pt950白金的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

新穎二維半導體材料：化學氣相沉積合成、材料鑑定、元件製作與未來電學與能源相關之應用

為了解決pt950白金的問題，作者羅山馬太 這樣論述：

利用二維材料進行多功能材料的研發與高性能電子元件的製作是開啟未來科技的敲門磚。針對探索二維材料的未來趨勢，本論文將著重在利用化學氣相沉積法進行新穎二維材料的合成、二維材料性質的測量、電子元件的製備以及其在能源與電子領域的應用。本篇論文內容共有三部分：探討（一）大面積、超薄且可調控相的二碲化鎢鉬（MoxW1-xTe2）薄膜在室溫下顯現的磁阻性質；（二）MoxW1-xTe2　奈米鬚於染料敏化太陽能電池（DSCC）中作為高效能的相對電極；以及（三）雙極性單晶二硒化錸（ReSe2）在不對稱電極之下的紅外線發光電晶體（Light emitting transistor, LET）之應用。在室溫下具有不

飽和磁阻性質的高度穩定超薄材料，在未來次世代電磁性電子元件中扮演著舉足輕重的腳色。利用化學氣相沉積法在六方氮化硼基板上合成大面積、毋須轉移基板、高度且可調控晶相的Td-Mo0.27W0.71Te2.02，或是2H- 與 Td-Mo0.22W0.89Te1.89薄膜，Td-Mo0.27W0.71Te2.02薄膜的平均載子遷移率為725 cm2V-1s-1；其不飽和磁阻在溫度5K之下為18%，而在室溫時則為11%。在此三元系統中，反弱局域效應在碲缺乏的2H- 與 Td-Mo0.22W0.89Te1.89的混合晶相薄膜中是首次發現且證實的，該效應表現出受抑制的磁阻性質，而其原因為受到縮減的電子相位相

干長度中，反覆出現電子非彈性散射所導致。該研究探討二維外爾半金屬材料（Weyl semi-metallic 2D materials）的大面積與相調控的晶體合成，以供未來對於電磁性質更深入的了解。新穎多晶MoxW1-xTe2材料為基礎的相對電極，具有高載子遷移率、晶相相依的晶格畸變以及表面電荷密度波的特性，並能夠大幅增強染料敏化太陽能電池中的電子傳輸機構以及電催化能力。此研究中，吾人提供了利用化學氣相沉積法將二元及三元MoxW1-xTe2晶體直接合成在碳布（carbon cloth）上的方法。在其光電的各項參數的分析中，在100次的循環伏安法之下，MoxW1-xTe2/CC相較於在I^-/I_

3^- 電解質溶液中的標準Pt/CC電極更為穩定。以1T’- 與 Td-Mo0.66W0.32Te2.02/CC為基礎的染料敏化太陽能電池表現出極低的電阻（0.62 Ω cm2），且可以達成高達16.29 mA cm-2的光電流以及9.40%的效率。值得一提的是，MoxW1-xTe2　奈米鬚在此的功能是作為電子的高速傳輸媒介，藉由縮減載子在電解液中的離子與相對電極間的垂直傳輸路徑，達成增強染料敏化太陽能電池中的反應動力學。此研究展示出具有高載子遷移率、強力的表面態的1T’- 與 Td-Mo0.66W0.32Te2.02/CC奈米鬚結構，可以取代染料敏化太陽能電池的傳統白金電極，並成為高效率的相

