelastic Electron-

Electron Collisions6.5 Electron Impact Ionization Cross Section6.6 Plasmons6.7 The Electron Mean Free Path6.8 Influence of Thin Film Morphology on Electron Attenuation6.9 Range of Electrons in Solids6.10 Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS)6.11 BremsstrahlungProblems7. X-ray Diffraction7.1 Intro

duction7.2 Bragg’’s Law in Real Space7.3 Coefficient of Thermal Expansion Measurements7.4 Texture Measurements in Polycrystalline Thin Films7.5 Strain Measurements in Epitaxial Layers7.6 Crystalline Structure7.7 Allowed Reflections and Relative IntensitiesProblems8. Electron Diffraction8.1 Introduct

ion8.2 Reciprocal Space8.3 Laue Equations8.4 Bragg’’s Law8.5 Ewald Sphere Synthesis8.6 The Electron Microscope8.7 Indexing Diffraction PatternsProblems9. Photon Absorption in Solids and EXAFS9.1 Introduction9.2 The Schrodinger Equation9.3 Wave Functions9.4 Quantum Numbers,Electron Configuration,and

Notation9.5 Transition Probability9.6 Photoelectric Effect Square-Well Approximation9.7 Photoelectric Transition Probability for a Hydrogenic Atom9.8 X-ray Absorption9.9 Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS)9.10 Time-Dependent Perturbation TheoryProblems10. X-ray Photoelectron Spectroscop

y10.1 Introduction10.2 Experimental Considerations10.3 Kinetic Energy of Photoelectrons10.4 Photoelectron Energy Spectrum10.5 Binding Energy and Final-State Effects10.6 Binding Energy Shifts—Chemical Shifts10.7 Quantitative AnalysisProblems11. Radiative Transitions and the Electron Microprobe11.1 In

troduction11.2 Nomenclature in X-Ray Spectroscopy11.3 Dipole Selection Rules11.4 Electron Microprobe11.5 Transition Rate for Spontaneous Emission11.6 Transition Rate for Kα Emission in Ni11.7 Electron Microprobe:Quantitative Analysis11.8 Particle-Induced X-Ray Emission (PIXE)11.9 Evaluation of the T

ransition Probability for Radiative Transitions11.10 Calculation of the Kβ/Kα RatioProblems12. Nonradiative Transitions and Auger Electron Spectroscopy12.1 Introduction12.2 Auger Transitions12.3 Yield of Auger Electrons and Fluorescence Yield12.4 Atomic Level Width and Lifetimes12.5 Auger Electron S

pectroscopy12.6 Quantitative Analysis12.7 Auger Depth ProfilesProblems13. Nuclear Techniques:Activation Analysis and Prompt Radiation Analysis13.1 Introduction13.2 Q Values and Kinetic Energies13.3 Radioactive Decay13.4 Radioactive Decay Law13.5 Radionuclide Production13.6 Activation Analysis13.7 Pr

ompt Radiation AnalysisProblems14. Scanning Probe Microscopy14.1 Introduction14.2 Scanning Tunneling Microscopy14.3 Atomic Force MicroscopyAppendix 1. Km for 4He+ as Projectile and Integer Target MassAppendix 2. Rutherford Scattering Cross Section of the Elements for 1 MeV4HeiAppendix 3. 4He+ Stoppi

ng Cross SectionsAppendix 4. Electron Configurations and Ionization Potentials of AtomsAppendix 5. Atomic Scattering FactorsAppendix 6. Electron Binding EnergiesAppendix 7. X-Ray Wavelengths (nm)Appendix 8. Mass Absorption Coefficient and DensitiesAppendix 9. KLL Auger Energies (eV)Appendix 10. Tabl

e of the ElementsAppendix 11. Table of Fluoresence Yields for K,L,and M ShellsAppendix 12. Physical Constants,Conversions,and Useful CombinationsAppendix 13. AcronymsIndex 對於國內的物理學工作者和青年學生來講,研讀國外優秀的物理學著作是系統掌握物理學知識的一個重要手段。但是,在國內並不能及時、方便地買到國外的圖書,且國外圖書不菲的價格往往令國內的讀者卻步,因此,把國外的優秀物理原著引進到國內,讓國內的讀者

能夠方便地以較低的價格購買是一項意義深遠的工作,將有助於國內物理學工作者和青年學生掌握國際物理學的前沿知識,進而推動我國物理學科研和教學的發展。 為了滿足國內讀者對國外優秀物理學著作的需求,科學出版社啟動了引進國外優秀著作的工作,出版社這一舉措得到了國內物理學界的積極響應和支持,很快成立了專家委員會,開展了選題的推薦和篩選工作,在出版社初造的書單基礎上確定了第一批引進的項目,這些圖書幾乎涉及了近代物理學的所有領域,既有闡述學科基本理論的經典名著,也有反映某一學科專題前沿的專著。在選擇圖書時,專家委員會遵循了以下原則:基礎理論方面的圖書強調「經典」,選擇了那些經得起時間檢驗、對物理學的發展

