氣體感測器優缺點的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

半導體薄膜技術基礎

為了解決氣體感測器優缺點的問題，作者李曉干劉勐王奇 這樣論述：

本書對當前主要應用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為最重要的半導體襯底的矽單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所應用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。本   書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又提供了大量的設備基本結構知識，可以作為微電子等相關專業學生的教學參考書，對從事薄膜技術的工程技術人員而言，也可以作為相關的參考資料。 李曉幹，博士，畢業于英國里茲大學材料研究所，大連理工大學電子科學與技術系副教授。中國儀器儀錶協會感測器分會理事；全國氣、

濕敏專業委員會委員。主要研究方向為高性能半導體敏感材料，納米材料敏感電子學，感測器元件與檢測系統。 第1章緒論1 本章小結5 習題6 第2章矽單晶材料學7 2.1矽及其化合物的基本性質7 2.2矽的晶體結構13 2.3矽的生長加工方法16 2.4矽材料與器件的關係19 本章小結21 習題22 第3章薄膜基礎知識23 3.1薄膜的定義及應用23 3.2薄膜結構、缺陷及基本性質26 3.2.1薄膜的基本結構及缺陷26 3.2.2薄膜的基本性質29 3.3薄膜襯底材料的一般知識34 3.3.1玻璃襯底34 3.3.2陶瓷襯底35 3.3.3單晶體襯底36 3.3.4襯底清洗37

3.4薄膜的性能檢測簡介40 3.4.1薄膜的厚度檢測40 3.4.2薄膜的可靠性43 本章小結44 習題44 第4章氧化技術46 4.1二氧化矽（SiO2）薄膜簡介47 4.2氧化技術原理49 4.2.1熱氧化技術的基本原理50 4.2.2水汽氧化51 4.2.3濕氧氧化工藝原理52 4.2.4三種熱氧化工藝方法的優缺點53 4.3氧化工藝的一般過程54 4.4氧化膜品質評價58 4.4.1SiO2薄膜表面觀察法58 4.4.2SiO2薄膜厚度的測量58 4.5熱氧化過程中存在的一般問題分析61 4.5.1氧化層厚度不均勻61 4.5.2氧化層表面的斑點61 4.5.3氧化層的針孔62 4.

5.4SiO2氧化層中的鈉離子污染62 本章小結62 習題63 第5章濺射技術64 5.1離子濺射的基本原理64 5.1.1濺射現象64 5.1.2濺射產額及其影響因素65 5.1.3選擇濺射現象70 5.1.4濺射鍍膜工藝70 5.2濺射工藝設備72 5.2.1直流濺射台74 5.2.2射頻濺射台77 5.2.3磁控濺射79 5.3濺射工藝應用及工藝實例80 本章小結83 習題83 第6章真空蒸鍍技術84 6.1真空蒸鍍技術簡介84 6.2真空蒸鍍工藝的相關參數86 6.2.1工藝真空86 6.2.2飽和蒸氣壓88 6.2.3蒸發速率和沉積速率88 6.3真空蒸鍍源89 6.4真空蒸鍍設備9

0 6.4.1熱阻加熱式蒸鍍機（蒸發機）92 6.4.2電子束蒸發台94 本章小結96 習題97 第7章CVD技術98 7.1CVD技術簡介98 7.2常用CVD技術簡介99 7.3低壓化學氣相澱積（LPCVD）103 7.4PECVD107 7.5CVD系統的模型及基本理論115 7.6CVD工藝系統簡介117 7.6.1CVD的氣體源系統118 7.6.2CVD的品質流量控制系統118 7.6.3CVD反應腔室內的熱源119 本章小結119 習題119 第8章其他半導體薄膜加工技術簡介121 8.1外延技術121 8.1.1分子束外延121 8.1.2液相外延（LPE）123 8.1.3氣

