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這兩本書分別來自 和所出版 。
國立臺灣師範大學 特殊教育學系身心障礙特教教學碩士在職專班 王慧婷所指導 潘淳威的 以線上三級介入模式提升國中普通班教師正向行為支持知識之研究 （2022），提出Iwata關鍵因素是什麼，來自於三級介入模式、正向行為支持、單一受試、普通班教師、線上培訓。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電機資訊國際學程 白田理一郎所指導 羅茜妮的 寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究 （2021），提出因為有 跨導、NAND 快閃記憶、可靠度的重點而找出了 Iwata的解答。
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Okubo Toshimichi: The Bismark of Japan
為了解決Iwata 的問題，作者Iwata, Masakazu 這樣論述：
Iwata進入發燒排行的影片
2020/9/15発売
MIYAVIニューアルバム『Imaginary』
https://miyavi.lnk.to/ima_alID
収録楽曲『New Gravity』ミュージックビデオ
ミュージックビデオは
今さらにその勢いを増すクリエイティブ集団
PERIMETRON（ペリメトロン）が制作を担当。
Music Video Credit:
MIYAVI
Johannes S.
Director:
OSRIN (PERIMETRON)
Creative Director:
Shu Sasaki (PERIMETRON)
Producer:
Kento Yoshida (PERIMETRON)
Production Manager:
Upcoming Imoto (PERIMETRON)
Production Assistants:
Himawari
Ayaka Takamatsu
Yudai Sunagawa
Yuma Takeda
DOP:
Hyogo Mitsuoka
Camera Chief Assistant:
Rikuo Ueno
Camera 2nd Assistants:
Haruka Ito
Koichi Kitamura
Steadicam Operator:
Takuma Iwata
Lighting Director:
Satoshi Mizoguchi
Light Chief Assistant:
Hideyuki Takaya
Light 2nd Assistants:
Emi Sakurai
Takuya Kakizaki
Kohei Kajimoto
Takeshi Sugawara
Ryosuke Ito
Stylist:
Masataka Hattori (Hattori Pro)
Hair:
Hirokazu Endo(Ota office)
Hair Assistant:
Haruna Ochiai
Make-Up:
Dash
Production Designer:
Yui Miyamori
Assistant Production Designer:
Haruka Kumeno
Tamami Tsukahara
Haruki Narita
Hana Kondo
Props:
Masashi Kuwata (Prop eyes)
Set Construction:
Noriyuki Muraoka (Koma art)
Ryo Kobayashi (Koma art)
Keisuke Mochida (Koma art)
Atsuko Hamano (Koma art)
Special Make Up:
Kaiho
Special Makeup Assistant:
Sakura Iwakawa
Title Design:
Kenta Mori
Motion Graphics:
Shohei Inayoshi
Colorist:
Toshiki Kamei
Colorist Assistant:
Mai Kawamura
Online Editor:
Tomonori Horie (XOR)
Compositors:
Yuta Miura (XOR)
Jun Igarashi (XOR)
Satoru Yamamoto (XOR)
— NEW ALBUM —
Imaginary
https://www.universal-music.co.jp/miyavi
----- Web -----
▼ MIYAVI Official
http://myv382tokyo.com
https://miyavi.com
▼ Instagram
https://www.instagram.com/miyavi_ishihara/
▼ Twitter
https://twitter.com/MIYAVI_OFFICIAL