產生重要影響、現在還不「過時」的著作(如:狄拉克的《量子力學原理》)。反映物理學某一領域進展的著作強調「前沿」和「熱點」,根據國內物理學研究發展的實際情況,選擇了能夠體現相關學科最新進展,對有關方向的科研人員和研究生有重要參考價值的圖書。這些圖書都是最新版的,多數圖書都是2000年以后出版的,還有相當一部分是2006年出版的新書。因此,這套叢書具有權威性、前瞻性和應用性強的特點。由於國外出版社的要求,科學出版社對部分圖書進行了少量的翻譯和注釋(並且是目錄標題和練習題),但這並不會影響圖書「原汁原味」的感覺,可能還會方便國內讀者的閱讀和理解。 「他山之石,可以攻玉」,希望這套叢書的出版能夠為

國內物理學工作者和青年學生的工作和學習提供參考,也希望國內更多專家參與到這一工作中來,推薦更多的好書。

金奈米顆粒誘導氮摻雜石墨烯量子點之內濾效應用於水體中得恩地檢測

為了解決Auger yield的問題,作者趙芷君 這樣論述:

農藥在全球農業中扮演著舉足輕重的地位,然而隨著農藥的使用量增加,也逐漸衍伸出許多環境問題,其中得恩地為廣效性農藥,也經常使用在工業用途及民生用品中,其對水生生物危害極大,故偵測環境中的得恩地汙染顯得更加迫切。近年來檢測農藥的方式多為液相層析儀或拉曼光譜儀,這些檢測方法依賴昂貴、檢測耗時的實驗室分析儀器,不符合民生需求。故本研究期望開發出兼具簡單、經濟、環保、快速檢測及高靈敏度與選擇性之方法,以檢測水中之得恩地汙染。本研究基於檸檬酸鹽穩定的金奈米顆粒(AuNPs)誘導氮摻雜石墨烯量子點(N-GQDs)螢光的內濾效應(Inner filter effect, IFE)開發一種簡易的得恩地感測系統

。AuNPs可以有效地淬滅N-GQDs的螢光,而當得恩地存在時,由於得恩地與AuNPs的化學鍵生成,從而導致AuNPs聚集並使N-GQDs因內濾效應減少的螢光相應恢復。通過測量N-GQDs的螢光,評估得恩地的濃度。所開發之系統對得恩地的檢測範圍為300-1000 nM,最低偵測極限(LOD)為38.5 nM。此外,該方法對得恩地具有良好的選擇性,以及成功應用於湖水與河水中的得恩地測定,為檢測水樣中的得恩地汙染提供一個具有發展潛力的分析方法。

利用環狀小分子調整準-二維鈣鈦礦的相分佈以提升綠色發光二極體性能

為了解決Auger yield的問題,作者許巧欣 這樣論述:

準-二維鈣鈦礦(Quasi-2D perovskite)環境穩定性良好、激子結合能高及可調能隙等特性,使其適合應用於發光二極管(LED)。然而,溶液製程的Quasi-2D perovskite薄膜中,由於不可控的結晶行為,使其包含隨機分布的多種相,同時因晶體尺寸減小後產生的缺陷,也限制了輻射複合效率,導致器件性能低下。本研究利用小分子 Kryptofix® 222(Cry)作為添加劑,探討 Cry 對準-二維鈣鈦礦 PEA2Csn-1PbnBr3n+1(n=3)的相調控行為,並進一步提高綠光鈣鈦礦發光二極體元件性能。由紫外可見光光譜儀(UV-vis)的結果得知,添加 Cry 可有效抑制純二維

相(n=1)的生成,使得相分佈更加集中。透過場發式電子顯微鏡(FE-SEM)發現,Cry 有助於鈍化Quasi-2D perovskite薄膜,可良好地改善薄膜質量和形態。核磁共振光譜(NMR)則證實了 Cry 中的氮原子和氧原子,會與 前軀體PEABr 產生相互作用,進而抑制 PEABr 之間的π-π堆積,減少低維相的產生。它們與鈣鈦礦中的鉛離子也存在相互作用,其可減少未配位的鉛離子缺陷。整體而言,由於低維相的減少,晶界處的缺陷態被有效抑制。變溫螢光光譜(TDPL)及時間解析光激螢光光譜(TRPL)也證明了添加 Cry 後,激子轉移效率提升及同時具有一更長的lifetime。最終,我們成功製

備出一高效能鈣鈦礦發光二極體 (PeLEDs),其亮度為 15205 cd/m2,外部量子效率(EQE)為 3.16%,電致發光波長為 513 nm的綠色發光二極管。