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光電子學：原理、元件與應用(第六版)

為了解決modulation效果器的問題，作者林螢光  這樣論述：

　　光電科技及光電裝置已大量應用在各種產業之中，本書介紹各類光電裝置之工作原理與光電轉換機制；有雷射原理與控制雷射光的方法、檢光器原理、半導體雷射、光波導器件等等。內容涵蓋主要之光電裝置，為一本廣度充足、深度適中的讀本！本書適用於大學、科大電子、電機系或研究所和產業界對光電有興趣之工程、研發人員使用。 本書特色 　　1.本書內容資料新穎並種類寬廣，是研習光電科技者最佳選擇。 　　2.本書介紹各類光電裝置之工作原理，分別有雷射原理與控制雷射光的方法、光檢器原理、顯示器、半導體雷射、光波導器等。是一本廣度充足、深度適中的讀本！ 　　3.中文編寫之高科技圖書，流暢易讀，學

習效果更甚市售英文光電書籍。

modulation效果器進入發燒排行的影片

植基於5G多型態網路環境下使用區塊鏈技術進行身份驗證之研究

為了解決modulation效果器的問題，作者高一陳 這樣論述：

5G的巨量通訊和低延遲通訊兩個特性，對於企業加速數位轉型時的應用非常重要，尤其是現在已經進入工業4.0時代，網路通訊品質格外重要，結合5G通訊特性及Wi-Fi 6優點的多型態網路，儼然已成為網路新時代的架構，惟本國目前的5G架構因為成本建置考量，尚屬於NSA架構，或許未來硬體更成熟，成本較低時，或許也會採用SA。使用區塊鏈3.0的技術主要是它針對物聯網有提供相當完整及方便的函數庫，而且區塊鏈3.0的特性是不用挖礦，沒有礦工角色，而且越多人使用，驗證速度越快，與區塊鏈1.0或2.0技術不一樣。將傳統的紙本證件，使用區塊鏈3.0技術，將它轉成電子化資料，只要儲存認證完成的交易代碼，就能夠透過此代

碼找到相關原始資料，傳統書面證書或者紙本資料，轉為具有區塊鏈技術架構的數位證書，已經是未來的趨勢。利用IOTA技術提供5G驗證與Wi-Fi 6驗證結合，透過Python 跟C# .Net電腦語言，實作出應用區塊鏈3.0技術來驗證物聯網設備在多型態網路的環境下，可以達到驗證效果，這是本研究的主軸，跳脫傳統的驗證方式，且更具安全性的驗證。

The Kelvin probe force microscopy and its related technology with high sensitivity and high resolution

為了解決modulation效果器的問題，作者馬宗敏 這樣論述：

主要總結了作者近年來在超高真空非接觸式原子力顯微鏡（UHV-NC-AFM）和開爾文探針力顯微鏡（KPFM）方向的科研成果，以及相關技術的開發和應用。 　 　 《高靈敏及高分辨KPFM及其相關技術/納米光子學叢書》介紹了AFM、KPFM及其相關技術的原理、成像特點以及應用範圍；重點介紹了常溫／低溫 AFM、KPFM等儀器關鍵技術及搭建難點，及運用上述儀器取得的典型成果；並介紹了極端環境（超低溫、超高真空）下AFM在氧化物表面的探針修飾、原子識別技術成果；針對在KPFM測量過程中出現的雜散電容效應及幻影力作用，提出了抑制上述兩種效應的外差調幅KPFM、無回饋KPFM方法，並給出了這兩 種方法的原理

及實驗效果。 　　 《高靈敏及高分辨KPFM及其相關技術/納米光子學叢書》可作為儀器學科、表面科學以及測量專業本科生和研究生相應課程的參考書，也可供相關領域的專業人員參考使用。 馬宗敏，教授，主要從事超高分辨精密測量 、固態量子傳感等方向的研究工作。提出了鐵磁共振磁交換力顯微鏡方法，建立了基於塞曼分裂的鐵磁共振磁交換力顯微系統模型，自主搭建了基於超高真空原子力 顯微鏡的磁資訊測量平臺，得到了典型磁性材料的高分辨成像。提出了外差調幅開爾文力探針顯微方法，建立了基於該方法的理論模型，同時從理論和實驗上將 AM-KPFM的雜散電容降低了90%以上，靈敏度比調頻開爾文力探針顯微提高

了2～3倍。提出了基於金剛石氮空位色心（NV center）的固態磁感測器、陀螺儀方法與技術，完成了靈敏度較高的原子磁強計樣機研製。   近年來，作為負責人主持國家科技部重點研發計畫課題、國家自然 科學基金委員會面上基金、國家國防科技工業局國防基礎科研等專案。發表SCI論文30餘篇。 Chapter 1 Introduction 1．1 Preface 1．1．2 Surface Charge 1．1．4 Artifact Induced in The KPFM 1．3 0utline Chapter 2 Theory of Noncontact Atomic-Force

