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auger分析的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦長谷川愛寫的 20XX年革命家設計課──夢想、推測、思辨，藝術家打造未來社會的實踐之路 和李克駿,李克慧,李明逵的 半導體製程概論(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站第一章表面分析的基本概念也說明：... 歐傑電子能譜儀（Auger electron spectroscopy）和（2）低能量電子繞射儀（Low energy electron diffraction），都是表面敏感高（Surface Sensitive）的分析技術。
這兩本書分別來自積木文化 和全華圖書所出版 。
崑山科技大學 光電工程研究所 黃文昌、林天財所指導 高文賢的 氮化鎵基板上之歐姆接觸特性及氧化鋅奈米柱之成長研究 （2012），提出auger分析關鍵因素是什麼，來自於P型氮化鎵、歐姆接觸、氧化鋅奈米柱、溶膠凝膠法。
而第二篇論文義守大學 材料科學與工程學系 陳厚光所指導 吳文語的 以水熱法成長摻雜氧化鋅磊晶薄膜研究 （2011），提出因為有 的重點而找出了 auger分析的解答。
最後網站Auger电子能谱分析方法及其在2.25Cr—1Mo钢回火脆性中的应用則補充：【摘要】：介绍了Auger电子能谱(AES)分析方法、分析原理和试验过程,并对主要试验参数进行了讨论.同时,基于AES分析方法,对加氢反应器用2.25Cr-1Mo钢及其在步冷脆化和 ...
20XX年革命家設計課──夢想、推測、思辨，藝術家打造未來社會的實踐之路
為了解決auger分析 的問題，作者長谷川愛 這樣論述：
【夢想推薦】（依姓氏筆畫順序排列） 何樵暐︱Digital Medicine Lab創辦人 張鐵志︱VERSE社長暨總編輯 彭星凱 ︱臺北設計與藝術指導協會創辦人 鄭宇婷︱荷蘭安荷芬理工大學工業設計博士候選人與【推測居民】主編 從事藝術與設計工作的你，想過要為世界設計「另一種未來」嗎？ 長谷川愛於英國皇家藝術學院就學期間，參加了知名設計雙人團體Dunne & Raby的工作坊，徹底打開了視野。畢業後，長谷川愛於麻省理工學院擔任研究員，後又於東京大學執掌教職，此書是以她獨樹一格的授課內容為基礎而編撰。書中結合了作者自身學習分享、國際著名案例分析，以及來自印尼、臺
灣、中國及日本的精彩專文和訪談，附上紮實的課程學習單，以及幫助將想像化為現實的工具組：「革命家卡片」。 長谷川愛將「革命」精神帶入藝術、設計領域，師法對藝術下戰帖的杜象、從零創造文化價值的茶聖千利休、重新定義時尚的香奈兒等，一路來到COVID-19疫情籠罩的晦暗此刻，娓娓道出百年來的藝術家與設計師們如何透過對當下的執疑，想像出不一樣的未來──同性伴侶能否生下帶有兩人基因的孩子？人類可不可以選擇和動物繁衍下一代、共組家庭？大數據演算法之下，不斷加深的偏見是否能夠被突破？行動藝術家怎麼向大眾揭示真相、激發思辨？ 循著批判者的腳步，結合源自英國的「Speculative design」（推測／思
辨設計）練習，以及科幻作品中對未來的想像；作者將獨創的「20XX革命家設計課」獻給現代的設計師、藝術家們，讓善於質疑、推翻、突破的革命靈魂悄悄甦醒，徹底翻轉創作時的思考角度，看見新世界與新觀點的契機，用不同於以往的眼光構思作品。 「建立社會的是人，改變的也是人。長谷川愛稱為『夢想』的Speculative design態度，以人的痛苦與疑惑為開端，從掙扎著擺脫現狀的人們微小而轉瞬即逝的夢想中，凝聚、誕生。傾注於當下世界、幻想各種事物，就是社會革命的第一步。希望本書傳達的勇氣，能夠存在於每個人的心裡。」──塚田有那︱科學藝術媒體「Bound Baw」編集長 「推測設計為我們帶來忐忑的創作方法
