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Broan進入發燒排行的影片

以陽極氧化鋁奈米模板輔助成長奈米碳管及應用於發光二極體之熱傳導研究

為了解決Broan的問題，作者譚文傑 這樣論述：

近年來發光二極體(Light Emitting Diode，LED)開始應用於生活上，隨著科技的進步和環保意識的抬頭LED 漸漸取代傳統的照明光源，LED具有較佳的省電效果及壽命長，LED又可分為高功率(Hight power)及低功率(Low power)LED，其中高功率LED 較不易散熱，LED 其實是高熱的發光元件，但高功率LED 產生的熱量卻遠遠超過傳統的低功率LED，LED晶粒因為體積小封裝散熱不易，當熱無法從P-N接面(P-N junction)造成光衰竭與波長飄移的影響會使LED 壽命降低，當內部元件受到熱膨脹係數不均，使得元件承受過大機械應力而損毀。本論文以陽極氧化鋁奈米模

板輔助成長奈米碳管法改善其接面溫度問題本文利用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，PECVD)成長奈米碳管，經由量測表面溫度分析：Epoxy(65.4 ℃)、Epoxy+CNTs 1 wt%(60.5 ℃)、CNTs on Si(44.9 ℃)、CNTs/AAO on Si(40.8 ℃)、CNTs/AAO+Epoxy on Si(446.7 ℃)。

奈米碳管應用於LED散熱之研究

為了解決Broan的問題，作者郭順和 這樣論述：

節能的發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)，有著省電及壽命長之優點，被視為未來固熊照明的主流。雖然LED有著省電、高轉換效率諸多優點，成本及散熱是目前最難克服的問題。針對散熱這個缺點，本實驗嘗試利用奈米碳管( Carbon nanotubes, CNT )高熱傳導的特性，改善LED散熱不易的缺點，本實驗利用電泳沉積(Electrophoretic Deposition)，將奈米碳管沉積於高功率LED的支架背面。 本實驗分成二個部份：一是使用電沉方法，在所使用的高功率LED 0908支架上，成功的沉積奈米碳管，沉積之前，先將奈米碳管做一官能基改質動作，減少奈米

碳管團聚現象，讓碳管可以更均勻的沉積於支架上，實驗結果顯示，在電泳15 min時，有最低的接面溫度103℃，溫度降低比例到達14.1%，光通量也達到9.5 lm。二是使用直接混膠法，將奈米碳管與市售固晶膠做結合，使用一般LED固晶流程上面，實驗結果顯示，在混入10 % 奈米碳管時，有最低的接面溫度102℃，飽合電流可以到達1.75 A。此二種方法，證實可以改善LED熱效應所帶來的影響。