▼ Record Label Online Storefront
https://store.universal-music.co.jp/artist/miyavi/
▼ Official Merch
https://miyavishop.thebase.in/
----- MIYAVI -----
アーティスト / ギタリスト
エレクトリックギターをピックを使わずに全て指で弾くという独自の“スラップ奏法”でギタリストとして世界中から注目を集め、これまでに約30カ国350公演以上のライブと共に、8度のワールドツアーを成功させている。
昨年4月にアルバム『Holy Nights』が全世界同時リリース。昨年9月には配信EP『Holy Nights (Lockdown 2020)』と配信シングル「Over The Rainbow」もリリース。「どんな状況でも音楽を止めない」と宣言しているMIYAVIが新しい試みとして、バーチャルプロジェクト ”MIYAVI Virtual” を始動させ、全世界に向けVRやXRなど進化した5本のバーチャルライブを展開した。
アンジェリーナ・ジョリー監督映画「Unbroken」（2016年日本公開）で俳優としてハリウッドデビューも果たした他、国内では「BLEACH」「ギャングース」、国外では「コングー髑髏島の巨神」「マレフィセント２」（２０１９年１０月日米同時公開）への出演、今年9月にはNetflix「KATE」も配信開始される。
モデルとして、2018年「YOJI YAMAMOTO」新作コレクションにてパリコレデビューを飾る。2020年「GUCCI」創設以降約100年の歴史で日本人のアーティストとして初となるグローバルキャンペーンに起用され、2021年も引き続きGUCCIブランドアンバサダーを務めている。
映画『Mission: Impossible ‒Rogue Nation』日本版テーマソングのアレンジ制作、HONDA コマーシャル楽曲、SMAPへの楽曲提供をはじめ様々なアーティスト作品へ参加するなど、国内外のアーティスト/クリエイターから高い評価を受けている。2017年にはUNHCR（国連難民高等弁務官事務所）親善大使に就任。
常に世界に向けて挑戦を続ける“サムライギタリスト”であり、ワールドワイドに活躍する今後最も期待のおける日本人アーティストの一人である。
----- Information -----
JP: [email protected]
US: [email protected]
以線上三級介入模式提升國中普通班教師正向行為支持知識之研究
為了解決Iwata 的問題，作者潘淳威 這樣論述：
本研究目的為探討以線上三級介入模式提升國中普通班教師正向行為支持知識之成效以及看法。研究方法採單一受試實驗之變更情境設計，以6名國中普通班教師為研究參與者，採用三級介入模式進行線上培訓，依序以自學、團體工作坊、一對一教練方式進行，每一階段評量結果未達90%之參與者進入下一階段接受介入，介入完成後填寫回饋調查。將所蒐集之量化資料進行視覺分析，並統整參與者回饋等相關質性資料，得到以下發現。一、 以線上三級介入模式實施正向行為支持課程，有2位教師能在次級達通過標準。二、 以線上三級介入模式實施正向行為支持課程，可提升6位教師正向行為支持的知識，其中2位教師達通過標準。三、 5位教師認同以行為技能訓
練融入教材與教學有助於學習與操作，4位教師對本教材持肯定態度。四、 4位教師認同線上三級模式可提供他們在學習上不同程度的支持、能滿足其學習風格與偏好。五、 4位教師認為正向行為支持對處理學生行為問題有幫助，願意在未來使用，並有信心能預防行為問題。
Okubo Toshimichi: The Bismark of Japan
為了解決Iwata 的問題，作者Iwata, Masakazu 這樣論述：
寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究
為了解決Iwata 的問題，作者羅茜妮 這樣論述：
NAND快閃記憶體的可靠度會隨著連續寫入/抹除的次數增加，其行為可以在電流-電壓(I_D V_G)特性曲線中觀察到。導通電流隨著多次循環過程而下降。主要原因是經過多次寫入/抹除後，穿隧電子破壞氧化層而形成電荷缺陷，因而影響元件的可靠性，還可能造成資料儲存失敗或記憶體元件擊穿。本論文主要探討各種不同的寫入/抹除條件在室溫下對元件可靠度的影響，如: 寫入電壓、寫入到抹除過程的時間延遲、及抹除到寫入過程的時間延遲。從量測實驗中可以觀察到在室溫下，氧化層退化越嚴重隨著寫入電壓的增加，因為電場增加導致更多電洞注入到氧化層中，進而產生更多的電荷缺陷和介面缺陷。另外，透過實驗觀察到在室溫下，抹除到寫入過程
(E/P)的時間延遲相較於寫入到抹除過程(P/E)的時間延遲對元件可靠度有較顯著的影響，且較長的寫入/抹除時間延遲會造成更嚴重的氧化層缺陷。主要是因為在較長的的寫入/抹除時間延遲有利於電洞在氧化層中漂移，在靠近矽通道的表面與電子複合，產生更多的電荷缺陷或介面缺陷。