。在談革命前，實踐者要先具備坦誠自身價值體系與信念的勇氣，批判長久以來將掩飾真實視為美德的設計觀。 長谷川愛以女性身份為基礎，於書中主導與關注的作品多聚焦性別、生育、權力與社會倫理關係；涉及方法時，則提供客觀開放的條件，並輔以專欄，讓讀者看到更多元而全面的觀點，理解設計如何能誠實、刺探、且發人深省。」──彭星凱︱臺北設計與藝術指導協會創辦人 「非常適合新手的入門書，從長谷川愛的作品中學習和反思：別具『臺味』的革命種子和推測思辨力又會是什麼呢？」──鄭宇婷︱荷蘭安荷芬理工大學工業設計博士候選人與【推測居民】主編 【審訂者簡介】 林沛瑩 清華大學生命科學系學士、輔系資工學系與人文社會學系。英國
皇家藝術學院設計互動系碩士。曾與友人共同創立台灣生物藝術社群與藝術團體㗊機體。曾得到STARTS Prize 2020年榮譽獎、Ars Electronica 2015年Hybrid Arts榮譽獎、2016年BioArt and Design Award、2015年Core 77 Speculative Concepts專業組設計獎。作品獲斯洛維尼亞建築與設計博物館永久收藏。
氮化鎵基板上之歐姆接觸特性及氧化鋅奈米柱之成長研究
為了解決auger分析 的問題，作者高文賢 這樣論述：
本文介紹在氮化鎵基板上製作歐姆接觸及成長氧化鋅奈米柱之成長研究。氮化鎵之歐姆接觸結構為：MZO/Ni/p-GaN；其中摻鉬之氧化鋅薄膜(MZO)為高濃度摻雜之透明導電膜，Ni為高功函數之金屬作為MZO與p-GaN間之緩衝層以促進歐姆接觸。本結構經快速熱退火750℃、30秒後，所獲得之特徵接觸電阻值為5.83×10-2 Ω- cm2。此歐姆接觸乃是由於形成NiO之化合物於MZO與p-GaN所致。並且此結構經熱退火後仍具有平滑之表面。關於氧化鋅奈米柱，我們將以水溶液法製備氧化鋅奈米柱，因水溶液法擁有低成本、簡單及低溫成長之優點。氧化鋅奈米柱分別成長在有氧化鋅薄膜晶種層以及無晶種層的氮化鎵基板上；
而氧化鋅薄膜晶種層是以溶膠凝膠法浸塗於 P型氮化鎵基板上，並於快速退火爐 600℃處理獲得。成長氧化鋅奈米柱為硝酸鋅和環六亞乙甲基四胺之水溶液，摩爾濃度比為 1:1，分別調製三種不同濃度 0.01、0.05、及0.075M的混合水溶液，在95℃的環境下、3小時，成長氧化鋅奈米柱。結果顯示低濃度時所成長奈米柱直徑較大分佈較稀疏，高濃度時成長直徑較小較緊密，PL 分析有晶種層在 0.05 M 有最強之發光波長。
半導體製程概論(第四版)
為了解決auger分析 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
以水熱法成長摻雜氧化鋅磊晶薄膜研究
為了解決auger分析 的問題，作者吳文語 這樣論述：
本研究主要探討在單晶氧化鋁基板上利用水熱法成長摻雜氧化鋅磊晶薄膜之研究。實驗分為兩個部分進行，第一部分是針對比較HMT及氨水水溶液系統對於成長未摻雜氧化鋅磊晶薄膜的影響，藉此找出成長氧化鋅薄膜的最佳參數以利後續進行摻雜實驗。第二部分則是探討嘗試在水熱法水溶液中添加不同鉀離子鹽類(硝酸鉀及醋酸鉀)來進行摻雜氧化鋅薄膜地成長，並探討不同添加條件對於薄膜表面形貌及電性之影響。結果顯示，未添加鉀的試片在兩個水溶液系統中皆相當平整且其磊晶品質相當好。添加後，特別是添加醋酸鉀，在兩個系統中表面形貌將隨著添加濃度而變不平整。磊晶品質亦會隨著添加濃度上升而變差，氨水系統中變化較HMT系統明顯。藉由XPS化學
成分分析，得知以水熱法成長的試片中含有OH鍵及鋅間隙。經由XPS檢測，不論是在水溶液中添加硝酸鉀或醋酸鉀，鉀原子都無法順利摻雜進入氧化鋅的晶格。然而不論是在HMT或氨水系統成長的試片，卻都有氮原子殘留。在電性量測部分，由於大部分水熱法成長試片帶有相當多OH及鋅間隙，因此大都表現皆為n型半導體導電特性。值得注意其部分在HMT水溶液系統中成長未摻雜氧化鋅試片卻量測到p型電性，其可能原因推測是因為在水熱法成長過程，大量氨根參與氧化鋅晶體成長，導致部分氮殘留於氧化鋅晶格內，並產生受體能階所致。然而經由水熱法成長的氧化鋅試片，其電性表現並不穩定，其電阻率及載子濃度會隨時間而逐漸變化。最後則嘗試將是試片分
別在真空環境及氮氣環境中進行後製程退火，發現試片經由適當條件退火，將會呈現穩定的電性。