相外延（VPE）124 8.1.4選擇外延（SEG）125 8.2離子束沉積和離子鍍126 8.3電鍍技術128 8.4化學鍍131 8.5旋塗技術131 8.6溶膠—凝膠法133 本章小結134 習題134 參考文獻134 矽積體電路無疑是這個時代所創造的奇跡之一，正是這種能將數以千萬計的元器件集成於一塊面積只有幾平方釐米的矽晶片上的能力，造就了今天的資訊時代。矽集成電路技術綜合應用了多種不同領域的科學技術成果。薄膜技術的應用就是人們開發新材料和新器件的研究結晶，通過不同的技術手段，在半導體材料上進行薄膜的生長、腐蝕，形成所需要的各種結構，實現設計器件的功能。半導體薄膜技

術已經成為矽積體電路製造工藝中不可或缺的重要一環。 半導體薄膜技術的發展幾乎涉及所有的前沿學科，而半導體薄膜技術的應用與推廣又滲透到各個學科及應用技術的領域中。為此，許多國家對半導體薄膜技術和薄膜材料的研究開發極為重視。從發展趨勢看，在科學發展日新月異的今天，大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應用，薄膜作為一種重要的材料，在材料領域中佔據著越來越重要的地位。   目前，人們已經設計和開發出了多種不同結構和不同功能的薄膜材料，這些材料在化學分離、化學感測器、人工細胞、人工臟器、水處理等許多領域中，具有重要的潛在應用價值，被認為是21世紀膜科學與技術領域的重要發展方向之一。 本書主要介紹矽

單晶材料學、薄膜基礎知識、氧化技術、蒸發技術、濺射技術（PVD）、化學氣相澱積（CVD）技術及其他一些半導體薄膜加工技術。積體電路晶片的製造過程實際上就是在襯底上多次反復進行薄膜的形成、光刻和摻雜等工藝加工過程的組合。   在半導體工藝中，首要任務是解決薄膜加工工藝問題。積體電路技術的發展，要求製備薄膜的品種不斷增加，對薄膜的性能要求日益提高，新的薄膜製備方法也不斷湧現並逐漸成熟。本書主要介紹積體電路加工工藝過程中常用的薄膜製備技術，在介紹薄膜製備技術之前，對積體電路的發展歷程和今後的發展趨勢進行介紹，對積體電路製造中常用的襯底材料——矽的製備也進行詳細介紹，然後討論薄膜物理學。   在介紹每

一種薄膜製備工藝的過程中，還對各個製備工藝的設備原理進行簡單介紹。通過本書的學習，讀者可以掌握基本的半導體薄膜製備技術，瞭解薄膜製備工藝的特點和應用場所，瞭解不同薄膜製備工藝所製備薄膜的特點及相關測試方法，並對相關製造設備有一定瞭解，同時，還對部分相關設備的生產廠商進行簡要介紹。 …… 我們希望本書不僅成為一本簡單的教材，還可以成為廣大工程技術人員的一本參考手冊。由於半導體薄膜的技術內容非常豐富，本書不可能包含所有的薄膜技術，所以本書是以半導體薄膜技術的基礎研究為目的，在此基礎上再去深入研究各種薄膜製備技術，將不是很困難的事。 本書由李曉幹、王奇、劉猛共同編寫。其中，李曉幹主要編寫了緒論、

薄膜基礎知識、氧化技術和真空鍍膜技術，劉猛編寫了矽單晶材料學、CVD技術和其他半導體薄膜技術，王奇編寫了濺射工藝部分。全書由李曉幹、劉猛進行統稿。 由於半導體薄膜技術的發展日新月異，涉及的科學技術領域繁多，編寫者的水準有限，在編寫中存在錯誤在所難免，歡迎廣大讀者批評指正！ 作者 2018年1月

氣體感測器優缺點進入發燒排行的影片

室溫二氧化錫二氧化氮氣體感測晶片 及應用於戶外環境

為了解決氣體感測器優缺點的問題，作者陳威宇 這樣論述：

摘 要 iABSTRACT ii誌謝 iii目錄 iv圖目錄 vii表目錄 x第一章、緒論 11.1 科技對環境帶來的影響 11.1.1 空氣品質指標（AQI） 21.1.2 各種氣體對人體的危害 31.1.3 有害氣體造成的重大災害 31.2 各種氣體感測器介紹 41.2.1 觸媒燃燒式氣體感測器 41.2.2 紅外線吸收氣體感測器 51.2.3 固態電解質氣體感測器 51.2.4 電化學式氣體感測器 61.2.5 傳統式半導體式氣體感測器 61.2.6 各式氣體感測器優缺點比較 61.3 研究動機與主題 81.3.1 氣