對電極以供電催化方面的應用。近紅外光發光元件是理想的非接觸性醫療設備以及高速資料傳輸設備的組件。利用常壓化學氣相沉積法所合成出的二硒化錸（ReSe2）晶體，以此方法所合成的晶體具有卓越的非等相性的結構與幾近完美的元素化學計量比例。利用精準的功函數匹配的非對稱電極元件中，該元件表現出極低的開啟電流以及完美的雙極性電子傳輸性質，其中包含了密度對稱且高載子遷移率的電子與電洞，以及幾乎位於能隙中間的費米能階。在常壓下，經由調頻後的ReSe2元件被觀察到有近紅外線電致發光現象。在光致發光的測量中，該元件所發出的近紅外光功率為0.28 μW。另外，該元件發射出的近紅外光非常的穩定。在偏光的測量中，顯示出R

eSe2-LET具有對於激子的非等相性平面內偏振現象。本研究展示了二維材料為基礎的近紅外光發光二極體，有望成為超薄資料傳輸的元件。

阻擋層對於染料敏化太陽能電池之穩定性研究

為了解決pt950白金的問題，作者陳奕倫 這樣論述：

摘要 iABSTRACT iii致謝 v目錄 vi表目錄 x圖目錄 xi第一章　序論 11.1　前言 11.2　研究內容 5第二章　文獻回顧 62.1　染料敏化太陽能電池背景 62.2　染料敏化電池之組成與結構介紹 72.2.1　導電基材 72.2.2　光陽極 82.2.3　光敏化劑 102.2.4　電解質 152.2.5　對電極 192.3　染料敏化電池工作原理 202.4　影響染料敏化太陽能之光電轉換效率因素 212.5　太陽能電池之量測 232.5.1　太陽光光源模擬系統 242.5.2　短路電流與開環電壓 252.5.3　填充因子 262

.5.4　光電轉換效率 262.6　染料太陽能電池之阻擋層 272.7　聚醯亞胺(polyimide) 292.8　氧化銦 (Indium oxide) 30第三章　實驗方法 313.1　實驗材料 313.2　實驗儀器與檢測設備 333.3　染料敏化太陽能電池流程圖 353.3.1　實驗流程大綱 353.3.2　In2O3氧化銦合成 363.3.3　FTO基板裁切與清洗 363.3.4　二氧化鈦TCO阻擋層製備 363.3.5　二氧化鈦光陽極網印漿料製備 363.3.6　二氧化鈦光陽極製備 383.3.7　白金電極之製備 393.3.8　液態電解液填充與封裝 4

03.4　製程塗布機台 413.4.1　網版印刷機 (Screen-Printing) 413.4.2　旋轉塗布機 (Spin-Coating) 433.4.3　原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD) 443.5　儀器原理與特性分析 453.5.1　白光干涉顯微鏡 (OM) 453.5.2　場效發射掃描式電子顯微鏡 (FE-SEM) 463.5.3　X光繞射分析儀 (XRD) 473.5.4　拉曼光譜儀 (Raman Spectroscopy) 483.5.5　比表面積分析儀 (BET) 493.5.6　衰減全反射式-傅立葉轉換紅外光譜儀

(FT-IR ATR) 513.5.7　紫外光-可見光光譜儀 (UV-Vis Spectroscopy) 523.6　電池效率檢測儀器 533.6.1　太陽光模擬之光電轉換分析系統 (I-V curve) 533.6.2　入射單色光子-電子轉換效率 (IPCE) 543.6.2　電化學阻抗分析儀 (EIS) 55第四章　結果與討論 564.1　材料特性分析 564.1.1　白光干涉顯微鏡之光陽極表面形貌分析 574.1.2　場發射掃描式電子顯微鏡之材料與光陽極形貌分析 584.1.3　X光繞射光譜材料分析 624.1.4　拉曼光譜材料分析 644.1.5　 P90二氧化

鈦與In2O3材料比表面積分析 664.1.6　衰減全反射式-傅利葉轉換紅外光譜儀分析 684.1.7　染料吸附量分析 704.2　染料敏化太陽能電池表現檢測分析 734.2.1　太陽光模擬之光電轉換效率分析 764.2.2　入射單色光子-電子轉換效率(IPCE) 834.2.3　電化學阻抗分析 854.2.4　電池之穩定性量測 88第五章　結論 90參考文獻 92