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另外網站TFT液晶显示器与CRT显示器的比较 - 电源网也說明：TFT 液晶显示器与CRT显示器的比较. 2012-08-07 14:19 来源：电源网 编辑：兔子. 液晶显示器和CRT显示器无论是在电路组成、工作原理，还是在性能参数等各方面均有较大的 ...

國立陽明交通大學 電子物理系所 趙天生所指導 陳威諺的 應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響 （2021），提出tft與mosfet的比較關鍵因素是什麼，來自於多晶矽、應力、閘極全環繞電晶體、結晶性、可靠度。

而第二篇論文國立清華大學 電子工程研究所 徐永珍所指導 陳鈺琅的 基於超薄氧化鋅通道以及金屬吸光層之紅外光偵測元件 （2021），提出因為有 紅外光偵測器、熱載子、矽基、氧化鋅的重點而找出了 tft與mosfet的比較的解答。

最後網站高性能新穎T型閘極複晶矽薄膜電晶體之研究 - 中興大學機構 ...則補充：[1.6] T. Yamashita et al., “A very small poly-Si TFT-LCD for HDTV ... M. Qin, Ping K. Ko, Yangyuan Wang, “Single Grain Thin Film Transistor (TFT) with SOI ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了tft與mosfet的比較，大家也想知道這些：

應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響

為了解決tft與mosfet的比較的問題，作者陳威諺 這樣論述：

多晶矽因為其易堆疊性與低製程熱預算而被視為未來有機會實現三維晶片的材料，然而，多晶矽因結晶性較差而有較低的載子遷移率，進而影響其電性表現。為了使多晶矽元件能達到三維晶片電性需求，提升多晶矽結晶性成為實現三維晶片的重要的課題。在本篇論文中，我們成功製作出側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體，並利用改變上層氮化矽厚度施加更大的應力於通道，藉此製作出結晶性更佳的電晶體。我們製作出上層氮化矽為 40 奈米、60 奈米及 80 奈米的多晶矽電晶體，並透過材料分析與電性比較來研究應力與結晶性的關係。研究發現，上層氮化物為 60 奈米之元件因其在結晶時感受到最大的應力，所以結晶速度最慢，最慢的結晶速度能成長出

最大的晶粒與最少的結晶缺陷。透過材料分析與電性量測，我們證實了上層氮化物為 60 奈米之元件有最好的結晶性與電性。此外，我們對不同上層氮化物厚度的側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體的溫度穩定性、閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度做了深入的研究。上層氮化物為 60 奈米之元件因其結晶性較佳所以有較好的通道與閘極氧化層介面，因此在高溫時有較少的次臨界擺幅衰退；也因其有較佳的結晶性與較少的晶界，晶界導致的電場加強效應較不明顯，因此展現出較佳的閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度。此外，因為熱載子造成的碰撞解離相比於閘極偏壓時的主要衰退機制-氧化層電荷捕獲有更低的活化能，因此熱載子可靠度對結晶性有更高的敏感度。總結來

說，調變應力能大幅提升元件電性與可靠度，適合應用於未來三維晶片製程。

基於超薄氧化鋅通道以及金屬吸光層之紅外光偵測元件

為了解決tft與mosfet的比較的問題，作者陳鈺琅 這樣論述：

本論文旨在設計出可在室溫下操作的矽基(Silicon-based)熱載子式紅外光偵測器，同時也可作為熱載子種類之檢測平台。本論文中以超薄氧化鋅作為傳導電流的通道，以超薄摻鎵氧化鋅作為電極，並以銀作為收光材料。矽基光偵測器因結構簡單而備受關注，但若入射光子的能量小於矽的能隙，將無法貢獻有效的光電流，因此在收光材料的選擇上需做出相對應的改變。藉由金屬照光會產生熱載子的機制，本論文選擇銀作為吸收紅外光的材料，使得矽基之光偵測器可操作於光子能量小於矽塊材能隙的1550nm波段，此波段在光通訊中扮演關鍵的角色。相較於其他傳統的薄膜沉積技術，原子層沉積技術(Atomic layer deposition

, ALD)因為在每一個製程循環僅會形成一個原子層厚度的薄膜，可以達到極為精準的厚度控制，並且因為成長過程被侷限在基板表面，就算在具有結構的表面也能得到很好的覆蓋率與均勻性。由於本論文在光學及電學特性方面對薄膜厚度的變化十分敏感，故選擇原子層沉積法及臨場摻雜技術作為本論文的製程方法。實驗結果顯示，金屬照光後會有部分熱載子躍過蕭特基位障，被橫向電場收集，形成有效的光電流，而光電流的大小則與金屬厚度有關。在1 V的偏壓下，厚度為10 nm的銀薄膜在照射波長1550 nm、功率0.5 mW的紅外光雷射後，會有大約206.63 nA的過量電流產生，其響應度約為41.59 μA/W；在相同偏壓條件下，厚

度為5 nm的銀薄膜則可產生大約228.05 nA的過量電流，其響應度約為45.61 μA/W。另外，從IR開關測試的實驗結果可以判斷金屬照光後產生的熱載子種類，根據本論文的量測結果可以推論出銀在照射1550 nm紅外光後產生的熱載子種類為電子。

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