體感測器市值 81.3.2 全球每年使用手機人數 91.4 研究目的 10第二章、基礎理論與文獻探討 132.1 二氧化氮（NO2）感測的研究與演化 132.2 二氧化氮氣體特性 132.3 二氧化錫材料特性 142.4 半導體式氣體感測器之感測機制 152.5 表面與邊界效應 17第三章、實驗方法及設備簡介 183.1 實驗流程 183.1.1 MEMS氣體感測晶片 183.2 實驗用品和實驗用設備 193.2.1 實驗用品 193.2.2 實驗用設備 193.3 實驗步驟 203.3.1 二氧化錫奈米粉末製作

203.3.2 製作室溫奈米二氧化錫晶片型氣體感測器 203.3.3 二氧化錫奈米粉末表徵 223.4 材料分析設備介紹與原理 233.4.1 X-ray繞射儀(XRD) 233.4.2 掃描電子顯微鏡(SEM) 233.4.3 穿透式電子顯微鏡(TEM) 243.5 空氣盒子 243.5.1 感測電路設計 243.5.2 電源板電路設計 253.5.3 空氣盒子設計與演進 26第四章、結果與討論 274.1 二氧化錫奈米粉末分析 274.1.1 二氧化錫奈米粉末SEM分析 274.1.2 二氧化錫奈米粉末XRD分析 284.

1.3 二氧化錫奈米粉末TEM分析 314.2 氣體量測分析 334.2.1 微加熱器之熱影像量測分析 334.2.2 有微加熱器之氣體量測分析 344.2.3 無微加熱器之氣體量測分析 364.2.4 二氧化錫薄膜之氣體量測分析 424.2.5 二氧化錫奈米粉末之感測機制 434.3 戶外環境應用 454.3.1 2020年戶外量測比對 454.3.2 2021年戶外量測比對 504.4 第三方公證 58第五章、結論與未來展望 595.1 結論 595.2 未來展望 59參考文獻 60

分析化學手冊（4）：電分析化學（第三版）

為了解決氣體感測器優缺點的問題，作者蘇彬 這樣論述：

《分析化學手冊》第三版在第二版的基礎上作了較大幅度的增補和刪減，保持原手冊10分冊的基礎上，拆分了其中3個分冊成6冊，終形成13冊。 本分冊共有十章，包含了電分析化學的經典方法和近十年來發展起來的新方法、新技術及其在各領域中的應用。內容涵蓋了電分析化學基礎知識和電分析實驗測量中所涉及的各種儀器、裝置及測量步驟，各種電化學分析方法，如電解分析、庫侖分析、電導分析、電位分析、伏安分析、極譜分析和溶出分析方法，以及電化學傳感器、聯用技術、生物活體分析等電化學分析技術，介紹了各種方法與技術的基本原理、適用范圍、優缺點、方法的應用等。 適合從事電化學和電分析化學研究的技術人員，以及相關研究人員參考。

第一章　電分析化學導論 1 第一節　電分析化學分類 1 一、1960年的分類 1 二、1963年的分類 2 三、1975年的分類 2 四、1997年的分類 3 五、其他文獻分類方法 7 六、本分冊的分類原則 8 第二節 電分析化學術語和符號 9 第三節 電分析化學學術和網路資源 16 一、學術期刊 16 二、網路資源 17 三、參考書籍 18 第二章　電分析化學基礎知識與實驗測量 23 第一節 電化學基礎知識 23 一、介面雙電層 23 二、法拉第過程和非法拉第過程 23 三、電極反應 24 四、電極/溶液介面的傳質過程 25 五、電極反應動力學 26

第二節 電分析化學實驗測量 28 一、三電極體系 29 二、工作電極 29 三、輔助電極 42 四、參比電極 42 五、電解池 55 六、溶劑和電解質 56 第三章 電解和庫侖分析法 60 第一節　電解分析法 60 一、電解過程 60 二、過電位 60 三、電解液的選擇 62 四、無機物的電解分析和分離 62 第二節　庫侖分析法 67 一、初級庫侖分析法 68 二、次級庫侖分析法 77 三、控制電流庫侖滴定分析 89 四、控制電位庫侖分析 121 五、微庫侖分析 134 第四章　電導分析法 138 第一節　基本原理 138 一、電導和電導率 138 二、摩爾電導率和極限摩爾電導率 140 三

