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國立清華大學 經營管理碩士在職專班 丘宏昌所指導 林東宏的 商業創新模式對競爭優勢及定價策略之影響探討 —以ASML為例 （2020），提出asml光刻機關鍵因素是什麼，來自於商業創新、競爭優勢、定價策略、併購。
而第二篇論文國立臺灣大學 電子工程學研究所 毛明華所指導 蔡易廷的 以數位蝕刻法應用於垂直式砷化銦奈米線之尺寸微縮及其場效電晶體之特性研究 （2019），提出因為有 數位蝕刻、氧化層飽和、砷化銦、垂直式奈米線、電晶體的重點而找出了 asml光刻機的解答。
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拜登新局與美中台戰略轉型
為了解決asml光刻機 的問題，作者 這樣論述：
2021年2月4日美國總統拜登在國務院演說中，表達要以「外交成為外交政策中心」作為美國外部施政的核心。「外交中心」涉及美中台三方關係，拜登對外政策的變化，將對其他兩方產生重要的影響。 歐巴馬執政後期，美國國際政治學界針對美國從單極世界走向一超多強的世界體系，是否要讓渡部分權力給中、俄而引發辯論，其中美國戰略學派居於優勢，不但不打算採行「融合戰略」，反而踏上了「競爭戰略」道路。這也成為川普對外政策的焦點，並且在「美國優先」的立場上，實施無親疏的競爭戰略，導致美國國際承諾與形象受到難以彌補的侵蝕。拜登便是在川普的遺產下，建立「外交中心」的對外政策。 拜登「外交中
心」政策的總體核心目的、各分項目標、途徑和方法等，都是理解拜登政府對外政策的重要內容。本書透過領導思想、理論比較、技術戰略、國際機制、區域衝突和大國關係的議題進行討論，試圖回答拜登對外政策的圖像。
asml光刻機進入發燒排行的影片
本集節目由「ASML」贊助播出。
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＃ASML ＃微影設備
各節重點：
00:00 開頭
00:56 IC晶片是怎麼製成的？
01:40 微影技術是什麼？
02:41 卡關20年的微影技術
03:56 最先進的微影技術EUV
04:56 集頂尖技術於一身的EUV
06:41 開放創新的ASML
08:12 我們的觀點
09:43 結尾
【 製作團隊 】
｜ 客戶/專案經理：Pony
｜企劃：冰鱸、關節
｜腳本：冰鱸
｜編輯：土龍
｜剪輯後製：絲繡
｜剪輯助理：珊珊
｜演出：志祺
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【 本集參考資料 】
→半導體之島：https://bit.ly/3znkTK1
→【Did You Know? 如果EUV機台是印表機📄】：https://bit.ly/3khCXRF
→ASML in 1 minute：https://bit.ly/3nI3LNc
→Zoom in on the chip in your smartphone：https://bit.ly/3ErG4yj
→Be part of progress, work at ASML in Taiwan：https://bit.ly/3lCfU3D
→TRUMPF EUV lithography – This all happens in one second：https://bit.ly/3EsSOVG
→The Tech Cold War’s ‘Most Complicated Machine’ That’s Out of China’s Reach：https://nyti.ms/3tP9lyf
→挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程：https://bit.ly/2XlfyFY
→【一圖弄懂半導體】台積電與英特爾在追趕的奈米製程是什麼？：https://bit.ly/3EoKdTL
→半導體產業鏈簡介：https://bit.ly/2Xuo8Cw
→半導體解密：ASML光刻機憑什麼能一廠獨大？台積電總能買到最好的光刻機？ASML有對手嗎？：https://bit.ly/3zgyTWc
