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EELS analysis的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦[美]阿爾弗德（AlfordT.L.）等 編著寫的 納米薄膜分析基礎（英文版） 可以從中找到所需的評價。
另外網站Analysis of the Intestinal Flora in Male Versus Female Swamp ...也說明：This study aimed to analyze the intestinal flora of male versus female swamp eels, which have the unique characteristic of sex reversal.
國立高雄科技大學 資訊工程系 鐘文鈺所指導 孫維鍇的 在圖神經網路中加入負分連結後對於分群效果的影響 （2021），提出EELS analysis關鍵因素是什麼，來自於圖神經網路、K-means、基因共表達關聯網路。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 應用科技研究所 王復民所指導 葉南宏的 以雙馬來醯亞胺和5,5-雙甲基巴比妥酸共聚合用於鋰離子電池之高性能、高安全性富鎳陰極材料介面改質添加劑研究 （2021），提出因為有 鋰離子電池、富鎳三元正極材料、電極添加劑、正極電解液介面的重點而找出了 EELS analysis的解答。
最後網站電子能量損失譜- 維基百科，自由的百科全書則補充：在電子能量損失光譜（EELS）中，具有已知動能的電子束入射待測材料後，部分電子與原子交互作用發生非彈性散射，損失部分能量並且路徑發生隨機的小偏轉，這個過程中能量損失 ...
納米薄膜分析基礎（英文版）
為了解決EELS analysis 的問題，作者[美]阿爾弗德（AlfordT.L.）等 編著 這樣論述：
現代科學技術（從材料科學到集成電路）已深入到納米層次。從薄膜到場效應傳感器，研究的重點是如何把尺度從微米量級減小到納米量級。納米薄膜分析一書主要研究了材料表面及從表面到幾十乃至100納米深的結構與構成。主要討論了用入射粒子和光子來量化結構並進行成分和深度分析的材料表征方法。 本書討論了通過入射光子或粒子刻蝕納米材料來表征材料的方法，入射的粒子能夠激發出可測的粒子或光子，這正是表征材料的依據，納米尺度材料分析實驗會用到大量入射粒子與待測粒子束的相互作用。其中較重要的有原子碰撞、盧瑟福背散射、離子遂道、衍射、光子吸收、輻射與非輻射陽縣躍遷以及核反應。本書詳細介紹了各種分析和掃描探針顯微技術。
Preface1. An Overview：Concepts，Units，and the Bohr Atom1.1 Introduction1.2 Nomenclature1.3 Energies，Units，and Particles1.4 Particle-Wave Duality and Lattice Spacing1.5 The Bohr ModelProblems2. Atomic Collisions and Backscattering Spectrometry2.1 Introduction2.2 Kinematics of Elastic Collisio
ns2.3 Rutherford Backscattering Spectrometry2.4 Scattering Cross Section and Impact Parameter2.5 Central Force Scattering2.6 Scattering Cross Section：Two-Body2.7 Deviations from Rutherford Scattering at Low and High Energy2.8 Low-Energy Ion Scattering2.9 Forward Recoil Spectrometry2.10 Center of Mas
s to Laboratory TransformationProblems3. Energy Loss of Light Ions and Backscattering Depth Profiles3.1 Introduction3.2 General Picture of Energy Loss and Units of Energy Loss3.3 Energy Loss of MeV Light Ions in Solids3.4 Energy Loss in Compounds Bragg’’s Rule3.5 The Energy Width in Backscattering3.
6 The Shape of the Backscattering Spectrum3.7 Depth Profiles with Rutherford Scattering3.8 Depth Resolution and Energy-Loss Straggling3.9 Hydrogen and Deuterium Depth Profiles3.10 Ranges of H and He Ions3.11 Sputtering and Limits to Sensitivity3.12 Summary of Scattering RelationsProblems4. Sputter D
epth Profiles and Secondary Ion Mass Spectroscopy4.1 Introduction4.2 Sputtering by Ion Bombardment—General Concepts4.3 Nuclear Energy Loss4.4 Sputtering Yield4.5 Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS)4.6 Secondary Neutral Mass Spectroscopy (SNMS) 4.7 Preferential Sputtering and Depth Profiles4.8 Int
erface Broadening and Ion Mixing4.9 Thomas-Fermi Statistical Model of the AtomProblems5. Ion Channeling5.1 Introduction5.2 Channeling in Single Crystals5.3 Lattice Location of Impurities in Crystals5.4 Channeling Flux Distributions 895.5 Surface Interaction via a Two-Atom Model5.6 The Surface Peak5.
