走在汽車革命的路上論文書籍站
eels原理的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包
eels原理的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦[美]阿爾弗德（AlfordT.L.）等 編著寫的 納米薄膜分析基礎（英文版） 和鄭偉濤 編著的 薄膜材料與薄膜技術都 可以從中找到所需的評價。
另外網站stem edx 原理測試表征系列 - Hvamw也說明：測試表征系列本文詳細講解了EDX的儀器類型及構成，更從定性定量原理以及實際應用上 ... Service List 透過電子顕微鏡(JEM-2100F，STEM，EDX，EELS) 原理及び特徴一般の ...
這兩本書分別來自科學 和化學工業出版社所出版 。
國立清華大學 工程與系統科學系 陳福榮、開執中所指導 莊景誠的 IMP鉭及氮化鉭擴散障礙層在銅金屬化製程之研究 （1998），提出eels原理關鍵因素是什麼，來自於銅金屬化、擴散障礙層、離子金屬電漿沈積法、鉭、氮化鉭。
最後網站Electron Python Zerorpc electron python zerorpc. Electron ...則補充：... 一款开源跨语言的RPC框架（选用RPC通信是出于安全考虑，其通信原理见博客），在web程序和python之间通信表现良好。 ... Similar to Eel but much more capable e.
納米薄膜分析基礎（英文版）
為了解決eels原理 的問題，作者[美]阿爾弗德（AlfordT.L.）等 編著 這樣論述：
現代科學技術（從材料科學到集成電路）已深入到納米層次。從薄膜到場效應傳感器，研究的重點是如何把尺度從微米量級減小到納米量級。納米薄膜分析一書主要研究了材料表面及從表面到幾十乃至100納米深的結構與構成。主要討論了用入射粒子和光子來量化結構並進行成分和深度分析的材料表征方法。 本書討論了通過入射光子或粒子刻蝕納米材料來表征材料的方法，入射的粒子能夠激發出可測的粒子或光子，這正是表征材料的依據，納米尺度材料分析實驗會用到大量入射粒子與待測粒子束的相互作用。其中較重要的有原子碰撞、盧瑟福背散射、離子遂道、衍射、光子吸收、輻射與非輻射陽縣躍遷以及核反應。本書詳細介紹了各種分析和掃描探針顯微技術。
Preface1. An Overview：Concepts，Units，and the Bohr Atom1.1 Introduction1.2 Nomenclature1.3 Energies，Units，and Particles1.4 Particle-Wave Duality and Lattice Spacing1.5 The Bohr ModelProblems2. Atomic Collisions and Backscattering Spectrometry2.1 Introduction2.2 Kinematics of Elastic Collisio
ns2.3 Rutherford Backscattering Spectrometry2.4 Scattering Cross Section and Impact Parameter2.5 Central Force Scattering2.6 Scattering Cross Section：Two-Body2.7 Deviations from Rutherford Scattering at Low and High Energy2.8 Low-Energy Ion Scattering2.9 Forward Recoil Spectrometry2.10 Center of Mas
s to Laboratory TransformationProblems3. Energy Loss of Light Ions and Backscattering Depth Profiles3.1 Introduction3.2 General Picture of Energy Loss and Units of Energy Loss3.3 Energy Loss of MeV Light Ions in Solids3.4 Energy Loss in Compounds Bragg’’s Rule3.5 The Energy Width in Backscattering3.
6 The Shape of the Backscattering Spectrum3.7 Depth Profiles with Rutherford Scattering3.8 Depth Resolution and Energy-Loss Straggling3.9 Hydrogen and Deuterium Depth Profiles3.10 Ranges of H and He Ions3.11 Sputtering and Limits to Sensitivity3.12 Summary of Scattering RelationsProblems4. Sputter D
epth Profiles and Secondary Ion Mass Spectroscopy4.1 Introduction4.2 Sputtering by Ion Bombardment—General Concepts4.3 Nuclear Energy Loss4.4 Sputtering Yield4.5 Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS)4.6 Secondary Neutral Mass Spectroscopy (SNMS) 4.7 Preferential Sputtering and Depth Profiles4.8 Int
erface Broadening and Ion Mixing4.9 Thomas-Fermi Statistical Model of the AtomProblems5. Ion Channeling5.1 Introduction5.2 Channeling in Single Crystals5.3 Lattice Location of Impurities in Crystals5.4 Channeling Flux Distributions 895.5 Surface Interaction via a Two-Atom Model5.6 The Surface Peak5.
