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國立陽明交通大學 電機工程學系 洪崇智所指導 李名曜的 應用於神經訊號感測具刺激干擾對策之低功率低雜訊類比前端電路 （2021），提出vga no signal解決關鍵因素是什麼，來自於神經訊號感測、刺激干擾對策、類比前端電路。

而第二篇論文國立清華大學 電子工程研究所 徐永珍所指導 葉奕良的 光伏模式 CMOS影像感測器之動態範圍擴展 （2021），提出因為有 CMOS影像感測器、動態範圍、光伏模式、雜訊抑制的重點而找出了 vga no signal解決的解答。

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應用於神經訊號感測具刺激干擾對策之低功率低雜訊類比前端電路

為了解決vga no signal解決的問題，作者李名曜 這樣論述：

摘要 iABSTRACT ii目錄 iii圖目錄 v表目錄 vii第一章 緒論 11.1 研究背景 11.2 研究動機 31.3 論文架構 4第二章 生醫電路介紹 52.1 生醫電路的困難挑戰 52.2 生醫電路的解決方法 7第三章 類比前端電路 113.1 類比前端電路(Analog Front End, AFE)整體架構 113.2 類比前端放大器(Preamp) 133.2.1低雜訊放大器(LNA) 143.2.2可變增益放大器(VGA) 183.2.3低通濾波器(LPF) 21

3.3 類比數位轉換器(ADC) 243.3.1 逐次逼近類比數位轉換器(SAR ADC) 253.3.2 電容式數位類比轉換器(CDAC) 263.3.3 取樣開關(Sampling switch) 283.3.4 比較器(Comparator) 293.3.5 SAR邏輯(SAR Logic) 30第四章 模擬與量測結果討論 324.1 模擬結果與討論 324.1.1 Preamp模擬結果 324.1.2 ADC模擬結果 354.1.3 AFE模擬結果 414.2 量測結果與討論 464.2.1 量測考量 474

.2.2 量測結果 474.3 模擬與量測結果討論 63第五章 結論與未來展望 655.1 結論 655.2 未來展望 66參考文獻 67

光伏模式 CMOS影像感測器之動態範圍擴展

為了解決vga no signal解決的問題，作者葉奕良 這樣論述：

本論文利用在多個影像感測電路上設計不同感測架構，比較並探討不同感光元件與電路區塊對於感測動態範圍之影響。測試電路中的設計差異包含：感光元件使用光伏模式(Photovoltaic Mode)之光二極體或橫向光電晶體、像素讀取電路使用n-MOSFET或p-MOSFET、於像素陣列後是否加入讀取行放大器(Column Amplifier)。在本論文中會提出標準CMOS製程中影像感測電路的特殊後模擬方式，建立光伏模式影像感測器的雜訊量測技術，並根據不同量測環境下的雜訊量值分析各子電路的輸出雜訊貢獻。目前市面上的影像感測器多以操作在逆偏壓之光二極體作為感光元件，在此操作模式下為了解析弱光像素的訊號會延

長曝光時間，因此容易在強光像素發生二極體位能井的電荷飽和而產生過曝的現象。為解決上述效應，影像感測裝置通常會進行多次取樣(Multiple Sampling)並根據多張不同曝光時間下的影像進行後期處理，以得到高動態範圍的影像，但如此影像感測技術會消耗更多時間完成單張影像的拍攝。本研究將光感測元件操作在開路的光伏模式，由於該模式讀取之感測元件電壓(光電壓)為光電流與順向電流達到穩態後的電壓，故此操作模式下較不易發生位能井飽和的狀況，能有效提升電路之飽和光強度。從量測上可以觀察到光伏模式之對數響應所帶來的飽和光強度提升，故本研究將以雜訊等效光強度(Noise Equivalent Intensit

y, NEI)作為感測動態範圍的主要改善指標。根據量測結果能觀察到：相較於使用光二極體與P-MOSFET讀取像素之感測電路，若額外加入讀取行放大器可減少約10%的雜訊等效光強度；若將光感測元件替換為橫向光電晶體則可再減少50%的雜訊等效光強度。未來若針對光電晶體之輸出電壓進行感測電路的進一步優化，可期待得到更低的雜訊等效光強度與更多的動態範圍提升。

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