7 Substrate Shadowing：Epitaxial Au on Ag(111) 5.8 Epitaxial Growth5.9 Thin Film AnalysisProblems6. Electron-Electron Interactions and the Depth Sensitivity of Electron Spectroscopies6.1 Introduction6.2 Electron Spectroscopies：Energy Analysis6.3 Escape Depth and Detected Volume6.4 Inelastic Electron-
Electron Collisions6.5 Electron Impact Ionization Cross Section6.6 Plasmons6.7 The Electron Mean Free Path6.8 Influence of Thin Film Morphology on Electron Attenuation6.9 Range of Electrons in Solids6.10 Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS)6.11 BremsstrahlungProblems7. X-ray Diffraction7.1 Intro
duction7.2 Bragg’’s Law in Real Space7.3 Coefficient of Thermal Expansion Measurements7.4 Texture Measurements in Polycrystalline Thin Films7.5 Strain Measurements in Epitaxial Layers7.6 Crystalline Structure7.7 Allowed Reflections and Relative IntensitiesProblems8. Electron Diffraction8.1 Introduct
ion8.2 Reciprocal Space8.3 Laue Equations8.4 Bragg’’s Law8.5 Ewald Sphere Synthesis8.6 The Electron Microscope8.7 Indexing Diffraction PatternsProblems9. Photon Absorption in Solids and EXAFS9.1 Introduction9.2 The Schrodinger Equation9.3 Wave Functions9.4 Quantum Numbers，Electron Configuration,and
Notation9.5 Transition Probability9.6 Photoelectric Effect Square-Well Approximation9.7 Photoelectric Transition Probability for a Hydrogenic Atom9.8 X-ray Absorption9.9 Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS)9.10 Time-Dependent Perturbation TheoryProblems10. X-ray Photoelectron Spectroscop
y10.1 Introduction10.2 Experimental Considerations10.3 Kinetic Energy of Photoelectrons10.4 Photoelectron Energy Spectrum10.5 Binding Energy and Final-State Effects10.6 Binding Energy Shifts—Chemical Shifts10.7 Quantitative AnalysisProblems11. Radiative Transitions and the Electron Microprobe11.1 In
troduction11.2 Nomenclature in X-Ray Spectroscopy11.3 Dipole Selection Rules11.4 Electron Microprobe11.5 Transition Rate for Spontaneous Emission11.6 Transition Rate for Kα Emission in Ni11.7 Electron Microprobe：Quantitative Analysis11.8 Particle-Induced X-Ray Emission (PIXE)11.9 Evaluation of the T
ransition Probability for Radiative Transitions11.10 Calculation of the Kβ/Kα RatioProblems12. Nonradiative Transitions and Auger Electron Spectroscopy12.1 Introduction12.2 Auger Transitions12.3 Yield of Auger Electrons and Fluorescence Yield12.4 Atomic Level Width and Lifetimes12.5 Auger Electron S
pectroscopy12.6 Quantitative Analysis12.7 Auger Depth ProfilesProblems13. Nuclear Techniques：Activation Analysis and Prompt Radiation Analysis13.1 Introduction13.2 Q Values and Kinetic Energies13.3 Radioactive Decay13.4 Radioactive Decay Law13.5 Radionuclide Production13.6 Activation Analysis13.7 Pr
ompt Radiation AnalysisProblems14. Scanning Probe Microscopy14.1 Introduction14.2 Scanning Tunneling Microscopy14.3 Atomic Force MicroscopyAppendix 1. Km for 4He+ as Projectile and Integer Target MassAppendix 2. Rutherford Scattering Cross Section of the Elements for 1 MeV4HeiAppendix 3. 4He+ Stoppi
