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從零開始的3D設計之旅：Blender 3D入門教材

為了解決uv轉印機的問題，作者游峰碩 這樣論述：

　　從基礎模型建構到動畫製作，全面感受3D製作高效率的設計表現 　　邁入Blender 3D讓人人都可以成為設計師 　　功能媲美商業級的3D軟體， 　　Blender 3D以免費的方式提供給全球廣大的學習者， 　　並有活躍的開發者社群協助解決疑難雜症 　　本書是為了Blender 3D初學者所撰寫，書中內容由淺入深，循序漸進解說Blender 3D的各項功能，帶領讀者從零開始一步步地邁入3D設計的世界中。全書共分兩大部份，第1至6章為基礎教學，目的是培養學習者掌握基本的概念與操作，包括Blender 3D介面環境的了解與基本操作、3D幾何物件的操作、好用又便捷的3D物體編輯功能、幾何修

改器進階與應用的相關知識。 　　本書第7至12章則以單一主題來進行案例整合應用製作，並從中學習更進階的3D製作，包括古典中式涼亭設計、客廳室內設計、手機外殼設計、迷霧森林場景設計、噴霧芳香劑設計、圓頂教堂建築設計等。透過豐富的實例演練，除了熟悉設計技巧外，也加強材質、著色器、和燈光的基礎操作與應用。對於增進使用Blender 3D的經驗養成，將有大大提升的效果。 本書特色 　　◎使用Blender 3D進行Low Poly物件及場景建構。 　　◎學習應用貝茲（Bezier）曲線建構複雜的3D模型。 　　◎運用物理修改器的布料與碰撞修改器進行創作。 　　◎利用粒子系統簡化微小物件的建模，提

升開發效率。

uv轉印機進入發燒排行的影片

氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究

為了解決uv轉印機的問題，作者趙晉得 這樣論述：

本論文研究氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究，藉由導入透明導電材料氧化銦錫作為串接太陽能電池之介面電極，首先將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具鋁背表面電場之太陽能電池之正面，其改變參數為濺鍍功率、時間及濺鍍工作壓力，接著透過霍爾效應分析儀、紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀、熱電子型場發射掃描式電子顯微鏡及紫外光光電子光譜儀探討氧化銦錫的薄膜特性，進一步，亦將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，探討其對元件的光電特性之影響。 實驗結果顯示，在濺鍍功率固定時，光電轉換效率隨著濺鍍時間增加而下降，當濺鍍功率從50

W變動至60 W時，以55 W濺鍍功率其光電轉換效率衰減較小，接著在55 W的濺鍍功率下，探討濺鍍工作壓力的影響，實驗結果顯示，當工作壓力在 7 mTorr時，其光電轉換效率衰減最小，只有-2.44%。經由分光光譜儀檢測，ITO薄膜穿透率其結果為最高可達95%，且透過霍爾效應分析儀可以得知當濺鍍功率為55 W搭配30分鐘條件下，且工作壓力為7 mTorr時其移動率最高為88.2 cm2/Vs，電阻率為0.777 mΩ·cm，光電轉換效率衰減最小，經由熱場發射掃描式電子顯微鏡可得知氧化銦錫薄膜厚度變化為25-100 nm，從紫外光光電子光譜儀量測結果得知氧化銦錫功函數為3.99 eV。接續實驗

為濺鍍氧化銦錫在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，其實驗結果顯示，其特性變化趨勢與具Al背電極之網印式太陽能電池相同，綜合上述實驗可得知，當具氧化鉬電洞選擇性接觸層之單晶矽太陽能電池的表面濺鍍71 nm的氧化銦錫時，其開路電壓為639 mV、短路電流為39.35 mA/cm2、串聯電阻為1.65Ω·cm、填充因子為81.43%與光電轉換效率可達20.50%。

風向、風速、溫溼度整合系統開發(氣象物聯網)

為了解決uv轉印機的問題，作者曹永忠,黃朝恭 這樣論述：

　　本書針對環境監控為主軸，進行開發各種物聯網產品之專案開發系列，主要是給讀者熟悉使用Arduino MKR1000開發板來開發物聯網之各樣產品之原型(ProtoTyping)，進而介紹這些產品衍伸出來的技術、程式攥寫技巧，以漸進式的方法介紹、使用方式、電路連接範例等等。 　　這幾年來，社會群眾的環境意識覺醒，對環境的污染與監控，也普遍提高，然而空污直接影響居民的健康，在群眾自我覺醒的運動中，自造者結合的自造者運動(Maker Movement)，影響了許多科技人士，運用感測科技與資訊科技的力量，結合臉書社群的號召，影響了全民空污偵測的運動，筆者也是加入的先鋒者之一，筆者

發現，目前空污偵測，仍缺少二項資訊，那就是風向與風速等參考資訊，如果這兩項資訊可以加入在環境監控的資訊之中，那在空污資訊的大數據分析之中，將會將空污的汙染軌跡數位化，對整個社會，將產生更大的效用。 　　本書應清水吳厝國小校長黃朝恭之邀，一同開發出風向、風速、溫溼度整合系統，所有的人都可以透過網際網路與手機APP(預定開發)隨時監看風向、風速、溫溼度等氣象資訊，未來在資源挹注之下，往後會再加入日照、紫外線(UV)、雨量、甚至地震感測器等多項感測功能，相信這樣的整合系統對於學子的健康與社區健康深感重要，鑑於如此，筆者將整個系統開發、建置、安裝與設定等經驗，分享於本書內容，相信有心的讀者，詳細閱讀

之，定會有所受益。

應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究

為了解決uv轉印機的問題，作者廖偉程 這樣論述：

本研究論文探討應用於串接太陽能電池之氧化銦錫與負型矽介面特性提升研究，由於氧化銦錫與負型矽的功函數差，使得氧化銦錫與負型矽介面間存在著較高的蕭基能障，因此造成很大的串聯電阻，故本研究擬導入各種金屬於氧化銦錫與負型矽介面降低串聯電阻，導入的金屬有銦、銀、鋁與鋁 /氟化鋰堆疊層，首先，透過 Transfer Length Method (TLM)量測技術，探討各種金屬對接觸電阻的影響，金屬厚度效應亦同時探討，接著利用逆偏電容 -電壓量測及順偏電流 -電壓量測，計算各種介面的蕭基能障高度，最後將前述實驗的最佳參數導入單晶 矽太陽能電池元件，透過不同參數的調整，比較太陽能電池的各種光電特性如光電轉換

效率、開路電壓、短路電流、填充因子與串聯電阻等。實驗結果顯示，對於各種金屬導入氧化銦錫與負型矽介面，金屬鋁 /氟化鋰堆疊層與負型矽介面的結構下，其氟化鋰與金屬鋁厚度分別為 3 nm與 200 nm，負型矽片電阻為123.98  /sq，可得到最佳的接觸電阻為 9.76 × 10-4  -cm2，蕭基能障高度實驗結果顯示當導入氟化鋰與金屬鋁於氧化銦錫與負型矽介面時其蕭基能障高度降為 0.423 eV，最後將各種最佳參數導入太陽能電池的製作， 實驗結果顯示，在金屬銀 /氧化銦錫 /堆疊層與負型矽介面結構下，其光電轉換效率為 11.57 %、開路電壓為 588 mV、短路電流為 28.5 mA/

cm2、填充因子為 68.88 %及串聯電阻為 4.06  -cm2。當導入金屬銀於氧化銦錫與負型矽介面時，其光電轉換效率最佳增加至 13.26 %、開路電壓為 607 mV、短路電流為28.92 mA/cm2、填充因子為 76.12 %及串聯電阻為 2.3  -cm2。