7 Substrate Shadowing：Epitaxial Au on Ag(111) 5.8 Epitaxial Growth5.9 Thin Film AnalysisProblems6. Electron-Electron Interactions and the Depth Sensitivity of Electron Spectroscopies6.1 Introduction6.2 Electron Spectroscopies：Energy Analysis6.3 Escape Depth and Detected Volume6.4 Inelastic Electron-
Electron Collisions6.5 Electron Impact Ionization Cross Section6.6 Plasmons6.7 The Electron Mean Free Path6.8 Influence of Thin Film Morphology on Electron Attenuation6.9 Range of Electrons in Solids6.10 Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS)6.11 BremsstrahlungProblems7. X-ray Diffraction7.1 Intro
duction7.2 Bragg’’s Law in Real Space7.3 Coefficient of Thermal Expansion Measurements7.4 Texture Measurements in Polycrystalline Thin Films7.5 Strain Measurements in Epitaxial Layers7.6 Crystalline Structure7.7 Allowed Reflections and Relative IntensitiesProblems8. Electron Diffraction8.1 Introduct
ion8.2 Reciprocal Space8.3 Laue Equations8.4 Bragg’’s Law8.5 Ewald Sphere Synthesis8.6 The Electron Microscope8.7 Indexing Diffraction PatternsProblems9. Photon Absorption in Solids and EXAFS9.1 Introduction9.2 The Schrodinger Equation9.3 Wave Functions9.4 Quantum Numbers，Electron Configuration,and
Notation9.5 Transition Probability9.6 Photoelectric Effect Square-Well Approximation9.7 Photoelectric Transition Probability for a Hydrogenic Atom9.8 X-ray Absorption9.9 Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS)9.10 Time-Dependent Perturbation TheoryProblems10. X-ray Photoelectron Spectroscop
y10.1 Introduction10.2 Experimental Considerations10.3 Kinetic Energy of Photoelectrons10.4 Photoelectron Energy Spectrum10.5 Binding Energy and Final-State Effects10.6 Binding Energy Shifts—Chemical Shifts10.7 Quantitative AnalysisProblems11. Radiative Transitions and the Electron Microprobe11.1 In
troduction11.2 Nomenclature in X-Ray Spectroscopy11.3 Dipole Selection Rules11.4 Electron Microprobe11.5 Transition Rate for Spontaneous Emission11.6 Transition Rate for Kα Emission in Ni11.7 Electron Microprobe：Quantitative Analysis11.8 Particle-Induced X-Ray Emission (PIXE)11.9 Evaluation of the T
ransition Probability for Radiative Transitions11.10 Calculation of the Kβ/Kα RatioProblems12. Nonradiative Transitions and Auger Electron Spectroscopy12.1 Introduction12.2 Auger Transitions12.3 Yield of Auger Electrons and Fluorescence Yield12.4 Atomic Level Width and Lifetimes12.5 Auger Electron S
