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創新材料學

為了解決led結構的問題，作者田民波 這樣論述：

　　《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。

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乾蝕刻技術於磷化鋁銦鎵材料開發

為了解決led結構的問題，作者邱雨潔 這樣論述：

本論文研究題目為乾蝕刻技術於AlGaInP材料，並透過End Point Detector精準將AlGaInP蝕刻於製程所需之深度。蝕刻製程參數包含上部及下部RF power、Susceptor Temperature、製程壓力及製程氣體流量，收集數據及觀察結果，找出最佳的蝕刻參數與結果。收集End Point Detector訊號，並開發出數學運算式，使Endpoint訊號可以反饋精準控制蝕刻深度。最佳的實驗結果如下所示：蝕刻率566nm/min、蝕刻角度74˚以及AlGaInP/SiO2選擇比9.0。也順利地處理End Point Detector訊號，從四個波長中挑選出波長417 nm

的Ga訊號，經過一連串的數學運算，為取平均、Normalize及微分，再加上運算式後成功抓取Endpoint，並準確地蝕刻至GaP層。

光電系統與應用

為了解決led結構的問題，作者林奇鋒,林宸生,張文陽 這樣論述：

　　本書為教育部顧問室「半導體與光電產業先進設備人才培育計畫」之成果，包含了光電系統之基本原理、架構與發展、應用及趨勢，各章節主題條列如下：第一章太陽能與光電半導體基礎理論、第二章半導體概念與能帶、第三章光電半導體元件種類、第四章位置編碼器、第五章雷射干涉儀、第六章感測元件（光電、溫度、磁性、速度）、第七章光學影像系統元件、第八章太陽電池元件的原理與應用（矽晶太陽電池，化合物太陽電池，染料及有機太陽電池）、第九章材料科技在太陽光電的應用發展、第十章LED 原理及驅動電路設計、第十一章散熱設計及電路規劃、第十二章LED 照明燈具應用；各章節內容分明，清楚完整。 　　本書可作為大專院校專業課程

教材，適用於光電、電子、電機、 機械、材料、化工等理工科系之教科書，同時亦適合一般想瞭解光電知識的大眾閱讀。同時可提供企業中現職從事策略管理、或是新事業開發、業務、行銷、研究、企劃等人員作為參考，或給有興趣學習與研究的學生深入理解與認識光電科技。 本書特色 　　．本書為教育部顧問室「半導體與光電產業先進設備人才培育計畫」之成果。　　．包含了光電系統之基本原理、架構、發展、應用及趨勢，章節清楚完整。　　．可作為大專院校專業課程教材，適用於光電、電子、電機、 機械、材料、化工等理工科系之教科書，同時亦適合一般想瞭解光電知識的大眾閱讀。 作者簡介 林奇鋒 　　現職：聯合大學光電工程學系助理教授　　學

歷：國立台灣大學光電工程學研究所博士 林宸生　　　　現職：逢甲大學自動控制系特聘教授　　學歷：中央大學光電博士 張文陽 　　現職：虎尾科技大學機械與電腦輔助工程系助理教授　　學歷：國立成功大學工程科學所博士 王永成 　　現職：雲林科技大學機械工程系暨產業精密機械研究所副教授　　學歷：德國伊棉瑙工科大學工學博士 陳進益 　　現職：虎尾科技大學機械與電腦輔助工程系助理教授　　學歷：國立台灣科技大學電機所博士 李昆益 　　現職：中華科技大學電機系教授 　　學歷：　　大同大學電機工程博士　　俄羅斯 VNIISIMS 國家半導體材料研究所   進修藍寶石長晶技術 陳坤煌 　　現職：逢甲大學電機工程系教

授　　學歷：國立交通大學光電所博士 李孝貽 　　現職：高雄應用科技大學電機工程系教授　　學歷：國立中央大學光電博士

不同SMD LED封裝結構之發光角度及發光強度研究

為了解決led結構的問題，作者李厚德 這樣論述：

發光二極體(Light-Emitting Diode)具有製程簡易、成本低廉、壽命長等優勢，已被廣泛使用在各領域上，本實驗的發光二極體為壓模(Transfer Molding)製程形式，使用兩組高碳鋼模具將環氧樹脂(Epoxy)以兩次射出成型方式完成LED封裝結構，實驗共製作了六種不同結構模具，分析量測數據並探討三種類型晶片(InGaN Blue, InGaN Green, AlInGaP Green)搭配六種封裝結構之發光角度與發光強度差異，使用回歸分析法建立其回歸方程式，找出模具設計參數的顯著影響因子，實驗結果得知三種晶片在發光強度上趨勢是一致的，主要影響因子皆為LED結構的開口深度，其

次為下孔徑尺寸，上孔徑則是對亮度影響最小的因子，InGaN藍光晶片在上孔徑0.36 mm、下孔徑0.22 mm搭配0.27 mm開口深度的實驗結果亮度最高，較其他同晶片組別最多提升亮度87.51%，在相同參數結構下InGaN綠光晶片提升18.87%，AlInGaP綠光晶片提升25.19%，未來還可藉由實驗得到的亮度及角度回歸方程式精準預估目標值，對於模具設計與LED光學特性之預測帶來許多便捷。