、鹽的摩爾電導率和陽離子遷移數 145 第二節　電導滴定分析 148 第三節　某些物理化學常數的測定 150 一、弱電解質的解離度和離解常數的測定 150 二、難溶鹽的溶解度和溶度積的測定 151 三、反應速率常數的測定 151 第四節　自動連續監測 152 第五節　高頻滴定和高頻法 153 一、在水介質中的高頻滴定 153 二、在非水介質中的高頻滴定 154 三、高頻法測量組成或取決於組成的性質 155 第五章　電位分析法 157 第一節　電極電位 157 一、標準電極電位 157 二、條件電極電位 166 第二節　液/液介面標準電位 189 第三節　pH電位法測定 191 一、pH的定義

191 二、標準緩衝溶液 192 三、指示電極 201 四、非水溶劑介質中的酸度 206 第四節　離子選擇性電極 209 一、離子選擇性電極的分類 209 二、電位選擇係數 218 三、測定電位選擇係數的方法 219 四、離子選擇性電極的分析測試方法 223 五、離子選擇性電極在分析測試中的應用 225 第六章 極譜和伏安分析法 240 第一節 極譜分析法 241 一、概述 241 二、線性掃描（直流）極譜分析 244 三、交流極譜、方波極譜和脈衝極譜分析 248 第二節 伏安分析法 256 一、概述 257 二、線性掃描伏安分析 259 三、交流伏安分析 260 四、方波伏安分析 265 五

、脈衝伏安分析 265 第三節 卷積伏安分析法 266 一、技術方法概述 266 二、半積分伏安分析 269 三、半微分伏安分析 271 四、1.5次微分伏安分析 272 五、2.5次微分伏安分析及各階次新伏安分析的對比 273 六、各階次新伏安譜圖示例 275 第四節 迴圈伏安分析法 277 一、可逆、准可逆、不可逆電極過程的判據 278 二、偶聯化學反應電極過程的判據 280 第五節 極譜、伏安分析常用儀器及原理 281 一、經典極譜儀電路原理 281 二、示波極譜儀電路原理 281 三、恒電位電路原理 282 四、新伏安極譜電路原理 283 五、雙工作電極伏安分析儀原理 284 六、微機

型電化學伏安工作站 285 第七章　溶出伏安法 288 第一節　金屬在汞中的溶解度及離子的富集電位 289 一、金屬和汞的相互溶解度 289 二、金屬原子在汞中的擴散係數 289 三、金屬的零電荷電位 290 四、離子富集電位 290 第二節　工作電極 293 一、汞電極 293 二、碳電極 297 第八章　超微電極 305 第一節　概述 305 一、超微電極的性質與類型 305 二、超微電極的應用領域 306 三、基本原理 307 第二節　超微電極的製備 308 一、微電極的製備簡介 308 二、玻璃管超微電極的類型和製備 318 三、超微電極陣列的類型和製備 319 四、超微電極的預處理和

表徵 321 第三節　在體電分析化學 321 一、測定原理 322 二、伏安法在體分析 324 三、微型離子選擇性電極在體分析 330 第四節　無損微測分析 333 一、無損微測分析簡介 333 二、工作原理 333 三、無損微測系統的組成 335 四、無損微測技術的影響因素 336 五、無損微測技術的特點 336 六、無損微測技術的應用 337 七、無損微測技術和膜片鉗技術的區別 340 八、無損微測技術與其他技術的結合與展望 341 第五節　超微電極的發展方向 342 第九章　電化學生物感測器 350 第一節　化學修飾電極 350 一、化學修飾電極研究進展 350 二、化學修飾電極的預處理