pectroscopy12.6 Quantitative Analysis12.7 Auger Depth ProfilesProblems13. Nuclear Techniques：Activation Analysis and Prompt Radiation Analysis13.1 Introduction13.2 Q Values and Kinetic Energies13.3 Radioactive Decay13.4 Radioactive Decay Law13.5 Radionuclide Production13.6 Activation Analysis13.7 Pr
ompt Radiation AnalysisProblems14. Scanning Probe Microscopy14.1 Introduction14.2 Scanning Tunneling Microscopy14.3 Atomic Force MicroscopyAppendix 1. Km for 4He+ as Projectile and Integer Target MassAppendix 2. Rutherford Scattering Cross Section of the Elements for 1 MeV4HeiAppendix 3. 4He+ Stoppi
ng Cross SectionsAppendix 4. Electron Configurations and Ionization Potentials of AtomsAppendix 5. Atomic Scattering FactorsAppendix 6. Electron Binding EnergiesAppendix 7. X-Ray Wavelengths (nm)Appendix 8. Mass Absorption Coefficient and DensitiesAppendix 9. KLL Auger Energies (eV)Appendix 10. Tabl
e of the ElementsAppendix 11. Table of Fluoresence Yields for K，L，and M ShellsAppendix 12. Physical Constants，Conversions，and Useful CombinationsAppendix 13. AcronymsIndex 對於國內的物理學工作者和青年學生來講，研讀國外優秀的物理學著作是系統掌握物理學知識的一個重要手段。但是，在國內並不能及時、方便地買到國外的圖書，且國外圖書不菲的價格往往令國內的讀者卻步，因此，把國外的優秀物理原著引進到國內，讓國內的讀者
能夠方便地以較低的價格購買是一項意義深遠的工作，將有助於國內物理學工作者和青年學生掌握國際物理學的前沿知識，進而推動我國物理學科研和教學的發展。 為了滿足國內讀者對國外優秀物理學著作的需求，科學出版社啟動了引進國外優秀著作的工作，出版社這一舉措得到了國內物理學界的積極響應和支持，很快成立了專家委員會，開展了選題的推薦和篩選工作，在出版社初造的書單基礎上確定了第一批引進的項目，這些圖書幾乎涉及了近代物理學的所有領域，既有闡述學科基本理論的經典名著，也有反映某一學科專題前沿的專著。在選擇圖書時，專家委員會遵循了以下原則：基礎理論方面的圖書強調「經典」，選擇了那些經得起時間檢驗、對物理學的發展
產生重要影響、現在還不「過時」的著作（如：狄拉克的《量子力學原理》）。反映物理學某一領域進展的著作強調「前沿」和「熱點」，根據國內物理學研究發展的實際情況，選擇了能夠體現相關學科最新進展，對有關方向的科研人員和研究生有重要參考價值的圖書。這些圖書都是最新版的，多數圖書都是2000年以后出版的，還有相當一部分是2006年出版的新書。因此，這套叢書具有權威性、前瞻性和應用性強的特點。由於國外出版社的要求，科學出版社對部分圖書進行了少量的翻譯和注釋（並且是目錄標題和練習題），但這並不會影響圖書「原汁原味」的感覺，可能還會方便國內讀者的閱讀和理解。 「他山之石，可以攻玉」，希望這套叢書的出版能夠為
國內物理學工作者和青年學生的工作和學習提供參考，也希望國內更多專家參與到這一工作中來，推薦更多的好書。
IMP鉭及氮化鉭擴散障礙層在銅金屬化製程之研究
為了解決eels原理 的問題，作者莊景誠 這樣論述：
本論文研究探討以離子金屬電漿沈積法（IMP）製作鉭及（TaNx）氮化鉭薄膜作為銅矽之間的擴散障礙層。實驗以（100）矽晶生長1.2微米之二氧化矽，並以蝕刻法挖出大小不一之溝渠，之後依序鍍上25奈米擴散障礙層及150奈米之銅。研究以場發射穿透式電子顯微鏡（FEGTEM）、X光能譜散射儀（XEDS）、及能量過濾器（GIF）進行分析。實驗結果顯示鉭薄膜為微晶β-鉭和非晶鉭的混合，而（TaNx）氮化鉭則為微晶β-鉭、BCC-鉭、及Ta2N氮化二鉭與非晶的混合。未退火試片在鉭與銅之間存在一層氧化鉭，而（TaNx）氮化鉭與銅之間亦有一層氮氧化鉭，而且此氧化層隨著退火溫度升高而有增厚
