XPS 荷電校正的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

鎵酸鉍/石墨化氮化碳之複合型光觸媒製備及其光還原CO2之應用

為了解決XPS 荷電校正的問題，作者鄭兆均 這樣論述：

光還原為可持續和綠色太陽能燃料以及有機化合物的光催化降解通常被認為是同時克服環境問題和能源危機的有吸引力的解決方案。本研究的主要目的是研究BixGayOz/g-C3N4 複合光催化劑用於光催化 CO2 還原為甲醇。由於成分的相對能帶排列，異質結構表現出高效的電荷分離並具有顯著的光催化氧化和還原能力，可用於甲醇生產。本論文採用化學沉澱法和水熱法合成了BixGayOz/g-C3N4複合材料。 X射線粉末衍射儀、場發射掃描電子顯微鏡能量色散X射線光譜儀、高分辨率X射線光電子能譜儀、漫反射光譜儀、比表面積分析儀和螢光光譜儀用於測試產品的分子元素組成、帶隙、化合物結構和氧化態。所有樣品的光催化活性

均基於在 254 nm 紫外輻射下 CO2 轉化為甲醇的情況進行評估。在紫外光照射下，在 450 mL NaOH 溶液中，0.05 g Ga2Bi1-2W-700-50wt% 複合催化劑達到最大甲醇生成率。該反應條件的結果表明RMeOH的甲醇形成速率= 3792.01 μmole/g-h。這項工作提供了一種簡單的策略來調整光催化劑和半導體異質結的能帶結構，以實現高效的光催化 CO2 還原。

調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性

為了解決XPS 荷電校正的問題，作者陳坤煌 這樣論述：

隨著半導體製程的變遷，銅金屬化連導線線寬和橫截面積縮小化，電子散射使電阻率增大，由於其高電子平均自由路徑，造成銅金屬已不足以使用。鈷與鎳金屬皆具有較低的電子平均自由路徑，在新一代連導線製程中具有相當的潛力。因此本實驗以電化學原子層沉積進行製備鈷鎳薄膜，改善縮小化後的溝槽高深寬比導致傳統濺鍍其階梯覆蓋率不足之問題，作為應用於奈米級積體電路連導線製程。本研究以鈷作為基板，以低電位沉積單層鈷原子，再利用表面侷限氧化還原反應以鎳離子置換鈷原子，藉由控制開路電位時間來獲得不同鎳含量之鈷鎳合金薄膜。本實驗著重於不同開路電位時間與調控鎳溶液的pH值探討之電流密度變化及成核機制，從電流密度-時間曲線觀察鈷原

子沉積狀態，由電位-時間曲線觀察到鈷-鎳置換反應之合金薄膜成長狀態，經電流瞬態曲線(j - t1/2)和Cottrell曲線(j - t-1/2)觀察鈷鎳置換反應動力學成核成長趨勢，並藉由場發射式電子顯微鏡觀察表面形貌、X-ray繞射儀進行結構分析、感應耦合電漿質譜儀進行薄膜成分定量分析、四點探針量測片電阻和電性分析。結果得知改變鎳溶液之pH值可有效擴大鈷與鎳之間的電位差，使得鎳的標準電位往正電位偏移，而獲得低含量鎳沉積與低電阻率表現，在表面形貌呈現均勻且緻密之鈷鎳合金薄膜。實驗結果得知，在5 mM CoSO4溶液添加9 mM H3BO3，低電位沉積電位為 -0.9 V，並以0.5 mM Ni

SO4控制pH值於5.6進行置換，開路電位時間為30秒，可得最低電阻率為27.72 -cm之薄膜，此薄膜具有平整均勻的表面形貌，為瞬時成核成長。其製程以電化學原子層沉積，對於線寬縮小化之應用，作為有潛力的半導體鈷連導線製程中。