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反向式光罩與光源合成於光學微影解析度之提升

為了解決cdu半導體的問題，作者余瑞晉 這樣論述：

隨著互補式金屬氧化物半導體(CMOS)朝著20奈米的節點推進，許多已被提出的解析度增益技術(Resolution Enhancement Technique，RET)有著不同程度的成功應用，其中包括光學鄰近修正術(Optical Proximity Correction，OPC)、浸潤式微影術(Immersion Lithography)、兩次圖案技術(Double Patterning) 、反向式微影術(Inverse Lithography，IL)以及光源光罩最佳化(Source and Mask Optimization，SMO)，然而在眾多RET技術中如何做選擇乃須審慎考量成本與圖形

保真度(Pattern Fidelity)之間的平衡，因此本論文將目標著眼於利用反向式微影技術最佳化光罩(第三章與第四章)、光源最佳化用於自由型式光源之設計(第五章)以及產業接受度高的光源與光罩最佳化(第六章)於深次波長解析度增益之提升。 本論文的第一章概括介紹了現今微影技術的相關發展，其中包含目前主流技術與下一世代的候選技術，根據文中所引用文獻的調查結果使用反向式微影技術所優化的光罩以及光源與光罩最佳化設計在大量生產製造(High Value Manufacturing，HVM)上較其他下一世代微影技術更具成本優勢，第二章主要為探討以及分析在光學微影技術之影像形成的原理機制，並同時推導

與歸納本論文所需的公式與數值方法，本文以波動光學的角度再次推導了 Abbe 與 Hopkins 兩種部分同調成像的影像公式。 在本論文的第三章提出了以波前為主像素翻轉(Wavefront-Based Pixel Inversion) 的反向式演算法在標準OPC流程之前快速計算出以模型為主的次解析輔助特徵(Model-Based Sub-Resolution Assist Features，MB-SRAFs)，另外藉由搭配圖形簡化的技術可使得經由反向式計算所產生的初步光罩圖形順利銜接後的OPC流程，結果顯示搭配所提出之反向式光罩修正流程可改善22.34%的邊緣配置誤差(Edge Place

ment Error，EPE)，而反應影像對比好壞的參數 – 常態化的影像指數斜率(Normalized Image Log Slop，NILS)僅變差了1.93%，然而使用反向式微影技術成敗與否乃取決於其價值方程式(Cost Function)的設計優劣，但是如何設計價值方程式以及其中的訣竅仍鮮少被討論，因此在第四章調查了兩個廣泛被使用的價值方程式其為光學影像以及光阻影像，另外亦設計了影像對比度的價值方程式並進行研究，最後發現同時搭配使用多個價值方程式情況下，設定較大係數於光阻影像價值方程式並搭配較小係數之光學影像或影像對比度的價值方程式可得到較好的修正光罩與成像結果。 在光源修正的部

分，一般用來描述光阻化學反應的Sigmoid函數轉換使得光阻影像為一光學影像之非線性函數形式，如此便使得光阻影像在光源最佳化與光源光罩最佳化的使用受限，因此在第五章提出了一個利用結合兩個評估等高曲線影像優劣之二次價值方程式的方法近似Sigmoid函數轉換所模擬之光阻影像價值方程式進而可達到快速收斂之目的，此外本章使用了共軛方向梯度演算法使得疊帶次數在少於光源變數個數的情況下即可收斂，其結果與利用Sigmoid函數所得之最佳化光源極為相似，而使用本論文所提之方法可提升100倍以上的速度且改善了部分光罩圖形的製程窗口(Process Window)。 此外由於近來自由型式光源的問世，除了圖形

解析度更進一步被提升外亦降低了光罩的複雜性進而減少了製程失敗的風險，因此接續第五章的研究，第六章提出了利用事先所儲存之不同光罩圖形結構的最佳化光源進行線性疊加以求得整體最佳化之光源的辦法，文中證明了用於線性疊加之光源所需係數可由Hopkins公式以及二次方程求得其解析解，相較於使用最佳調整的環形光源所修正之光罩，利用本文提出之方法所合成的光源搭配以模型為主的OPC修正可改善40%以上的邊緣配置誤差、提升50%以上的聚焦深度以及80%以上的製程窗口面積。

從散射測量對微影線上製程控制的研究

為了解決cdu半導體的問題，作者王忠誠 這樣論述：

隨著微影技術的不斷地向更小線寬發展，CD 量測的準確性以及製程線寬的控制，變的越來越重要；提高晶圓內CD的一致性同時也有助於提高量產的良率。然而，自光阻從原來的DNQ/Novolak光阻轉換成專為Deep UV 設計的CAR( Chemical Amplified Resist )光阻後，PEB( Post Exposure Bake )儼然成了目前微影製程中控制線寬一致性的關鍵因素。對於奈米微影製程¬而言，傳統CD的量測方式似乎接近半導體元件解析度的有效極限；以臨界尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)的量測方式，是由上而下的觀測，並無法提供很詳細的邊緣和底部的特徵數據；除非以破壞性的切片方式

，否則無法量得縱深的數據；但這種方法不及時且費時費力。因此隨著半導體技術的進步，量測上的需求，發展出基於散射測量法(Scatterometry) 的光學參數測量法成為新一代的CD測量方法。目前控制PEB溫度的關鍵在於熱板的控溫，但是不論熱板溫度的校正誤差有多精確，似乎仍無法滿足目前奈米微影對CDU的嚴苛要求；之前也有人嘗試以顯影後的CD值來作PEB熱板的調校，以便將晶圓內CD的一致性降到更好的境界；這些PEB熱板調校的CD值量測，仍然是使用SEM來做量測，因此在量測的點數與時間上，似乎無法達到即時；隨著光學參數測量法的引進，由於其準確、快速及能提供更詳細數據的特性，似乎對以顯影後CD值來調教P

EB溫度的方式，有了新的方向。本論文嘗試探討散射測量法(Scatterometry) 的光學參數測量法與 SEM的匹配性，並使用整合於Track機台中光學量測技術，搭配CD最佳化的運算軟體，利用其即時、便利的特性，直接對PEB熱板作溫度的回饋補償，以期能得到更佳的晶圓內CD的一致性。