Microscopy 2．1 Preface 2．2 Atomic-Force Microscopy 2．2．4 Principle of The Cantilever 2．3 Applications of SPM in Micro Measurements/Nano 2．3．2 Microelectronics/Nanoelectronics 2．3．4 Manipulation and Spectroscopy Chapter 3 Kelvin Probe Force Microscopy 3．2 Amplitude Modulation and Frequency Modulati

on 3．3 Minimum Detectable Contact Potential Difference in AM-and FM-KPFMs 3．4 KPFM in Electrostatic Force Measurements 3．5 Conclusion Chapter 4 NC-AFM/KPFM Equipment 4．1 Preface 4．3．2 Fiber and Sample Approach Stages 4．3．3 Tube Scanner 4．3．4 Cantilever and Sample Holders 4．3．5 Vibration Isolation S

ystem 4．4．1 0ptical Interference Theory 4．4．2 Interferometer Detection 4．5 W-Sputteringlnstrument …… Chapter 5 Atomic Resolution on Cu(ll0)-0 Surface with NC-AFM Chapter 6 Clarification of Stray Capacitance Effect with Heterodyne-AM KPFM(HAM-KPEM) at Atomic Resolution Chapter 7 Phantom Force Elimina

tion Using FM-KPFM without Feedback at Atomic Resolution Appendix Ⅰ Appendix Ⅱ 近年來，以掃描探針為代表的超高分辨量子精密測量技術取得了長足進展，是人類認識微觀、納觀，甚至原子的“眼睛”，在三維形貌、電荷量、自旋等物理量測量方面，已經達到原子解析度（小於10-10m）。蓋爾德·賓尼（Gerd Bining）和海因裡希·羅雷爾（Heinrich Rohrer）的掃描隧道顯微鏡（STM），以及赫爾（Stefan Hell）、貝茲（Eric Betzig）等的超分辨螢光顯微技術由於實現了對半導體、有機物

的原子（納米）解析度成像而獲得了諾貝爾物理學（化學）獎。因此，誰掌握了精密測量技術，誰就擁有了通向微觀世界的鑰匙。 　　 高分辨開爾文探針力顯微鏡（KPFM）是基於原子力顯微鏡（AFM）的掃描探針技術（SPM），通過測量和改變探針和樣品間的局域接觸勢能差（LCPD），實現了納米甚至原子尺度的量子材料精確設計和控制，成為“由下而上”製備原子級感測器、原子／分子開關、量子記憶體等量子器件最關鍵的技術之一。 　　 KPFM通過測量金屬AFM探針和樣品間LCPD進行高分辨功函數或材料表面成像。自從1991年由非內馬赫（Nonnenmacher）等提出以來，KPFM已經廣泛應用于金屬納米材料量子尺寸效應

的電學特性表徵、半導體納米材料和表面電學特性分析與表徵，以及半導體電子器件高分辨表面勢能測量與表徵。在材料性能的極限測量與顯微方面，目前，已實現半導體、絕緣體及導體材料的表面電荷分佈、局域接觸勢能差、電荷間傳輸、三維靜電力與力譜測量等納米級或原子級電荷解析度測量；實現了帶電粒子的高精度識別與控制（單電荷），為相關物理現象解析、原子尺度電荷操控提供了新的方法和技術。在納機電系統測量與構建方面，利用KPFM的電荷操控能力可以實現納機電系統的製備，完成分子／原子級的電子器件功能化設計。KPFM可以為原子級機電系統（單分子開關）驗證及未來的實用化打下基礎。在電子器件表徵與測量方面，利用KPFM還可以進

行絕緣材料（例如電解液氧化聚乙烯，電池或者濕度傳感器皿）內部空間電荷的形成、三維測量及移動，這為微納米能量記憶體件開發、納米級電荷光刻技術等納電子器件研發提供了新的工具和方法。 　　 作者自2008年踏入掃描探針顯微鏡領域以來，已過去了十幾年，期間師從日本大阪大學菅原康弘教授和李豔君教授，主要從事NC-AFM及KPFM新方法探索與材料測量，在原子分子操縱、表面電荷傳輸、功函數測量方面進行了一系列研究。近幾年，作者充分感受到了日本式嚴謹、踏實的科研精神；特別是近年來在中日雙方合作專案支援下，我們在AFM、KPFM領域一直保持著密切的合作和聯繫；同時，作者也認識到在該領域中國與日本及其他發達國家還

有不小的差距，急需在方法、技術及儀器等方面全方位追趕。 　　 在本書撰寫過程中，作者有幸得到了多位導師、友人的幫助和支持。首先對菅原康弘教授和李豔君教授多年來的培養及共同合作研究表示深深地感謝，沒有他們的幫助，本書不可能完成。感謝課題組張文棟教授、劉俊教授、熊繼軍教授及薛晨陽教授，沒有他們多年來的關心和支持，中北大學在AFM、KPFM方向的確立和發展是不可想像的。特別感謝劉俊教授多年來的栽培和指導，劉教授高瞻遠矚，能夠把複雜問題簡單化，加快了AFM在精密測量領域的應用和發展。 　　 最後還要感謝家人多年來的支持和鼓勵。感謝我的妻子烏日嘎女士，感謝她多年來對全家的付出和犧牲；感謝兒子的到來，讓我

體會到作為一個父親的責任和擔當，也讓我有幸和他一起成長；感謝我的母親和離世多年的父親，他們苦難和堅韌的人生是支撐我走下去的力量源泉。

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決modulation效果器的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。