的趨勢。 同樣於氬氣30分鐘退火，以鉭作為銅矽之間擴散障礙層在400℃，（TaNx）氮化鉭則為550℃失效。而在銅/擴散障礙層/二氧化矽/矽即使在600℃退火亦未有失效的現象。在失效後，以鉭為擴散障礙層在400∼500℃退火後以η〞Cu3Si為主，僅有少部分矽化銅氧化的情形發生，但在600℃不論是氬氣或是低真空退火，矽化銅氧化的情況皆相當嚴重，而矽化鉭僅在600℃退火後發現，顯示其生成並不是失效的原因。而（TaNx）氮化鉭在失效後雖亦以η〞Cu3Si為主，但在550℃退火後同時亦發現有少量的η′Cu3Si，600℃退火後不論何種退火氣氛，矽化銅氧化情形亦較為嚴重。實驗中並未
發現有矽化鉭的生成，但（TaNx）氮化鉭薄膜中Ta2N氮化二鉭晶粒成長而提供銅由Ta2N氮化二鉭晶界快速擴散路徑應為其失效之主因。
薄膜材料與薄膜技術
為了解決eels原理 的問題，作者鄭偉濤 編著 這樣論述：
自本書2004年第一版問世以來，因其技術先進、內容實用而深受行業讀者的好評，並被許多高校選為教材。近年來，薄膜材料與薄膜技術又有了許多新的發展。特別值得一提的是，2005年英國科學家首次在實驗室成功制備出單原子層石墨片，這是迄今為止人們所能得到的最薄的薄膜材料——嚴格意義上的二維材料。單原子層石墨片的穩定存在一方面突破了傳統理論的束縛，另一方面也為納米器件的實際制作和應用開闢了廣闊前景。由此，石墨片二維薄膜材料已經成為當前薄膜材料研究的熱門和前沿課題。 在本書的第二版中，我們將盡可能地反映薄膜材料研究的這一最新進展情況。為此，在第六章中，我們將原來的第四節“三族元素氮化物薄膜材料”的
全部內容更換為“石墨片二維薄膜材料”。其他修訂內容包括︰刪去了第三章中過多的物理氣相沉積示意圖，以使全章篇幅不致過大；在第四章第四節和第六章第三節中，我們又補充了一些相關的薄膜材料最新研究成果和研究進展。此外，對第一版出現的一些錯誤，特別是文字錯誤，我們都一一進行了修改。 王欣博士、田宏偉博士、鄭冰博士和于陝升博士等參與了本書部分章節的編寫與修訂，在此一並表示感謝。 本書系統闡述了薄膜材料與薄膜技術的基本原理和基本知識，重點介紹了薄膜材料的真空制備技術、薄膜的化學制備和物理氣相沉積方法、薄膜的形成和生長原理、薄膜的表征，對目前廣泛研究和應用的幾種主要薄膜材料進行了介紹、評述
和展望。 本書技術先進，內容實用，適合于從事材料研究的科研、技術人員閱讀參考，同時也可作為高校材料專業教材使用。 第一章 真空技術基礎 第一節 真空的基本知識 一、表示真空程度的單位 二、真空區域的劃分 三、固體對氣體的吸附及氣體的脫附 第二節 真空的獲得 一、旋片式機械真空泵 二、復合分子泵 三、低溫泵 第三節 真空的測量 一、電阻真空計 二、熱偶真空計 三、電離真空計 參考文獻 第二章 薄膜制備的化學方法 第一節 熱氧化生長 第二節 化學氣相沉積 一、一般化學氣相沉積反應 二、化學氣相沉積制備薄膜的傳統方
法 三、激光化學氣相沉積 四、光化學氣相沉積 五、等離子體增強化學氣相沉積 第三節 電鍍 第四節 化學鍍 第五節 陽極反應沉積 第六節 LB技術 參考文獻 第三章 薄膜制備的物理方法 第一節 真空蒸發 一、真空蒸發沉積的物理原理 二、真空蒸發技術 第二節 濺射 一、濺射的基本原理 二、濺射鍍膜的特點 三、濺射參數 四、濺射裝置 第三節 離子束和離子助 一、離子鍍 二、陰極電弧等離子體沉積 三、熱空陰極槍蒸發 四、離子轟擊共沉積 五、非平衡磁控離子助沉積 六、離子束沉積 第四節 外延生長 一、分子束外延（MBE）
二、液相外延生長（LPE） 三、熱壁外延生長（HWE） 四、有機金屬化學氣相沉積（MOCVD） 參考文獻 第四章 薄膜的形成與生長 第一節 形核 一、凝聚過程 二、LangmuIR-Frenkel凝聚理論 三、成核理論 四、實驗結果 第二節 生長過程 一、一般描述 二、類液體合並 三、沉積參數的影響 第三節 薄膜的生長模式 第四節 遠離平衡態薄膜生長 一、粗糙表面的結構和生長 二、簡單模型 三、薄膜生長模型的實驗研究 參考文獻 第五章 薄膜表征 第一節 薄膜厚度控制及測量 一、沉積率和厚度監測儀 二、膜厚度測量 第二節
組分表征 一、盧瑟福背散布射（RBS） 二、地次離子質譜儀（SIMS） 三、X射線光電子能譜（XPS） 四、俄歇電子能譜 五、電鏡中的顯微分析 第三節 薄膜的結構表征 一、衍射參數 二、熱振動與Debye-Waller因子 三、低能電子衍射（LEED） 四、掠入射角X射線衍射（GIXS） 五、透射電子顯微鏡 第四節 原子化學鍵合表征 一、能量損失譜（EELS） 二、擴展X射線 三、振動光譜︰紅外吸收光譜和拉曼光譜 第五節 薄膜應力表征 第六章 薄膜材料 第一節 超硬薄膜材料 一、超硬材料 二、金剛石薄膜 三、類金剛石薄膜
材料 四、CNx薄膜材料 第二節 智能薄膜材料 一、形狀記憶合金薄膜材料 二、NiTi形狀記憶合金薄膜的制備和表征 三、形狀記憶合金及薄膜的應用 第三節 納米薄膜材料 一、納米多層膜涂層 二、納米復合硬質涂層 三、應用及展望 第四節 石墨片二維薄膜材料 一、石墨片的實驗制備 二、石墨片的性質 三、展望 第五節 磁性氮化鐵薄膜材料 一、氮化鐵薄膜材料的相結構 二、氮化鐵薄膜材料的制備與表征 第六節 巨磁阻錳氧化物薄膜材料 一、磁阻的定義 二、鈣（金太）礦錳氧化物薄膜中的CMR效應及機制研究 三、錳氧化物薄膜制備工藝及表征手段
四、巨磁電阻薄膜材料的應用現狀 參考文獻