ng Cross SectionsAppendix 4. Electron Configurations and Ionization Potentials of AtomsAppendix 5. Atomic Scattering FactorsAppendix 6. Electron Binding EnergiesAppendix 7. X-Ray Wavelengths (nm)Appendix 8. Mass Absorption Coefficient and DensitiesAppendix 9. KLL Auger Energies (eV)Appendix 10. Tabl
e of the ElementsAppendix 11. Table of Fluoresence Yields for K，L，and M ShellsAppendix 12. Physical Constants，Conversions，and Useful CombinationsAppendix 13. AcronymsIndex 對於國內的物理學工作者和青年學生來講，研讀國外優秀的物理學著作是系統掌握物理學知識的一個重要手段。但是，在國內並不能及時、方便地買到國外的圖書，且國外圖書不菲的價格往往令國內的讀者卻步，因此，把國外的優秀物理原著引進到國內，讓國內的讀者
能夠方便地以較低的價格購買是一項意義深遠的工作，將有助於國內物理學工作者和青年學生掌握國際物理學的前沿知識，進而推動我國物理學科研和教學的發展。 為了滿足國內讀者對國外優秀物理學著作的需求，科學出版社啟動了引進國外優秀著作的工作，出版社這一舉措得到了國內物理學界的積極響應和支持，很快成立了專家委員會，開展了選題的推薦和篩選工作，在出版社初造的書單基礎上確定了第一批引進的項目，這些圖書幾乎涉及了近代物理學的所有領域，既有闡述學科基本理論的經典名著，也有反映某一學科專題前沿的專著。在選擇圖書時，專家委員會遵循了以下原則：基礎理論方面的圖書強調「經典」，選擇了那些經得起時間檢驗、對物理學的發展
產生重要影響、現在還不「過時」的著作（如：狄拉克的《量子力學原理》）。反映物理學某一領域進展的著作強調「前沿」和「熱點」，根據國內物理學研究發展的實際情況，選擇了能夠體現相關學科最新進展，對有關方向的科研人員和研究生有重要參考價值的圖書。這些圖書都是最新版的，多數圖書都是2000年以后出版的，還有相當一部分是2006年出版的新書。因此，這套叢書具有權威性、前瞻性和應用性強的特點。由於國外出版社的要求，科學出版社對部分圖書進行了少量的翻譯和注釋（並且是目錄標題和練習題），但這並不會影響圖書「原汁原味」的感覺，可能還會方便國內讀者的閱讀和理解。 「他山之石，可以攻玉」，希望這套叢書的出版能夠為
國內物理學工作者和青年學生的工作和學習提供參考，也希望國內更多專家參與到這一工作中來，推薦更多的好書。
在圖神經網路中加入負分連結後對於分群效果的影響
為了解決EELS analysis 的問題，作者孫維鍇 這樣論述：
圖神經網路是近期在深度學習領域中一個熱門的方向。我們希望能夠運用此架構來分析生物的共表達基因關聯網路，以瞭解基因的功能、作用與變化。目前文獻所提出的方法裡，輸入資料為圖形中點和點的連接關係(0 or 1)或是權重(weight >= 0);但是生物網路有複雜的相互關聯性，只有0,1或weight可能無法完整描述。因此我們在此篇論文中加入負分關聯值，以代表抑制作用的關聯性，希望能夠改進共表達基因關聯網路中點分群的精準度。本文提出SignGraphSAGE方法來取代GraphSAGE中建議的Aggregation function，共有SubAGG、Sign及SignSubAGG 三項公式，其中
SubAGG只考慮正相關，Sign及SignSubAGG有加入負相關做計算。本文所使用的資料集包括人造資料集Karate club(大學空手道俱樂部的社交網絡)、PyTorch Geometric資料集中選出的Cora、Amazon資料集；以及鰻魚的嗅覺與視覺基因表達值。資料的處理上，先計算任意兩個節點特徵之間的相關係數，以閾值來決定連接關係。將連接關係所形成的網路圖帶入SubAGG、Sign及SignSubAGG進行特徵更新，最後將更新好的特徵以K-means分群。本文希望藉由考量了負相關的資訊能夠幫助圖神經網路來做分群，以了解資料間的相似度。
以雙馬來醯亞胺和5,5-雙甲基巴比妥酸共聚合用於鋰離子電池之高性能、高安全性富鎳陰極材料介面改質添加劑研究
為了解決EELS analysis 的問題，作者葉南宏 這樣論述：
本研究開發出一種可在電池混漿過程中混入電極的寡聚物電極添加劑，並在第四章的探討中發現，以5,5 DMBTA/ BMI於130℃進行-NH麥可加成反應聚合而成的寡聚物作為電極添加劑對於鋰離子電池的循環壽命、放熱與產氣表現有最為正面的幫助。第五章的探討中，以5,5 DMBTA/ BMI於130℃進行-NH麥可加成反應聚合而成的寡聚物作為電極添加劑，摻入高能量密度的鋰離子電池富鎳陰極材料（Ni-rich NMC622）電極中，觀察到添加劑在充放電過程中成功受Ni2+ / Ni3+催化進行自身聚合成功能型導離子的CEI界面。此CEI介面在同步輻射臨場升溫軟吸收實驗、臨場電化學X光繞射分析實驗以及高溫
熱處理後的HR-TEM結果中，被觀察到在電化學與熱化學作用下能減少NMC622材料中的Ni2+陽離子錯排問題、與電解液交互用作用的產氣現象以及材料顆粒內的微裂痕情形（Micro crack），讓製作成商用圓柱形（18650）全電池的循環性能表現獲得維持同時也讓電池的放熱情況獲得控制。第六章進一步對不同鎳含量的三元材料NMC811與NMC111進行修飾，藉由同步輻射臨場軟吸收光譜分析結果，可以觀察到電池富鎳陰極材料（Ni-rich NMC811）中的Ni離子事實上以3d7 與3d8L兩種電子組態存在。其中3d8L的電子組態為極不穩定，為了使系統趨於穩定，Ni-rich NMC cathode有三
種方式或途徑: 1.與電解液反應 2.與環境反應3.扭曲自身晶體結構以使得電子組態達到穩定。電極添加劑於漿料製備時與較高反應性的鎳離子（表面電子組態3d8L）交互作用並自身催化形成CEI（Cathode electrolyte interface）後提高材料的陽離子錯排狀態（Cation mixing state），並持續貢獻-C=C-成為Ligand-hole的提供者，穩定在電化學/熱化學過程中，因材料不斷脫鋰或提高氧化態形成的氧空缺進而形成的3d8L，提升材料的電子組態穩定，並避免電化學過程的副反應或扭曲自身的層狀結構造成巨觀的相變化。