半導體式氣體感測器的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

半導體式氣體感測器的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦李克駿,李克慧,李明逵寫的 半導體製程概論(第四版) 和陳瓊興,歐陽逸 的 感測器應用實務(使用LabVIEW)(附範例光碟)都 可以從中找到所需的評價。

另外網站朝陽科技大學資訊工程系碩士論文也說明:(3)、 場效應電晶體式感測器(Field Effect Transistor Gas Sensor):. 將感測金屬作為閘極端,並在閘極端施加偏壓,使金屬氧化物下方的半. 導體產生電子 ...

這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。

國立高雄科技大學 電子工程系 薛丁仁所指導 王品翔的 以原子層沉積技術和矽穿孔技術製作室溫二氧化鈦薄膜氣體感測器 (2021),提出半導體式氣體感測器關鍵因素是什麼,來自於氣體感測器、二氧化鈦、矽穿孔、原子層沉積。

而第二篇論文國立高雄科技大學 電子工程系 薛丁仁所指導 廖偉臣的 藉由射頻濺鍍法製作銅銦硒薄膜感測器 (2021),提出因為有 氣體感測器的重點而找出了 半導體式氣體感測器的解答。

最後網站二氧化錫薄膜氣體感測器感測特性之研究則補充:關鍵字: 臭氧;ozone;二氧化錫;氣體感測器;SnO2;gas sensor ... [16] 陳美杏, 微型半導體式氧氣感測器之設計製作與測試, 國立成功大學工程科學系 (1993).

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了半導體式氣體感測器,大家也想知道這些:

半導體製程概論(第四版)

為了解決半導體式氣體感測器的問題,作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述:

  全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色   1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。   2.從矽導體之物理概念開始,一直到半導體結構、能帶作完整的解說,使讀者學習到全盤知識

。   3.圖片清晰,使讀者一目瞭然更容易理解。   4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。

以原子層沉積技術和矽穿孔技術製作室溫二氧化鈦薄膜氣體感測器

為了解決半導體式氣體感測器的問題,作者王品翔 這樣論述:

摘 要 IVABSTRACT V誌謝 VI目錄 VII圖目錄 X表目錄 XIII第一章、緒論 11.1前言 11.2工業污染的影響 21.2.1空氣汙染 21.2.2疾病介紹 31.3常見的氣體感測器介紹 41.3.1觸媒燃燒式氣體感測器 41.3.2電化學式氣體感測器 51.3.3固態電解質氣體感測器 51.3.4紅外線式氣體感測器 61.3.5半導體式氣體感測器 71.4研究動機及目的 8第二章、基礎理論與文獻探討 102.1二氧化鈦 102.1.1材料特性 102.1.2 TiO2 P型半導體參考文獻 112.2半導體式氣體感測器工作原理

122.3 氨氣氣體特性 132.4一氧化氮氣體特性 142.5氨氣氣體(NH3)感測的研究與演化 152.6氨氣參考文獻 152.7 一氧化氮氣體(NO)感測的研究與演化 162.8 一氧化氮參考文獻 172.9 原子層沉積原理 172.10 矽穿孔原理 18第三章、實驗方法 203.1 元件結構 203.2 感測器製程步驟 213.3 製程設備與分析儀器 233.3.1製程設備 233.3.2分析儀器 253.4 半導體式氣體感測器之連接方式 273.4.1 PCB板 273.4.2 IC測試夾 283.5半導體式氣體感測器之量測系統 29第四章、結

果與討論 304.1 SEM分析 304.2 FIB分析 304.3二氧化鈦之XRD分析 324.4 二氧化鈦之Raman分析 334.5 二氧化鈦之PL分析 354.6 二氧化鈦之霍爾量測分析 374.7 孔洞之光學顯微鏡(OM)分析 394.8 氣體感測器之連接方式進行室溫量測 404.8.1 PCB板 404.8.2 IC夾 414.9 二氧化鈦氣體感測器在室溫下對氨氣氣體之響應 424.9.1 平面二氧化鈦薄膜 424.9.2二氧化鈦氣體感測器 424.9.3感測機制 434.9.4濕度之探討 444.10二氧化鈦氣體感測器在室溫下對一氧化氮氣體之響應

454.10.1 平面二氧化鈦薄膜 454.10.2二氧化鈦氣體感測器 464.10.3感測機制 474.11二氧化鈦氣體感測器在室溫下進行不同氣體量測 48第五章、結論與未來展望 505.1結論 505.2未來展望 51參考文獻 52

感測器應用實務(使用LabVIEW)(附範例光碟)

為了解決半導體式氣體感測器的問題,作者陳瓊興,歐陽逸  這樣論述:

  本書以淺顯易懂的方式描述LabVIEW圖形化程式設計的工作環境及指令功能,以期奠定讀者程式撰寫之基礎。本書共分成17章,第1章描述NI資料擷取卡(DAQ卡)的硬體設定與使用;第2章至第14章以各式感測電路元件以及簡單實驗引導初學者入門;第15章至第17章介紹與網路相關的進階程式設計功能、NI網路資料傳輸(DataSocket)、LabVIEW NXG使用,以及結合手持式裝置的遠端監控。    本書特色     1.獨家收錄NI公司為5G連線遠端監控新開發的LabVIEW NXG軟體入門教學。     2.本書以LabVIEW圖形化程式設計各式感測電路、結合網路及手持式裝置的遠端監控,並

搭配本書所附光碟中的感測範例,上手容易保證成功。     3.本書所有實驗皆可運用麵包板插接、印刷電路板焊接電路,或教具模組等三種方式完成,讀者可依需求彈性選擇;另外作者亦有自行設計已檢測成功之教具模組。     4.本書所有實驗皆有提供完整影音教學影片輔助教學,以提高學習成效。

藉由射頻濺鍍法製作銅銦硒薄膜感測器

為了解決半導體式氣體感測器的問題,作者廖偉臣 這樣論述:

本次研究中,以射頻濺鍍(RF Sputtering)方式,濺鍍銅銦硒(CuInSe)薄膜。實驗結果顯示在電子式顯微鏡(SEM)觀察下,在退火400oC 15分鐘為45-155nm、退火600oC 5分鐘為45-53nm、退火700oC 5分鐘為30-43nm,可得知退火溫度越高,奈米尺寸越小,到了退火700oC 15分鐘為54-81nm,發現退火700oC 15分鐘發現有團簇現象,奈米顆粒再次變大,由X光繞射儀(XRD)繞射分析得知銅銦硒(CuInSe)薄膜在退火500oC 15分鐘下,峰值改變,晶向由(1 1 2)變為晶向(1 0 3)。 利用半導體式網版型氣體感測器經由爐管高溫熱退

火進行量測,因材料熱膨脹係數不同,退火溫度越高時,表面龜裂越多,造成量測時有巨幅的電流跳動,不利於後端電路製作,於是採用本實驗室開發之晶片型氣體感測器,進行後製程動作,發現濺鍍銅銦硒(CuInSe)薄膜後,對微型加熱電極施加3.2V電壓,約為347oC,進行老化一天動作,已無電流巨幅跳動,便可量測毒性氣體,經由網版型氣體感測器與晶片型氣體感測器比較可發現,晶片型氣體感測器減少了巨幅電流跳動,已可適用於一般電路上,在氣體選擇性方面,將不同的氣體(NO2、NH3、CO2、SO2)注入與硫化氫(H2S)相比可以得知CIS/MEMS氣體感測器對H2S、NO2氣體有較良好的響應,詳細實驗數據將於本論文中

探討。