351 三、化學修飾電極的製備 352 四、化學修飾電極在分析測試中的應用 354 第二節　電化學氣體感測器 365 一、氣體感測器的研究現狀 365 二、氣體感測器分類 366 三、電化學氣體感測器的原理 368 四、氣體感測器的性能指標 369 五、氣體感測器的應用 370 第三節　酶電極 378 一、酶電極結構 378 二、酶電極發展過程 381 三、固化技術 384 四、酶電極特性 388 五、固化酶電極的應用 389 第四節　電化學免疫分析 413 一、電化學免疫分析原理 414 二、電化學免疫感測器的分類 414 三、電化學免疫感測器中抗體固定方法 426 四、電化學免疫感測器的

發展方向 428 第五節　生物分子直接電分析化學 429 一、蛋白質-電極介面的構築方法 429 二、直接電化學中常用的幾類生物分子 431 三、生物分子直接電化學的研究意義 452 第十章　電化學聯用分析 454 第一節　光譜電化學技術 454 一、概述 454 二、電極表面的光透射和光反射 455 三、紫外-可見光譜電化學 456 四、發光光譜電化學 464 五、振動光譜電化學 466 第二節　電化學發光分析 473 一、聯吡啶釕及其衍生物電化學發光體系 474 二、魯米諾電化學發光體系 495 三、量子點電化學發光體系 498 四、其他電化學發光體系 500 第三節　電化學石英晶體微天平

500 一、基本原理 500 二、分析應用 502 第四節　電化學與色譜/電泳技術聯用 505 一、液相色譜-電化學檢測聯用技術及其應用 505 二、毛細管電泳-電化學檢測聯用技術及其應用 509 三、微流控電化學檢測系統及其應用 516 主題詞索引 526 表索引 533

三氧化二鑭奈米結構系列之二氧化硫晶片型氣體感測器研究

為了解決氣體感測器優缺點的問題，作者李士賢 這樣論述：

本研究主要探討以低成本研製三氧化二鑭(La2O3)奈米粒子感測層、金奈米粒子表面吸附、開發微型晶片型氣體感測器針對ppb等級的低濃度二氧化硫(SO2)氣體感測。藉由MEMS半導體製程技術在6吋晶圓的8cm*8cm裡可以製造1萬多顆晶片。單一氣體感測晶片尺寸只要0.65mm*0.65mm，比一顆芝麻還小。此感測器整合微加熱器及氣體感測電極。在微加熱器方面，Pt厚度300nm且功率維持10mW下，以熱影像儀量測後顯示可達300℃以上且加熱速率為毫秒(ms)等級，於感測層方面，首先以高真空的環境下於感測電極上沉積氧化鋅(ZnO)作為導電層其厚度約300nm左右，此ZnO導電層，可以更有效吸附三氧化

二鑭(La2O3)奈米粒子。在研製三氧化二鑭(La2O3)奈米粒子感測層方面，以低成本超音波懸浮技術研製出具有奈米尺度大小的三氧化二鑭(La2O3)奈米粒子，透過電子顯微鏡觀察，此奈米粒子結構比表面積極高，有利於氣體之擴散及吸脫附反應，奈米粒子直徑約為20~30 nm，接近氣體感材料之理想尺寸。此外，為了增加奈米感測層之氣體感測效能，本研究藉由金奈米粒子成功降低感測溫度，達低耗能感測器 低濃度二氧化硫(SO2)氣體感測結果發現感測器在未吸附金奈米粒子之感測層以溫度342.2℃，在響應值的部分量測100ppb的二氧化硫(SO2)氣體，有25%以上的感測響應值，在500ppb的部分，也已經到

達47%左右的高響應值。而在有吸附金奈米粒子之感測層以溫度260.8℃，量測100ppb的二氧化硫(SO2)氣體，有10%左右的感測響應值，在500ppb的部分，也已經到達24%左右的高響應值。以吸附金奈米粒子之奈米感測層在感測效率上最為突出，其靈敏度、響應速率最佳，且工作溫度相對較低。此優異特性主要可歸因於金奈米粒子良好散布於三氧化二鑭(La2O3)奈米粒子感測層之上，使感測材料可以在較低工作溫度下，促進大量氣體分子解離。由以上成果可知金奈米粒子吸附之三氧化二鑭(La2O3)奈米粒子感測層是一非常具有潛力之氣體感測材料。