→EUV 極紫外光！一個你應該知道與 台積電 相關的技術：https://bit.ly/3EkWPeN
→「撞到要賠 30 億台幣的卡車！」台積電背後的「靈魂軍火商」求人才不惜下重本：https://bit.ly/3nGPFvp
→ASML來台設技術培訓中心！助攻台積電先進製程，年產360位工程師：https://bit.ly/3CkthMl
→EUV 設備每台重量高達 180 公噸，每次運輸必須動用 3 架次貨機：https://bit.ly/3tKgHDa
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商業創新模式對競爭優勢及定價策略之影響探討 —以ASML為例
為了解決asml光刻機 的問題，作者林東宏 這樣論述：
智慧型手機、5G、高校能運算、AI、物聯網、電動車等多元發展與高科技的應用需求下，半導體產業已成為先進科技的基礎產業。受限於半導體摩爾定律的限制，近年半導體發展可觀察到成長的動能變的緩慢，對於先進製程的投資大部分的科技大廠紛紛退出競爭行列，半導體設備商對於先進製程機台的研發以及量產布局的競爭策略，已成為突破未來成長動能趨緩必須思考的課題。此外，半導體製造與設備商在技術創新與成本的商業考量之下，為延續摩爾定律與先進製程研發，如何透過商業模式的創新，訂定不同內外部的定價策略持續公司成長，亦是各企業競逐先進製程大餅刻不容緩的議題。本研究透過企業創新模式的探討，分析其競爭優勢以及定價策略的差異，加上
產業未來可能趨勢與變化分析，找出半導體設備創新與策略方向。於半導體產業的晶圓微縮的競爭中，最重要的關鍵在於製程設備，擁有最先進的製程設備技術能夠使企業在產業中保持競爭力，但要能兼顧技術創新以及利潤最大化的競爭優勢，如何透過新方法有效率整合內外部資源，亦是擠身先進製程群的一大難題。研究發現製程的技術已經成為半導體產業延續優勢的利基，設備商與製造商緊密的合作，共同研發次世代設備，可能是突破物理條件限制的唯一解。本論文的研究方法，經由個案分析的方式來研究半導體微影設備商艾司摩爾 (ASML) 商業模式，如何應用創新模型分析持續將技術研發觸角向外延伸，強化自身的競爭優勢。其次，利用商業模式的創新，透過
與客戶之間的合作以及定價策略，來達成互惠雙贏進而成為微影設備的領先者。研究結果顯示，ASML技術上追趕著摩爾定律，商業模式鎖定先進製程市場，不斷地推出創新的產品，創造新的創新動能，同時藉由併購來強化技術、整合解決問題的技術，開創新的市場，加大與競爭對手在先進製程距離。本論文希望能透過個案分析及深度訪法結果分析個案，並期望能幫助半導體領域相關的公司，就此個案結果可以訂定公司競爭優勢及定價策略規劃之參考依據。
以數位蝕刻法應用於垂直式砷化銦奈米線之尺寸微縮及其場效電晶體之特性研究
為了解決asml光刻機 的問題，作者蔡易廷 這樣論述：
在本論文中，我們探討數位蝕刻方法在垂直式砷化銦(InAs)奈米線的特性，並應用於垂直式砷化銦奈米線電晶體元件。砷化銦奈米線樣品是利用分子束磊晶(MBE)法在重摻雜之矽(111)基板上沿著[111]方向成長。成長後反覆利用氧電漿將奈米線表面氧化及利用醇類(alcohol- based)酸性蝕刻液將表面氧化層去除。透過此數位蝕刻的步驟，一次可以將砷化銦奈米線微縮半徑約2.9nm。最終我們完成直徑為40nm之垂直式砷化銦奈米線。在電晶體製作方面，我們透過原子層沉積(ALD)技術以及真空濺鍍系統(Sputter)分別成長閘極氧化層以及閘極金屬，接著採用low-k聚合物─苯環丁烯(BCB)作為平坦化材
料及上下電極之間的間隔層，來有效地包覆住奈米線使其穩固垂直站立。隨後利用反應式離子蝕刻進行乾式蝕刻，蝕刻掉包覆於奈米線上半部之閘極金屬以定義閘極長度，同時露出奈米線頂端以利後續與上方電極形成歐姆接觸。接著以光學微影系統定義出上方電極位置並利用電子束蒸鍍機鍍上30nm鈦/100nm金。最後，我們直接以原先重摻雜之矽基板作為下方電極來完成垂直式砷化銦奈米線電晶體元件之製作。在電性量測上，我們成功製作出臨界電壓為-0.46V，且S.S.為137mV/decade的垂直式砷化銦奈米線電晶體，並將結果與文獻進行比較和討論。最後從文獻中探討未來該如何調整製程方向使砷化銦奈米線電晶體的電性能有進一步的提升。